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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
TRANSISTOR RF NPN 6V SC-75
详细描述:RF Transistor NPN 9V 35mA 14GHz 210mW Surface Mount PG-SC-75
型号:
BFR 360T E6327
仓库库存编号:
BFR 360T E6327-ND
别名:BFR360TE6327XT
SP000012983
规格:增益 13.5dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 2.68GHz 13.5dB 130W H-30260-2
型号:
PTFA261301E V1
仓库库存编号:
PTFA261301E V1-ND
别名:FA261301EV1XP
PTFA261301EV1X
SP000086852
规格:增益 13.5dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.81GHZ NI-880
详细描述:RF Mosfet LDMOS 26V 750mA 1.81GHz 13.5dB 90W NI-880
型号:
MRF18090AR3
仓库库存编号:
MRF18090AR3-ND
规格:增益 13.5dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.93GHZ NI-880
详细描述:RF Mosfet LDMOS 26V 1.3A 1.93GHz 13.5dB 24W NI-880
型号:
MRF19125R3
仓库库存编号:
MRF19125R3-ND
规格:增益 13.5dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-360
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 2.17GHz 13.5dB 10W NI-360
型号:
MRF21010LR1
仓库库存编号:
MRF21010LR1-ND
规格:增益 13.5dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.93GHZ NI-880
详细描述:RF Mosfet LDMOS 26V 1.3A 1.93GHz 13.5dB 24W NI-880
型号:
MRF19125R5
仓库库存编号:
MRF19125R5-ND
规格:增益 13.5dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-360
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 13.5dB 10W NI-360
型号:
MRF21010LR5
仓库库存编号:
MRF21010LR5-ND
规格:增益 13.5dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 2.17GHz 13.5dB 10W NI-360 Short Lead
型号:
MRF21010LSR5
仓库库存编号:
MRF21010LSR5-ND
规格:增益 13.5dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 2.17GHz 13.5dB 10W NI-360 Short Lead
型号:
MRF21010LSR1
仓库库存编号:
MRF21010LSR1-ND
规格:增益 13.5dB,
无铅
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Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 2.68GHz 13.5dB 130W H-31260-2
型号:
PTFA261301F V1
仓库库存编号:
PTFA261301F V1-ND
别名:SP000102795
规格:增益 13.5dB,
无铅
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NXP USA Inc.
IC AMP LNA TRI-BAND P2.1 16-QFN
详细描述:RF Amplifier IC General Purpose 800MHz ~ 2.4GHz 16-QFN (3x3)
型号:
MC13853FCR2
仓库库存编号:
MC13853FCR2-ND
规格:增益 13.5dB,
无铅
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