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Bourns Inc.
RES SMD 28K OHM 1% 1/4W 1206
详细描述:28 kOhms ±1% 0.25W,1/4W 厚膜 芯片电阻 1206(3216 公制) 防潮 厚膜
型号:
CR1206-FX-2802ELFF
仓库库存编号:
CR1206-FX-2802ELFF-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
搜索
Bourns Inc.
RES SMD 1.5M OHM 1% 1/8W 0805
详细描述:1.5 MOhms ±1% 0.125W,1/8W 厚膜 芯片电阻 0805(2012 公制) 厚膜
型号:
CRH0805-FW-1504ELF
仓库库存编号:
CRH0805-FW-1504ELF-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
搜索
Bourns Inc.
RES SMD 1.5 OHM 1% 3W 6327
详细描述:1.5 Ohms ±1% 3W 绕线 芯片电阻 6327 J 形引线 电流感应,防潮,非电感,脉冲耐受 绕线
型号:
PWR6327N1R50F
仓库库存编号:
PWR6327N1R50F-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
搜索
Bourns Inc.
RES SMD 2 OHM 1% 3W 6327
详细描述:2 Ohms ±1% 3W 绕线 芯片电阻 6327 J 形引线 电流感应,防潮,非电感,脉冲耐受 绕线
型号:
PWR6327N2R00F
仓库库存编号:
PWR6327N2R00F-ND
别名:Q10825690
规格:容差 ±1%,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 1.2 OHM 1% 3W 6327
详细描述:1.2 Ohms ±1% 3W 绕线 芯片电阻 6327 J 形引线 电流感应,防潮,非电感,脉冲耐受 绕线
型号:
PWR6327W1R20F
仓库库存编号:
PWR6327W1R20F-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 2.2 OHM 1% 3W 6327
详细描述:2.2 Ohms ±1% 3W 绕线 芯片电阻 6327 J 形引线 电流感应,防潮,非电感,脉冲耐受 绕线
型号:
PWR6327W2R20F
仓库库存编号:
PWR6327W2R20F-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 2.2 OHM 1% 3W 6327
详细描述:2.2 Ohms ±1% 3W 绕线 芯片电阻 6327 J 形引线 电流感应,防潮,非电感,脉冲耐受 绕线
型号:
PWR6327W2R20FE
仓库库存编号:
PWR6327W2R20FE-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
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Exar Corporation
IC REG PREC ADJ SOT SOT23-3
详细描述:分流器 电压基准 IC 20V ±1% 100mA SOT-23-3
型号:
SPX2431M-L
仓库库存编号:
SPX2431M-L-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
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Exar Corporation
IC VOLTAGE REF MICROPWR SOT SO3A
详细描述:分流器 电压基准 IC ±1% 20mA SOT-23-3
型号:
SPX385AM-L-2-5
仓库库存编号:
SPX385AM-L-2-5-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
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Exar Corporation
IC VOLTAGE REF MICROPWR SOT SO3A
详细描述:分流器 电压基准 IC ±1% 20mA SOT-23-3
型号:
SPX385AM-L-5-0
仓库库存编号:
SPX385AM-L-5-0-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
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Exar Corporation
IC REG PREC ADJ SHUNT SOT S03B
详细描述:分流器 电压基准 IC 20V ±1% 100mA SOT-89-3
型号:
SPX431LM1-L
仓库库存编号:
SPX431LM1-L-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
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Exar Corporation
IC VREF SHUNT ADJ TO92-3
详细描述:分流器 电压基准 IC 18V ±1% 80mA TO-92-3
型号:
SPX432N-L
仓库库存编号:
SPX432N-L-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
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M/A-Com Technology Solutions
RES SMD 10K OHM 1% 0202
详细描述:10 kOhms ±1% 厚膜 芯片电阻 0202(0505 公制) 射频,高频率 厚膜
型号:
MIR10RK-SP3FNAB0T
仓库库存编号:
1700-1030-ND
别名:1700-1030
MIR-10RK-SR3-F-NA-B-1-T
规格:容差 ±1%,
无铅
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Analog Devices Inc.
IC DGTL POT 50K 1CH TSSOP
详细描述:Digital Potentiometer 50k Ohm 1 Circuit 256 Taps SPI Interface 14-TSSOP
型号:
AD5291BRUZ-50-RL7
仓库库存编号:
AD5291BRUZ-50-RL7-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 2 MOHM 1% 1W 1206
详细描述:2 mOhms ±1% 1W 金属薄膜 芯片电阻 1206(3216 公制) 汽车级 AEC-Q200,电流检测,防潮 金属薄膜
型号:
CRF1206-FX-R002ELF
仓库库存编号:
CRF1206-FX-R002ELF-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 5 MOHM 1% 3W 4026
详细描述:5 mOhms ±1% 3W 金属元素 芯片电阻 4026 电流感应,防潮 金属元素
型号:
CSS4J-4026K-5L00F
仓库库存编号:
CSS4J-4026K-5L00F-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 5 MOHM 1% 3W 4026
详细描述:5 mOhms ±1% 3W 金属元素 芯片电阻 4026 电流感应,防潮 金属元素
型号:
CSS4J-4026K-5L00FE
仓库库存编号:
CSS4J-4026K-5L00FE-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 10PF 500V C0G/NP0 1111
详细描述:±1% 500V 陶瓷电容器 C0G,NP0(1B) 1111(2828 公制)
型号:
1111J5000100FUT
仓库库存编号:
1111J5000100FUT-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 100PF 500V C0G/NP0 1111
详细描述:±1% 500V 陶瓷电容器 C0G,NP0(1B) 1111(2828 公制)
型号:
1111J5000101FUT
仓库库存编号:
1111J5000101FUT-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 11PF 500V C0G/NP0 1111
详细描述:±1% 500V 陶瓷电容器 C0G,NP0(1B) 1111(2828 公制)
型号:
1111J5000110FUT
仓库库存编号:
1111J5000110FUT-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 110PF 500V C0G/NP0 1111
详细描述:±1% 500V 陶瓷电容器 C0G,NP0(1B) 1111(2828 公制)
型号:
1111J5000111FUT
仓库库存编号:
1111J5000111FUT-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 12PF 500V C0G/NP0 1111
详细描述:±1% 500V 陶瓷电容器 C0G,NP0(1B) 1111(2828 公制)
型号:
1111J5000120FUT
仓库库存编号:
1111J5000120FUT-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 120PF 500V C0G/NP0 1111
详细描述:±1% 500V 陶瓷电容器 C0G,NP0(1B) 1111(2828 公制)
型号:
1111J5000121FUT
仓库库存编号:
1111J5000121FUT-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 13PF 500V C0G/NP0 1111
详细描述:±1% 500V 陶瓷电容器 C0G,NP0(1B) 1111(2828 公制)
型号:
1111J5000130FUT
仓库库存编号:
1111J5000130FUT-ND
规格:容差 ±1%,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 130PF 500V C0G/NP0 1111
详细描述:±1% 500V 陶瓷电容器 C0G,NP0(1B) 1111(2828 公制)
型号:
1111J5000131FUT
仓库库存编号:
1111J5000131FUT-ND
规格:容差 ±1%,
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