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规格：容差 ±5%,

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美国1号仓库

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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 20V, 500MW, 5%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35

型号：1N5250B A0G
仓库库存编号：1N5250B A0G-ND

规格：容差 ±5%,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 22V, 500MW, 5%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35

型号：1N5251B A0G
仓库库存编号：1N5251B A0G-ND

规格：容差 ±5%,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 25V, 500MW, 5%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35

型号：1N5253B A0G
仓库库存编号：1N5253B A0G-ND

规格：容差 ±5%,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 27V, 500MW, 5%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35

型号：1N5254B A0G
仓库库存编号：1N5254B A0G-ND

规格：容差 ±5%,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 28V, 500MW, 5%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35

型号：1N5255B A0G
仓库库存编号：1N5255B A0G-ND

规格：容差 ±5%,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 30V, 500MW, 5%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35

型号：1N5256B A0G
仓库库存编号：1N5256B A0G-ND

规格：容差 ±5%,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 33V, 500MW, 5%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35

型号：1N5257B A0G
仓库库存编号：1N5257B A0G-ND

规格：容差 ±5%,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 36V, 500MW, 5%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35

型号：1N5258B A0G
仓库库存编号：1N5258B A0G-ND

规格：容差 ±5%,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 39V, 500MW, 5%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35

型号：1N5259B A0G
仓库库存编号：1N5259B A0G-ND

规格：容差 ±5%,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 43V, 500MW, 5%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35

型号：1N5260B A0G
仓库库存编号：1N5260B A0G-ND

规格：容差 ±5%,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 47V, 500MW, 5%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35

型号：1N5261B A0G
仓库库存编号：1N5261B A0G-ND

规格：容差 ±5%,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 51V, 500MW, 5%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35

型号：1N5262B A0G
仓库库存编号：1N5262B A0G-ND

规格：容差 ±5%,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 56V, 500MW, 5%, DO
详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35

型号：1N5263B A0G
仓库库存编号：1N5263B A0G-ND

规格：容差 ±5%,
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KEMET
CAP CER 100PF 10V U2J 0402
详细描述：100pF ±5% 10V 陶瓷电容器 U2J 0402（1005 公制）

型号：C0402C101J8JAC7867
仓库库存编号：C0402C101J8JAC7867-ND
别名：C0402C101J8JACTU

规格：容差 ±5%,
无铅
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KEMET
CAP CER 1000PF 10V U2J 0402
详细描述：1000pF ±5% 10V 陶瓷电容器 U2J 0402（1005 公制）

型号：C0402C102J8JAC7867
仓库库存编号：C0402C102J8JAC7867-ND
别名：C0402C102J8JACTU

规格：容差 ±5%,
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KEMET
CAP CER 220PF 10V U2J 0402
详细描述：220pF ±5% 10V 陶瓷电容器 U2J 0402（1005 公制）

型号：C0402C221J8JAC7867
仓库库存编号：C0402C221J8JAC7867-ND
别名：C0402C221J8JACTU

规格：容差 ±5%,
无铅
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KEMET
CAP CER 470PF 10V U2J 0402
详细描述：470pF ±5% 10V 陶瓷电容器 U2J 0402（1005 公制）

型号：C0402C471J8JAC7867
仓库库存编号：C0402C471J8JAC7867-ND
别名：C0402C471J8JACTU

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Bourns Inc.
RES SMD 1 OHM 5% 1/2W 2010
详细描述：±5% 0.5W，1/2W 厚膜芯片电阻 2010（5025 公制）厚膜

型号：CR2010-J/-1R0ELF
仓库库存编号：CR2010-J/-1R0ELF-ND

规格：容差 ±5%,
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Bourns Inc.
RES SMD 1.2 OHM 5% 1/2W 2010
详细描述：±5% 0.5W，1/2W 厚膜芯片电阻 2010（5025 公制）厚膜

型号：CR2010-J/-1R2ELF
仓库库存编号：CR2010-J/-1R2ELF-ND

规格：容差 ±5%,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 1.3 OHM 5% 1/2W 2010
详细描述：±5% 0.5W，1/2W 厚膜芯片电阻 2010（5025 公制）厚膜

型号：CR2010-J/-1R3ELF
仓库库存编号：CR2010-J/-1R3ELF-ND

规格：容差 ±5%,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 2.2 OHM 5% 1/2W 2010
详细描述：±5% 0.5W，1/2W 厚膜芯片电阻 2010（5025 公制）厚膜

型号：CR2010-J/-2R2ELF
仓库库存编号：CR2010-J/-2R2ELF-ND

规格：容差 ±5%,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 2.4 OHM 5% 1/2W 2010
详细描述：±5% 0.5W，1/2W 厚膜芯片电阻 2010（5025 公制）厚膜

型号：CR2010-J/-2R4ELF
仓库库存编号：CR2010-J/-2R4ELF-ND

规格：容差 ±5%,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 3.3 OHM 5% 1/2W 2010
详细描述：±5% 0.5W，1/2W 厚膜芯片电阻 2010（5025 公制）厚膜

型号：CR2010-J/-3R3ELF
仓库库存编号：CR2010-J/-3R3ELF-ND

规格：容差 ±5%,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 5.6 OHM 5% 1/2W 2010
详细描述：±5% 0.5W，1/2W 厚膜芯片电阻 2010（5025 公制）厚膜

型号：CR2010-J/-5R6ELF
仓库库存编号：CR2010-J/-5R6ELF-ND

规格：容差 ±5%,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 1K OHM 5% 1/2W 2010
详细描述：±5% 0.5W，1/2W 厚膜芯片电阻 2010（5025 公制）厚膜

型号：CR2010-JW-102ELF
仓库库存编号：CR2010-JW-102ELF-ND

规格：容差 ±5%,
无铅
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