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• TDK Corporation
  CAP CER 0.15UF 4V X6S 0402
  详细描述：0.15μF ±20% 4V 陶瓷电容器 X6S 0402（1005 公制）
  
  型号：C1005X6S0G154M050BB
  仓库库存编号：445-13873-1-ND
  别名：445-13873-1
  
  规格：电压 - 额定 4V,
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• TDK Corporation
  CAP CER 10UF 4V X6S 0805
  详细描述：10μF ±20% 4V 陶瓷电容器 X6S 0805（2012 公制）
  
  型号：C2012X6S0G106M125AC
  仓库库存编号：445-14462-1-ND
  别名：445-14462-1
  
  规格：电压 - 额定 4V,
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• Murata Electronics North America
  CAP CER 1UF 4V X6S 0201
  详细描述：1μF ±20% 4V 陶瓷电容器 X6S 0201（0603 公制）
  
  型号：GRM033C80G105MEA2D
  仓库库存编号：490-7222-1-ND
  别名：490-7222-1
  
  规格：电压 - 额定 4V,
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• KEMET
  CAP TANT 220UF 4V 20% 2012-12
  详细描述：220μF 模制 钽电容器 4V 0805（2012 公制） 2 欧姆
  
  型号：T488R227M004AAE2K0
  仓库库存编号：399-10525-1-ND
  别名：399-10525-1
  
  规格：电压 - 额定 4V,
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• CEL
  IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
  详细描述：RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 6mA 20GHz 11dB
  
  型号：NE3521M04-T2-A
  仓库库存编号：NE3521M04-T2-ATR-ND
  别名：NE3521M04-T2-ATR
  
  规格：电压 - 额定 4V,
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• Murata Electronics North America
  CAP ARRAY 1UF 4V X5R 0302
  详细描述：1μF Isolated Capacitor 2 Array 4V X5R 0302 (0805 Metric)
  
  型号：GNM0M2R60G105ME17D
  仓库库存编号：GNM0M2R60G105ME17D-ND
  
  规格：电压 - 额定 4V,
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• Cornell Dubilier Electronics (CDE)
  CAP ALUM POLY 150UF 20% 4V SMD
  详细描述：150μF 4V Aluminum Polymer Capacitor 2917 (7343 Metric) 7 mOhm 1000 Hrs @ 105°C
  
  型号：SPSX151M04R-7
  仓库库存编号：SPSX151M04R-7-ND
  
  规格：电压 - 额定 4V,
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• TDK Corporation
  CAP CER 0.22UF 4V X6S 0402
  详细描述：0.22μF ±10% 4V 陶瓷电容器 X6S 0402（1005 公制）
  
  型号：C1005X6S0G224K050BB
  仓库库存编号：445-172463-1-ND
  别名：445-172463-1
  
  规格：电压 - 额定 4V,
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• TDK Corporation
  CAP CER 0.22UF 4V X6S 0402
  详细描述：0.22μF ±20% 4V 陶瓷电容器 X6S 0402（1005 公制）
  
  型号：C1005X6S0G224M050BB
  仓库库存编号：445-172464-1-ND
  别名：445-172464-1
  
  规格：电压 - 额定 4V,
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  FET RF 4V 12GHZ S01
  详细描述：RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB SMD
  
  型号：NE3210S01
  仓库库存编号：NE3210S01-ND
  
  规格：电压 - 额定 4V,
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  HJ-FET 13DB S01
  详细描述：RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13dB SMD
  
  型号：NE4210S01
  仓库库存编号：NE4210S01-ND
  
  规格：电压 - 额定 4V,
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• CEL
  FET RF 4V 12GHZ S01
  详细描述：RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB SMD
  
  型号：NE3210S01-T1B
  仓库库存编号：NE3210S01-T1B-ND
  
  规格：电压 - 额定 4V,
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• CEL
  HJ-FET 13DB S01
  详细描述：RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13dB SMD
  
  型号：NE4210S01-T1B
  仓库库存编号：NE4210S01-T1B-ND
  
  规格：电压 - 额定 4V,
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• CEL
  IC AMP RF LNA 13.5DB S02
  详细描述：RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02
  
  型号：NE3511S02-T1C-A
  仓库库存编号：NE3511S02-T1C-ACT-ND
  别名：NE3511S02-T1C-ACT
  
  规格：电压 - 额定 4V,
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• Rohm Semiconductor
  CAP TANT 3.3UF 20% 4V 2012
  详细描述：3.3μF 模制 钽电容器 4V 0805（2012 公制）
  
  型号：TCFGP0G335M8R
  仓库库存编号：TCFGP0G335M8R-ND
  
  规格：电压 - 额定 4V,
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  FET RF 4V 12GHZ M04
  详细描述：RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12dB M04
  
  型号：NE3503M04-T2B-A
  仓库库存编号：NE3503M04-T2B-A-ND
  
  规格：电压 - 额定 4V,
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  FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
  详细描述：RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 13dB 125mW 4-Super Mini Mold
  
  型号：NE3513M04-T2B-A
  仓库库存编号：NE3513M04-T2B-A-ND
  
  规格：电压 - 额定 4V,
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• CEL
  FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
  详细描述：RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02
  
  型号：NE3515S02-T1D-A
  仓库库存编号：NE3515S02-T1D-A-ND
  
  规格：电压 - 额定 4V,
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