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ON Semiconductor
IC FLASH 2MBIT 90NS 32DIP
详细描述：FLASH 存储器 IC 2Mb （256K x 8） 并联 90ns 32-PDIP
型号：
CAT28F020LI90
仓库库存编号：
CAT28F020LI90-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
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ON Semiconductor
IC FLASH 1MBIT 90NS 32DIP
详细描述：FLASH 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 90ns 32-PDIP
型号：
CAT28F010L90
仓库库存编号：
CAT28F010L90-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC FLASH 128MBIT 90NS 56TSOP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （16M x 8，8M x 16） 并联 90ns 56-TSOP（14x20）
型号：
W29GL128CL9T
仓库库存编号：
W29GL128CL9T-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC FLASH 128MBIT 90NS 64LFBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （16M x 8，8M x 16） 并联 90ns 64-LFBGA（11x13）
型号：
W29GL128CH9B
仓库库存编号：
W29GL128CH9B-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC FLASH 128MBIT 90NS 64LFBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （16M x 8，8M x 16） 并联 90ns 64-LFBGA（11x13）
型号：
W29GL128CL9B
仓库库存编号：
W29GL128CL9B-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC FLASH 128MBIT 90NS 64LFBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （16M x 8，8M x 16） 并联 90ns 64-LFBGA（11x13）
型号：
W29GL128CH9B TR
仓库库存编号：
W29GL128CH9B TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC FLASH 128MBIT 90NS 56TSOP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （16M x 8，8M x 16） 并联 90ns 56-TSOP（14x20）
型号：
W29GL128CH9T TR
仓库库存编号：
W29GL128CH9T TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC FLASH 128MBIT 90NS 64LFBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （16M x 8，8M x 16） 并联 90ns 64-LFBGA（11x13）
型号：
W29GL128CL9B TR
仓库库存编号：
W29GL128CL9B TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC FLASH 128MBIT 90NS 56TSOP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （16M x 8，8M x 16） 并联 90ns 56-TSOP（14x20）
型号：
W29GL128CL9T TR
仓库库存编号：
W29GL128CL9T TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 128MBIT 90NS 56TSOP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （16M x 8，8M x 16） 并联 90ns 56-TSOP
型号：
M29W128GL90N6E
仓库库存编号：
M29W128GL90N6E-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 64MBIT 90NS 48TSOP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 64Mb （8M x 8，4M x 16） 并联 90ns 48-TSOP
型号：
M29W640GT90NA6E
仓库库存编号：
M29W640GT90NA6E-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 64KBIT 90NS 100FBGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 64Kb （4K x 16） 并联 90ns 100-CABGA（6x6）
型号：
70P245L90BYGI
仓库库存编号：
70P245L90BYGI-ND
别名：IDT70P245L90BYGI
IDT70P245L90BYGI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 64KBIT 90NS 100FBGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 64Kb （4K x 16） 并联 90ns 100-CABGA（6x6）
型号：
70P245L90BYGI8
仓库库存编号：
70P245L90BYGI8-ND
别名：IDT70P245L90BYGI8
IDT70P245L90BYGI8-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 64KBIT 90NS 100FBGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 64Kb （4K x 16） 并联 90ns 100-CABGA（6x6）
型号：
70P249L90BYGI
仓库库存编号：
70P249L90BYGI-ND
别名：IDT70P249L90BYGI
IDT70P249L90BYGI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 64KBIT 90NS 100FBGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 64Kb （4K x 16） 并联 90ns 100-CABGA（6x6）
型号：
70P249L90BYGI8
仓库库存编号：
70P249L90BYGI8-ND
别名：IDT70P249L90BYGI8
IDT70P249L90BYGI8-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 128KBIT 90NS 100FBGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 128Kb （8K x 16） 并联 90ns 100-CABGA（6x6）
型号：
70P255L90BYGI
仓库库存编号：
70P255L90BYGI-ND
别名：IDT70P255L90BYGI
IDT70P255L90BYGI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 128KBIT 90NS 100FBGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 128Kb （8K x 16） 并联 90ns 100-CABGA（6x6）
型号：
70P255L90BYGI8
仓库库存编号：
70P255L90BYGI8-ND
别名：IDT70P255L90BYGI8
IDT70P255L90BYGI8-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 128KBIT 90NS 100FBGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 128Kb （8K x 16） 并联 90ns 100-CABGA（6x6）
型号：
70P259L90BYGI
仓库库存编号：
70P259L90BYGI-ND
别名：IDT70P259L90BYGI
IDT70P259L90BYGI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 128KBIT 90NS 100FBGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 128Kb （8K x 16） 并联 90ns 100-CABGA（6x6）
型号：
70P259L90BYGI8
仓库库存编号：
70P259L90BYGI8-ND
别名：IDT70P259L90BYGI8
IDT70P259L90BYGI8-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 90NS 100FBGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 256Kb （16K x 16） 并联 90ns 100-CABGA（6x6）
型号：
70P265L90BYGI
仓库库存编号：
70P265L90BYGI-ND
别名：IDT70P265L90BYGI
IDT70P265L90BYGI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 90NS 100FBGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 256Kb （16K x 16） 并联 90ns 100-CABGA（6x6）
型号：
70P265L90BYGI8
仓库库存编号：
70P265L90BYGI8-ND
别名：IDT70P265L90BYGI8
IDT70P265L90BYGI8-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 90NS 100FBGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 256Kb （16K x 16） 并联 90ns 100-CABGA（6x6）
型号：
70P269L90BYGI
仓库库存编号：
70P269L90BYGI-ND
别名：IDT70P269L90BYGI
IDT70P269L90BYGI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 90NS 100FBGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 256Kb （16K x 16） 并联 90ns 100-CABGA（6x6）
型号：
70P269L90BYGI8
仓库库存编号：
70P269L90BYGI8-ND
别名：IDT70P269L90BYGI8
IDT70P269L90BYGI8-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC FLASH 128MBIT 90NS 64LFBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （16M x 8，8M x 16） 并联 90ns
型号：
W29GL128PH9B TR
仓库库存编号：
W29GL128PH9B TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC FLASH 128MBIT 90NS 56TSOP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （16M x 8，8M x 16） 并联 90ns
型号：
W29GL128PH9T TR
仓库库存编号：
W29GL128PH9T TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 90ns,
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