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Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
CAP CER 1UF 6.3V X5R 01005
详细描述：1μF ±20% 6.3V 陶瓷电容器 X5R 01005（0402 公制）
型号：
CL02A105MQ4NQOC
仓库库存编号：
1276-6837-1-ND
别名：1276-6837-1
规格：容差 ±20%,
无铅
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Bourns Inc.
FIXED IND 27UH 15A .010OHM TH
详细描述：27μH 无屏蔽 绕线 电感器 15A 10 毫欧最大 径向，水平圆柱
型号：
5523-RC
仓库库存编号：
5523-RC-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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Ametherm
ICL 2.5 OHM 20% 15A 22MM
详细描述：Inrush Current Limiter 2.5 Ohm ±20% 15A 0.866" (22mm)
型号：
SL22 2R515-AT
仓库库存编号：
570-1341-ND
别名：570-1341
规格：容差 ±20%,
无铅
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Ametherm
ICL 5 OHM 20% 12A 22MM
详细描述：Inrush Current Limiter 5 Ohm ±20% 12A 0.866" (22mm)
型号：
SL22 5R012-AT
仓库库存编号：
570-1348-ND
别名：570-1348
规格：容差 ±20%,
无铅
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Vishay Sprague
CAP ALUM POLY 6.8UF 20% 25V SMD
详细描述：6.8μF 25V Aluminum Polymer Capacitor Radial, Can - SMD 80 mOhm 2000 Hrs @ 105°C
型号：
94SVP685X0025C6
仓库库存编号：
94SVP685X0025C6-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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Vishay Sprague
CAP ALUM POLY 10UF 20% 25V SMD
详细描述：10μF 25V Aluminum Polymer Capacitor Radial, Can - SMD 60 mOhm 2000 Hrs @ 105°C
型号：
94SVP106X0025E7
仓库库存编号：
94SVP106X0025E7-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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Rohm Semiconductor
CAP TANT 10UF 20% 6.3V 1206
详细描述：10μF 模制 钽电容器 6.3V 1206（3216 公制）
型号：
TCFGA0J106M8R
仓库库存编号：
TCFGA0J106M8R-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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Rohm Semiconductor
CAP TANT 15UF 20% 6.3V 1206
详细描述：15μF 模制 钽电容器 6.3V 1206（3216 公制）
型号：
TCFGA0J156M8R
仓库库存编号：
TCFGA0J156M8R-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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Rohm Semiconductor
CAP TANT 47UF 20% 6.3V 1206
详细描述：47μF 模制 钽电容器 6.3V 1206（3216 公制）
型号：
TCFGA0J476M8R
仓库库存编号：
TCFGA0J476M8R-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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Rohm Semiconductor
CAP TANT 6.8UF 20% 6.3V 1206
详细描述：6.8μF 模制 钽电容器 6.3V 1206（3216 公制）
型号：
TCFGA0J685M8R
仓库库存编号：
TCFGA0J685M8R-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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Rohm Semiconductor
CAP TANT 4.7UF 20% 10V 1206
详细描述：4.7μF 模制 钽电容器 10V 1206（3216 公制）
型号：
TCFGA1A475M8R
仓库库存编号：
TCFGA1A475M8R-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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Rohm Semiconductor
CAP TANT 2.2UF 20% 16V 1206
详细描述：2.2μF 模制 钽电容器 16V 1206（3216 公制）
型号：
TCFGA1C225M8R
仓库库存编号：
TCFGA1C225M8R-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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Rohm Semiconductor
CAP TANT 6.8UF 20% 16V 1206
详细描述：6.8μF 模制 钽电容器 16V 1206（3216 公制）
型号：
TCFGA1C685M8R
仓库库存编号：
TCFGA1C685M8R-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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Rohm Semiconductor
CAP TANT 4.7UF 20% 25V 1206
详细描述：4.7μF 模制 钽电容器 25V 1206（3216 公制）
型号：
TCFGA1E475M8R
仓库库存编号：
TCFGA1E475M8R-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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Rohm Semiconductor
CAP TANT 3.3UF 20% 4V 2012
详细描述：3.3μF 模制 钽电容器 4V 0805（2012 公制）
型号：
TCFGP0G335M8R
仓库库存编号：
TCFGP0G335M8R-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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Rohm Semiconductor
CAP TANT 4.7UF 20% 6.3V 2012
详细描述：4.7μF 模制 钽电容器 6.3V 0805（2012 公制）
型号：
TCFGP0J475M8R
仓库库存编号：
TCFGP0J475M8R-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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Rohm Semiconductor
CAP TANT 6.8UF 20% 6.3V 2012
详细描述：6.8μF 模制 钽电容器 6.3V 0805（2012 公制）
型号：
TCFGP0J685M8R
仓库库存编号：
TCFGP0J685M8R-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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Rohm Semiconductor
CAP TANT 1UF 20% 10V 2012
详细描述：1μF 模制 钽电容器 10V 0805（2012 公制）
型号：
TCFGP1A105M8R
仓库库存编号：
TCFGP1A105M8R-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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Rohm Semiconductor
CAP TANT 3.3UF 20% 16V 2012
详细描述：3.3μF 模制 钽电容器 16V 0805（2012 公制）
型号：
TCFGP1C335M8R
仓库库存编号：
TCFGP1C335M8R-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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Rohm Semiconductor
CAP TANT 1UF 20% 25V 2012
详细描述：1μF 模制 钽电容器 25V 0805（2012 公制）
型号：
TCFGP1E105M8R
仓库库存编号：
TCFGP1E105M8R-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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Rohm Semiconductor
CAP TANT 47UF 20% 16V 2312
详细描述：47μF 模制 钽电容器 16V 2312（6032 公制）
型号：
TCFGC1C476MCR
仓库库存编号：
TCFGC1C476MCR-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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Rohm Semiconductor
CAP TANT 220UF 20% 6.3V 2917
详细描述：220μF 模制 钽电容器 6.3V 2917（7343 公制）
型号：
TCFGD0J227MCR
仓库库存编号：
TCFGD0J227MCR-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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Rohm Semiconductor
CAP TANT 100UF 20% 16V 2917
详细描述：100μF 模制 钽电容器 16V 2917（7343 公制）
型号：
TCFGD1C107MCR
仓库库存编号：
TCFGD1C107MCR-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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Rohm Semiconductor
CAP TANT 47UF 20% 25V 2917
详细描述：47μF 模制 钽电容器 25V 2917（7343 公制）
型号：
TCFGD1E476MCR
仓库库存编号：
TCFGD1E476MCR-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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US Sensor
ICL 10 OHM 20% 1A 10.92MM
详细描述：Inrush Current Limiter 10 Ohm ±20% 1A 0.430" (10.92mm)
型号：
ST10001B
仓库库存编号：
ST10001B-ND
规格：容差 ±20%,
无铅
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