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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1330ABP-100
仓库库存编号：
DS1330ABP-100-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1330YP-100
仓库库存编号：
DS1330YP-100-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1330WP-100IND
仓库库存编号：
DS1330WP-100IND-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 28-EDIP
型号：
DS1230Y-100
仓库库存编号：
DS1230Y-100-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 28-EDIP
型号：
DS1230W-100
仓库库存编号：
DS1230W-100-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1245ABP-100
仓库库存编号：
DS1245ABP-100-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1345ABP-100
仓库库存编号：
DS1345ABP-100-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1345YP-100
仓库库存编号：
DS1345YP-100-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34LPM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 34-LPM
型号：
DS1330BL-100
仓库库存编号：
DS1330BL-100-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34LPM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 34-LPM
型号：
DS1330YL-100
仓库库存编号：
DS1330YL-100-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1345WP-100IND
仓库库存编号：
DS1345WP-100IND-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
型号：
DS1245AB-100
仓库库存编号：
DS1245AB-100-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
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DS1245W-100
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34LPM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 34-LPM
型号：
DS1245BL-100
仓库库存编号：
DS1245BL-100-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
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IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34LPM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 34-LPM
型号：
DS1245YL-100
仓库库存编号：
DS1245YL-100-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
含铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34LPM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 34-LPM
型号：
DS1345YL-100
仓库库存编号：
DS1345YL-100-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34LPM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 34-LPM
型号：
DS1345BL-100
仓库库存编号：
DS1345BL-100-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 2MBIT 100NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （256K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
型号：
DS1249Y-100
仓库库存编号：
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规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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IC NVSRAM 2MBIT 100NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （256K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
型号：
DS1249AB-100
仓库库存编号：
DS1249AB-100-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 2MBIT 100NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （256K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
型号：
DS1249W-100
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DS1258AB-100
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IC NVSRAM 2MBIT 100NS 40EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （128K x 16） 并联 100ns 40-EDIP
型号：
DS1258Y-100
仓库库存编号：
DS1258Y-100-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 2MBIT 100NS 40EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （128K x 16） 并联 100ns 40-EDIP
型号：
DS1258W-100
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1250ABP-100
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IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1250YP-100
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