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Knowles Syfer
CAP CER 10000PF 63V C0G/NP0 1210
详细描述：10000pF ±1% 63V 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 1210（3225 公制）
型号：
1210Y0630103FCT
仓库库存编号：
1210Y0630103FCT-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 1800PF 630V C0G/NP0 1808
详细描述：1800pF ±1% 630V 陶瓷电容器 C0G，NP0 1808（4520 公制）
型号：
1808Y6300182FCR
仓库库存编号：
1808Y6300182FCR-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
搜索
Knowles Syfer
CAP CER 1800PF 630V C0G/NP0 1808
详细描述：1800pF ±1% 630V 陶瓷电容器 C0G，NP0 1808（4520 公制）
型号：
1808Y6300182FCT
仓库库存编号：
1808Y6300182FCT-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Cornell Dubilier Electronics (CDE)
CAP MICA 250PF 1% 500V 1812
详细描述：Mica Capacitor 1812 (4532 Metric)
型号：
MC18FD251F-TF
仓库库存编号：
MC18FD251F-TF-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Cornell Dubilier Electronics (CDE)
CAP MICA 270PF 1% 500V 1812
详细描述：Mica Capacitor 1812 (4532 Metric)
型号：
MC18FD271F-TF
仓库库存编号：
MC18FD271F-TF-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Cornell Dubilier Electronics (CDE)
CAP MICA 300PF 1% 500V 1812
详细描述：Mica Capacitor 1812 (4532 Metric)
型号：
MC18FD301F-TF
仓库库存编号：
MC18FD301F-TF-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Cornell Dubilier Electronics (CDE)
CAP MICA 360PF 1% 500V 1812
详细描述：Mica Capacitor 1812 (4532 Metric)
型号：
MC18FD361F-TF
仓库库存编号：
MC18FD361F-TF-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 390PF 63V C0G/NP0 0805
详细描述：390pF ±1% 63V 陶瓷电容器 C0G，NP0 0805（2012 公制）
型号：
0805J0630391FQT
仓库库存编号：
0805J0630391FQT-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 390PF 100V C0G/NP0 0805
详细描述：390pF ±1% 100V 陶瓷电容器 C0G，NP0 0805（2012 公制）
型号：
0805J1000391FQT
仓库库存编号：
0805J1000391FQT-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 220PF 1.2KV C0G/NP0 1812
详细描述：220pF ±1% 1200V（1.2kV） 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
1812Y1K20221FCT
仓库库存编号：
1812Y1K20221FCT-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 68PF 1.2KV C0G/NP0 1812
详细描述：68pF ±1% 1200V（1.2kV） 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
1812Y1K20680FCT
仓库库存编号：
1812Y1K20680FCT-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 82PF 1.2KV C0G/NP0 1812
详细描述：82pF ±1% 1200V（1.2kV） 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
1812Y1K20820FCT
仓库库存编号：
1812Y1K20820FCT-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 220PF 1.5KV C0G/NP0 1812
详细描述：220pF ±1% 1500V（1.5kV） 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
1812Y1K50221FCT
仓库库存编号：
1812Y1K50221FCT-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 68PF 1.5KV C0G/NP0 1812
详细描述：68pF ±1% 1500V（1.5kV） 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
1812Y1K50680FCT
仓库库存编号：
1812Y1K50680FCT-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 82PF 1.5KV C0G/NP0 1812
详细描述：82pF ±1% 1500V（1.5kV） 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
1812Y1K50820FCT
仓库库存编号：
1812Y1K50820FCT-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2.21M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL2M21
仓库库存编号：
HVCB2010FKL2M21-ND
别名：HVCB 2010 T0 2.21M 1% I
HVCB2010T02.21M1%I
HVCB2010T02.21M1%I-ND
HVCB2010T02.21MFI
HVCB2010T02.21MFI-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL500K
仓库库存编号：
HVCB2010FKL500K-ND
别名：HVCB 2010 T0 500K 1% I
HVCB2010T0500K1%I
HVCB2010T0500K1%I-ND
HVCB2010T0500KFI
HVCB2010T0500KFI-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2.21M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTD2M21
仓库库存编号：
HVCB2010FTD2M21-ND
别名：HVCB 2010 T1 2.21M 1% R
HVCB2010T12.21M1%R
HVCB2010T12.21M1%R-ND
HVCB2010T12.21MFR
HVCB2010T12.21MFR-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTD500K
仓库库存编号：
HVCB2010FTD500K-ND
别名：HVCB 2010 T1 500K 1% R
HVCB2010T1500K1%R
HVCB2010T1500K1%R-ND
HVCB2010T1500KFR
HVCB2010T1500KFR-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 249K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTD249K
仓库库存编号：
HVCB2010FTD249K-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTD2M00
仓库库存编号：
HVCB2010FTD2M00-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 249K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL249K
仓库库存编号：
HVCB2010FKL249K-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 301K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL301K
仓库库存编号：
HVCB2010FKL301K-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL10M0
仓库库存编号：
HVCB2010FKL10M0-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 160PF 50V C0G/NP0 1206
详细描述：±1% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 1206（3216 公制）
型号：
1206Y0500161FQT
仓库库存编号：
1206Y0500161FQT-ND
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