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Knowles Syfer
CAP CER 18PF 100V C0G/NP0 1812
详细描述：18pF ±2% 100V 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
1812Y1000180GFT
仓库库存编号：
1812Y1000180GFT-ND
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无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 0.022UF 100V C0G 1812
详细描述：0.022μF ±2% 100V 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
1812Y1000223GCR
仓库库存编号：
1812Y1000223GCR-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 0.022UF 100V C0G 1812
详细描述：0.022μF ±2% 100V 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
1812Y1000223GCT
仓库库存编号：
1812Y1000223GCT-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 18PF 50V C0G/NP0 1812
详细描述：±2% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 1812（4532 公制）
型号：
1812Y0500180GAR
仓库库存编号：
1812Y0500180GAR-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 18PF 50V C0G/NP0 1812
详细描述：±2% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 1812（4532 公制）
型号：
1812Y0500180GAT
仓库库存编号：
1812Y0500180GAT-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 18PF 50V C0G/NP0 1812
详细描述：18pF ±2% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
1812Y0500180GFR
仓库库存编号：
1812Y0500180GFR-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 18PF 50V C0G/NP0 1812
详细描述：18pF ±2% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
1812Y0500180GFT
仓库库存编号：
1812Y0500180GFT-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 18PF 63V C0G/NP0 1812
详细描述：±2% 63V 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 1812（4532 公制）
型号：
1812Y0630180GAR
仓库库存编号：
1812Y0630180GAR-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 18PF 63V C0G/NP0 1812
详细描述：±2% 63V 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 1812（4532 公制）
型号：
1812Y0630180GAT
仓库库存编号：
1812Y0630180GAT-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 18PF 63V C0G/NP0 1812
详细描述：18pF ±2% 63V 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
1812Y0630180GFR
仓库库存编号：
1812Y0630180GFR-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 18PF 63V C0G/NP0 1812
详细描述：18pF ±2% 63V 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
1812Y0630180GFT
仓库库存编号：
1812Y0630180GFT-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 910PF 100V C0G/NP0 1111
详细描述：910pF ±2% 100V 陶瓷电容器 C0G，NP0 1111（2828 公制）
型号：
1111J1000911GQT
仓库库存编号：
1111J1000911GQT-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 1500PF 1.5KV C0G 2220
详细描述：1500pF ±2% 1500V（1.5kV） 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 2220（5750 公制）
型号：
2220Y1K50152GCT
仓库库存编号：
2220Y1K50152GCT-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 470PF 100V C0G/NP0 1111
详细描述：470pF ±2% 100V 陶瓷电容器 C0G，NP0 1111（2828 公制）
型号：
1111J1000471GQT
仓库库存编号：
1111J1000471GQT-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 470PF 200V C0G/NP0 1111
详细描述：470pF ±2% 200V 陶瓷电容器 C0G，NP0 1111（2828 公制）
型号：
1111J2000471GQT
仓库库存编号：
1111J2000471GQT-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 470PF 250V C0G/NP0 1111
详细描述：470pF ±2% 250V 陶瓷电容器 C0G，NP0 1111（2828 公制）
型号：
1111J2500471GQT
仓库库存编号：
1111J2500471GQT-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 470PF 300V C0G/NP0 1111
详细描述：470pF ±2% 300V 陶瓷电容器 C0G，NP0 1111（2828 公制）
型号：
1111J3000471GQT
仓库库存编号：
1111J3000471GQT-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 470PF 500V C0G/NP0 1111
详细描述：470pF ±2% 500V 陶瓷电容器 C0G，NP0 1111（2828 公制）
型号：
1111J5000471GQT
仓库库存编号：
1111J5000471GQT-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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RES SMD 1K OHM 2% 1W 2512
详细描述：±2% 1W 薄膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H09B1H00RT5
仓库库存编号：
M55342H09B1H00RT5-ND
别名：M55342H09B1H00RT5-MIL
规格：容差 ±2%,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 560K OHM 2% 1W 2512
详细描述：±2% 1W 薄膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H09B560HRT5
仓库库存编号：
M55342H09B560HRT5-ND
别名：M55342H09B560HRT5-MIL
规格：容差 ±2%,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 47 OHM 2% 1W 2512
详细描述：±2% 1W 薄膜 芯片电阻 2512（6432 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K09B47G0RT5V
仓库库存编号：
M55342K09B47G0RT5V-ND
别名：M55342K09B47G0RT5V-MIL
规格：容差 ±2%,
含铅
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Knowles Syfer
CAP CER 220PF 1.2KV C0G/NP0 2220
详细描述：220pF ±2% 1200V（1.2kV） 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 2220（5750 公制）
型号：
2220J1K20221GCR
仓库库存编号：
2220J1K20221GCR-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 220PF 1.2KV C0G/NP0 2220
详细描述：220pF ±2% 1200V（1.2kV） 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 2220（5750 公制）
型号：
2220J1K20221GCT
仓库库存编号：
2220J1K20221GCT-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 220PF 1.5KV C0G/NP0 2220
详细描述：220pF ±2% 1500V（1.5kV） 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 2220（5750 公制）
型号：
2220J1K50221GCR
仓库库存编号：
2220J1K50221GCR-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 220PF 1.5KV C0G/NP0 2220
详细描述：220pF ±2% 1500V（1.5kV） 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 2220（5750 公制）
型号：
2220J1K50221GCT
仓库库存编号：
2220J1K50221GCT-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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