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Vishay Vitramon
CAP CER 18PF 2KV C0G/NP0 1812
详细描述：18pF ±1% 2000V（2kV） 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
VJ1812A180FCFAJ
仓库库存编号：
VJ1812A180FCFAJ-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 18PF 1KV C0G/NP0 1812
详细描述：18pF ±1% 1000V（1kV） 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
VJ1812A180FCGAJ
仓库库存编号：
VJ1812A180FCGAJ-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 18PF 630V C0G/NP0 1812
详细描述：18pF ±1% 630V 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
VJ1812A180FCLAJ
仓库库存编号：
VJ1812A180FCLAJ-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 18PF 1.5KV C0G/NP0 1812
详细描述：18pF ±1% 1500V（1.5kV） 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
VJ1812A180FCRAJ
仓库库存编号：
VJ1812A180FCRAJ-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 22PF 2KV C0G/NP0 1812
详细描述：22pF ±1% 2000V（2kV） 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
VJ1812A220FCFAJ
仓库库存编号：
VJ1812A220FCFAJ-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 22PF 1KV C0G/NP0 1812
详细描述：22pF ±1% 1000V（1kV） 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
VJ1812A220FCGAJ
仓库库存编号：
VJ1812A220FCGAJ-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 22PF 3KV C0G/NP0 1812
详细描述：22pF ±1% 3000V（3kV） 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
VJ1812A220FCHAJ
仓库库存编号：
VJ1812A220FCHAJ-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 22PF 630V C0G/NP0 1812
详细描述：22pF ±1% 630V 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
VJ1812A220FCLAJ
仓库库存编号：
VJ1812A220FCLAJ-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 22PF 1.5KV C0G/NP0 1812
详细描述：22pF ±1% 1500V（1.5kV） 陶瓷电容器 C0G，NP0 1812（4532 公制）
型号：
VJ1812A220FCRAJ
仓库库存编号：
VJ1812A220FCRAJ-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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AVX Corporation
CAP CER 106PF 50V NP0 0603
详细描述：106pF ±1% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0 0603（1608 公制）
型号：
06035AVPRFAT2A
仓库库存编号：
478-10344-1-ND
别名：478-10344-1
规格：容差 ±1%,
无铅
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Vishay Sfernice
RES 100K OHM 1% 1/5W 0805
详细描述：100 kOhms ±1% 0.2W，1/5W 厚膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 防潮 厚膜
型号：
CHP0805K1003FGT
仓库库存编号：
CHP0805K1003FGTCT-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Murata Electronics North America
CAP CER 8200PF 50V C0G/NP0 1206
详细描述：8200pF ±1% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0 1206（3216 公制）
型号：
GCM3195C1H822FA16D
仓库库存编号：
490-16384-1-ND
别名：490-16384-1
规格：容差 ±1%,
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Fairchild/ON Semiconductor
IC VREF SHUNT ADJ TO92
详细描述：分流器 电压基准 IC 36V ±1% 100mA TO-92-3
型号：
KA431AZTA_F081
仓库库存编号：
KA431AZTA_F081-ND
规格：容差 ±1%,
无铅
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Infineon Technologies
IC VREF SHUNT ADJ +/-1% SOT23-3
详细描述：分流器 电压基准 IC 15V ±1% 10mA Micro3?/SOT-23
型号：
IRU431-L3TR
仓库库存编号：
IRU431-L3TR-ND
规格：容差 ±1%,
含铅
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Infineon Technologies
IC VREF SHUNT ADJ +/-1% SOT23-5
详细描述：分流器 电压基准 IC 15V ±1% 10mA SOT-23-5
型号：
IRU431-L5TR
仓库库存编号：
IRU431-L5TR-ND
规格：容差 ±1%,
含铅
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Infineon Technologies
IC VREF SHUNT ADJ SOT23
详细描述：分流器 电压基准 IC 15V ±1% 10mA Micro3?/SOT-23
型号：
IRU431LCL3TR
仓库库存编号：
IRU431LCL3CT-ND
别名：*IRU431LCL3TR
IRU431LCL3CT
规格：容差 ±1%,
含铅
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Infineon Technologies
IC VREF SHUNT ADJ SOT23-5
详细描述：分流器 电压基准 IC 15V ±1% 10mA SOT-23-5
型号：
IRU431LCL5TR
仓库库存编号：
IRU431LCL5CT-ND
别名：IRU431LCL5CT
规格：容差 ±1%,
含铅
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Infineon Technologies
IC VREF SHUNT ADJ +/-1% 8SOIC
详细描述：分流器 电压基准 IC 15V ±1% 10mA 8-SOIC
型号：
IRU431LCS
仓库库存编号：
IRU431LCS-ND
规格：容差 ±1%,
含铅
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Infineon Technologies
IC VREF SHUNT ADJ +/-1% 8SOIC
详细描述：分流器 电压基准 IC 15V ±1% 10mA 8-SOIC
型号：
IRU431LCSTR
仓库库存编号：
IRU431LCSTR-ND
规格：容差 ±1%,
含铅
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NXP USA Inc.
IC VREF SHUNT ADJ SOT23-3
详细描述：分流器 电压基准 IC 18V ±1% 70mA TO-236AB（SOT23）
型号：
TLVH431ACDBZR,215
仓库库存编号：
TLVH431ACDBZR,215-ND
别名：935293025215
TLVH431ACDBZR215
规格：容差 ±1%,
无铅
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NXP USA Inc.
IC VREF SHUNT ADJ SOT23-3
详细描述：分流器 电压基准 IC 18V ±1% 70mA TO-236AB（SOT23）
型号：
TLVH431AIDBZR,215
仓库库存编号：
TLVH431AIDBZR,215-ND
别名：935293026215
TLVH431AIDBZR215
规格：容差 ±1%,
无铅
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NXP USA Inc.
IC VREF SHUNT ADJ SC74A
详细描述：分流器 电压基准 IC 18V ±1% 70mA 5-TSOP
型号：
TLVH431AQDBVR,115
仓库库存编号：
TLVH431AQDBVR,115-ND
别名：935294917115
规格：容差 ±1%,
无铅
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NXP USA Inc.
IC VREF SHUNT ADJ 5TSOP
详细描述：分流器 电压基准 IC 18V ±1% 70mA 5-TSOP
型号：
TLVH431AQDBVR,125
仓库库存编号：
TLVH431AQDBVR,125-ND
别名：935294917125
规格：容差 ±1%,
无铅
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NXP USA Inc.
DIODE ZENER TO-236AB SOT23
详细描述：Zener Diode 7.5V 250mW ±1% Surface Mount TO-236AB (SOT23)
型号：
BZX84-A7V5/LF1R
仓库库存编号：
BZX84-A7V5/LF1R-ND
别名：934069517215
规格：容差 ±1%,
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