规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 25NS 28TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 25ns 28-TSOP
型号：
IDT71256SA25PZI8
仓库库存编号：
IDT71256SA25PZI8-ND
别名：71256SA25PZI8
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
含铅
搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 25NS 28DIP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 25ns 28-PDIP
型号：
IDT71256SA25TP
仓库库存编号：
IDT71256SA25TP-ND
别名：71256SA25TP
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
含铅
搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 25NS 28DIP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 25ns 28-PDIP
型号：
IDT71256SA25TPI
仓库库存编号：
IDT71256SA25TPI-ND
别名：71256SA25TPI
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
含铅
搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 25ns 28-SOJ
型号：
IDT71256SA25Y
仓库库存编号：
800-2122-ND
别名：71256SA25Y
IDT71256SA25Y-ND
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 25ns 28-SOJ
型号：
IDT71256SA25Y8
仓库库存编号：
IDT71256SA25Y8-ND
别名：71256SA25Y8
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
含铅
搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 25ns 28-SOJ
型号：
IDT71256SA25YI
仓库库存编号：
IDT71256SA25YI-ND
别名：71256SA25YI
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
含铅
搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 25ns 28-SOJ
型号：
IDT71256SA25YI8
仓库库存编号：
IDT71256SA25YI8-ND
别名：71256SA25YI8
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 25ns 28-SOJ
型号：
IDT71256TTSA25Y
仓库库存编号：
IDT71256TTSA25Y-ND
别名：71256TTSA25Y
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 25ns 28-SOJ
型号：
IDT71256TTSA25Y8
仓库库存编号：
IDT71256TTSA25Y8-ND
别名：71256TTSA25Y8
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 32KBIT 25NS 48DIP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 32Kb （4K x 8） 并联 25ns 48-PDIP
型号：
7134LA25P
仓库库存编号：
7134LA25P-ND
别名：IDT7134LA25P
IDT7134LA25P-ND
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 32KBIT 25NS 48DIP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 32Kb （4K x 8） 并联 25ns 48-PDIP
型号：
7134SA25P
仓库库存编号：
7134SA25P-ND
别名：IDT7134SA25P
IDT7134SA25P-ND
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 64KBIT 25NS 28SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 25ns 28-SOJ
型号：
IDT7164L25YI
仓库库存编号：
IDT7164L25YI-ND
别名：7164L25YI
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 64KBIT 25NS 28SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 25ns 28-SOJ
型号：
IDT7164L25YI8
仓库库存编号：
IDT7164L25YI8-ND
别名：7164L25YI8
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
含铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 25ns 63-VFBGA（9.5x12）
型号：
NAND01GW3B2CZA6E
仓库库存编号：
NAND01GW3B2CZA6E-ND
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 48TSOP
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 25ns 48-TSOP
型号：
NAND04GR3B2DN6E
仓库库存编号：
NAND04GR3B2DN6E-ND
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 48TSOP
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 25ns 48-TSOP
型号：
NAND04GW3C2BN6E
仓库库存编号：
NAND04GW3C2BN6E-ND
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 8GBIT 48TSOP
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 8Gb （1G x 8） 并联 25ns 48-TSOP
型号：
NAND08GW3C2BN6E
仓库库存编号：
NAND08GW3C2BN6E-ND
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 16GBIT 114LFBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 16Gb （2G x 8） 并联 25ns 114-LFBGA（12x16）
型号：
NAND16GW3B6DPA6F TR
仓库库存编号：
NAND16GW3B6DPA6F CT-ND
别名：NAND16GW3B6DPA6F CT
NAND16GW3B6DPA6FCT
NAND16GW3B6DPA6FCT-ND
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC NVSRAM 4MBIT 25NS 48FBGA
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 25ns 48-FBGA（6x10）
型号：
CY14B104L-BA25XC
仓库库存编号：
CY14B104L-BA25XC-ND
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC NVSRAM 4MBIT 25NS 48FBGA
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 25ns 48-FBGA（6x10）
型号：
CY14B104L-BA25XCT
仓库库存编号：
CY14B104L-BA25XCT-ND
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC NVSRAM 4MBIT 25NS 48FBGA
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 25ns 48-FBGA（6x10）
型号：
CY14B104L-BA25XI
仓库库存编号：
CY14B104L-BA25XI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
搜索
Cypress Semiconductor Corp
IC NVSRAM 4MBIT 25NS 48FBGA
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 25ns 48-FBGA（6x10）
型号：
CY14B104L-BA25XIT
仓库库存编号：
CY14B104L-BA25XIT-ND
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC NVSRAM 4MBIT 25NS 44TSOP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 25ns 44-TSOP II
型号：
CY14B104L-ZS25XC
仓库库存编号：
CY14B104L-ZS25XC-ND
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
搜索
Cypress Semiconductor Corp
IC NVSRAM 4MBIT 25NS 44TSOP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 25ns 44-TSOP II
型号：
CY14B104L-ZS25XCT
仓库库存编号：
CY14B104L-ZS25XCT-ND
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC NVSRAM 4MBIT 25NS 44TSOP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 25ns 44-TSOP II
型号：
CY14B104L-ZS25XI
仓库库存编号：
CY14B104L-ZS25XI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 25ns,
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