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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 9.1V, 500MW, 2%, M
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Surface Mount Mini MELF
型号：
BZV55B9V1 L0G
仓库库存编号：
BZV55B9V1 L0G-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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ON Semiconductor
DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT23-3
详细描述：Zener Diode 225mW ±2% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号：
BZX84B9V1LT1G
仓库库存编号：
BZX84B9V1LT1GOSTR-ND
别名：BZX84B9V1LT1GOS
BZX84B9V1LT1GOS-ND
BZX84B9V1LT1GOSTR
规格：容差 ±2%,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES ARRAY 4 RES 100K OHM 1206
详细描述：100k Ohm ±2% 62.5mW Power Per Element Isolated Resistor Network/Array ±200ppm/°C 1206 (3216 Metric), Concave, Long Side Terminals
型号：
RACF164DGT100K
仓库库存编号：
RACF164DGT100K-ND
别名：RAC 164D 100K 2% R
RAC164D100K2%R
RAC164D100K2%R-ND
RAC164D100KGR
RAC164D100KGR-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES ARRAY 4 RES 15K OHM 1206
详细描述：15k Ohm ±2% 62.5mW Power Per Element Isolated Resistor Network/Array ±200ppm/°C 1206 (3216 Metric), Concave, Long Side Terminals
型号：
RACF164DGT15K0
仓库库存编号：
RACF164DGT15K0-ND
别名：RAC 164D 15K 2% R
RAC164D15K2%R
RAC164D15K2%R-ND
RAC164D15KGR
RAC164D15KGR-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES ARRAY 4 RES 56K OHM 1206
详细描述：56k Ohm ±2% 62.5mW Power Per Element Isolated Resistor Network/Array ±200ppm/°C 1206 (3216 Metric), Concave, Long Side Terminals
型号：
RACF164DGT56K0
仓库库存编号：
RACF164DGT56K0-ND
别名：RAC 164D 56K 2% R
RAC164D56K2%R
RAC164D56K2%R-ND
RAC164D56KGR
RAC164D56KGR-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Yageo
CAP CER 1000PF 50V NPO 0603
详细描述：1000pF ±2% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0 0603（1608 公制）
型号：
CC0603GRNPO9BN102
仓库库存编号：
CC0603GRNPO9BN102-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Murata Electronics North America
CAP CER 30PF 50V NP0 0603
详细描述：30pF ±2% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0 0603（1608 公制）
型号：
GRM1885C1H300GA01J
仓库库存编号：
GRM1885C1H300GA01J-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Murata Electronics North America
CAP CER 43PF 50V NP0 0603
详细描述：43pF ±2% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0 0603（1608 公制）
型号：
GRM1885C1H430GA01D
仓库库存编号：
GRM1885C1H430GA01D-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
搜索
Murata Electronics North America
CAP CER 43PF 50V NP0 0603
详细描述：43pF ±2% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0 0603（1608 公制）
型号：
GRM1885C1H430GA01J
仓库库存编号：
GRM1885C1H430GA01J-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Yageo
CAP CER 150PF 50V NPO 0805
详细描述：150pF ±2% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0 0805（2012 公制）
型号：
CC0805GRNPO9BN151
仓库库存编号：
CC0805GRNPO9BN151-ND
别名：0805CG151G9B200
223886114151
规格：容差 ±2%,
无铅
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Yageo
CAP CER 220PF 50V NPO 0805
详细描述：220pF ±2% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0 0805（2012 公制）
型号：
CC0805GRNPO9BN221
仓库库存编号：
CC0805GRNPO9BN221-ND
别名：0805CG221G9B200
223886114221
规格：容差 ±2%,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 10V, 500MW, 2%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
BZX55B10 A0G
仓库库存编号：
BZX55B10 A0G-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 11V, 500MW, 2%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
BZX55B11 A0G
仓库库存编号：
BZX55B11 A0G-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 12V, 500MW, 2%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
BZX55B12 A0G
仓库库存编号：
BZX55B12 A0G-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 13V, 500MW, 2%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
BZX55B13 A0G
仓库库存编号：
BZX55B13 A0G-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 15V, 500MW, 2%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
BZX55B15 A0G
仓库库存编号：
BZX55B15 A0G-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 16V, 500MW, 2%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
BZX55B16 A0G
仓库库存编号：
BZX55B16 A0G-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 18V, 500MW, 2%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
BZX55B18 A0G
仓库库存编号：
BZX55B18 A0G-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 20V, 500MW, 2%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
BZX55B20 A0G
仓库库存编号：
BZX55B20 A0G-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 22V, 500MW, 2%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
BZX55B22 A0G
仓库库存编号：
BZX55B22 A0G-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 24V, 500MW, 2%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
BZX55B24 A0G
仓库库存编号：
BZX55B24 A0G-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 27V, 500MW, 2%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
BZX55B27 A0G
仓库库存编号：
BZX55B27 A0G-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 2.4V, 500MW, 2%, D
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
BZX55B2V4 A0G
仓库库存编号：
BZX55B2V4 A0G-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 2.7V, 500MW, 2%, D
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
BZX55B2V7 A0G
仓库库存编号：
BZX55B2V7 A0G-ND
规格：容差 ±2%,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 30V, 500MW, 2%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±2% Through Hole DO-35
型号：
BZX55B30 A0G
仓库库存编号：
BZX55B30 A0G-ND
规格：容差 ±2%,
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