规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE36AE3
仓库库存编号：
1086-12002-ND
别名：1086-12002
1086-12002-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE40A
仓库库存编号：
1086-12003-ND
别名：1086-12003
1086-12003-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE40AE3
仓库库存编号：
1086-12004-ND
别名：1086-12004
1086-12004-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 43VWM 69.4VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE43A
仓库库存编号：
1086-12005-ND
别名：1086-12005
1086-12005-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 43VWM 69.4VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE43AE3
仓库库存编号：
1086-12006-ND
别名：1086-12006
1086-12006-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE45A
仓库库存编号：
1086-12007-ND
别名：1086-12007
1086-12007-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE45AE3
仓库库存编号：
1086-12008-ND
别名：1086-12008
1086-12008-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE48A
仓库库存编号：
1086-12009-ND
别名：1086-12009
1086-12009-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE48AE3
仓库库存编号：
1086-12010-ND
别名：1086-12010
1086-12010-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE51A
仓库库存编号：
1086-12011-ND
别名：1086-12011
1086-12011-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE51AE3
仓库库存编号：
1086-12012-ND
别名：1086-12012
1086-12012-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE54A
仓库库存编号：
1086-12013-ND
别名：1086-12013
1086-12013-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE54AE3
仓库库存编号：
1086-12014-ND
别名：1086-12014
1086-12014-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE58A
仓库库存编号：
1086-12015-ND
别名：1086-12015
1086-12015-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE58AE3
仓库库存编号：
1086-12016-ND
别名：1086-12016
1086-12016-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE6.5A
仓库库存编号：
1086-12017-ND
别名：1086-12017
1086-12017-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE6.5AE3
仓库库存编号：
1086-12018-ND
别名：1086-12018
1086-12018-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 7VWM 12VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE7.0A
仓库库存编号：
1086-12023-ND
别名：1086-12023
1086-12023-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 7VWM 12VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE7.0AE3
仓库库存编号：
1086-12024-ND
别名：1086-12024
1086-12024-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE7.5A
仓库库存编号：
1086-12025-ND
别名：1086-12025
1086-12025-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE7.5AE3
仓库库存编号：
1086-12026-ND
别名：1086-12026
1086-12026-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE8.0A
仓库库存编号：
1086-12031-ND
别名：1086-12031
1086-12031-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE8.0AE3
仓库库存编号：
1086-12032-ND
别名：1086-12032
1086-12032-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE8.5A
仓库库存编号：
1086-12033-ND
别名：1086-12033
1086-12033-MIL
规格：不同频率时的电容 100pF @ 1MHz,
含铅
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TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO215AB
型号：
MXLSMCGLCE8.5AE3
仓库库存编号：
1086-12034-ND
别名：1086-12034
1086-12034-MIL
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含铅
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