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Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1330YP-100+
仓库库存编号：
DS1330YP-100+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1345WP-100+
仓库库存编号：
DS1345WP-100+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1345WP-100IND+
仓库库存编号：
DS1345WP-100IND+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
型号：
DS1245W-100+
仓库库存编号：
DS1245W-100+-ND
别名：DS1245W100
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1245WP-100IND+
仓库库存编号：
DS1245WP-100IND+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
型号：
DS1250W-100+
仓库库存编号：
DS1250W-100+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
型号：
DS1250AB-100+
仓库库存编号：
DS1250AB-100+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
型号：
DS1250AB-100IND+
仓库库存编号：
DS1250AB-100IND+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1350WP-100+
仓库库存编号：
DS1350WP-100+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 32-EDIP
型号：
DS1250Y-100IND+
仓库库存编号：
DS1250Y-100IND+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 100ns 34-PowerCap 模块
型号：
DS1250WP-100IND+
仓库库存编号：
DS1250WP-100IND+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 8MBIT 100NS 36EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 8Mb （1M x 8） 并联 100ns 36-EDIP
型号：
DS1265AB-100+
仓库库存编号：
DS1265AB-100+-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Intel
IC FLASH 32MBIT 100NS 48UBGA
详细描述：FLASH - 引导块 存储器 IC 32Mb （2M x 16） 并联 100ns 48-μBGA CSP
型号：
GT28F320B3BA100
仓库库存编号：
823191-ND
别名：823191
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 128MBIT 100NS 56TSOP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （16M x 8） 并联 100ns 56-TSOP
型号：
S29GL128P10TFI010
仓库库存编号：
S29GL128P10TFI010-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Maxim Integrated
IC NVSRAM 16KBIT 100NS 24EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 100ns 24-EDIP
型号：
DS1220AB-100+
仓库库存编号：
DS1220AB-100+-ND
别名：DS1220AB100
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Intel
IC FLASH 32MBIT 100NS 48UBGA
详细描述：FLASH - 引导块 存储器 IC 32Mb （2M x 16） 并联 100ns 48-μBGA CSP
型号：
GT28F320B3TA100
仓库库存编号：
823197-ND
别名：823197
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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Intel
IC FLASH 32MBIT 100NS 48UBGA
详细描述：FLASH - 引导块 存储器 IC 32Mb （2M x 16） 并联 100ns 48-μBGA CSP
型号：
GT28F320C3BA100SB93
仓库库存编号：
823207-ND
别名：823207
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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Intel
IC FLASH 32MBIT 100NS 48UBGA
详细描述：FLASH - 引导块 存储器 IC 32Mb （2M x 16） 并联 100ns 48-μBGA CSP
型号：
GT28F320C3TA100SB93
仓库库存编号：
823213-ND
别名：823213
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 256MBIT 100NS 64FBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8，16M x 16） 并联 100ns 64-FBGA（11x13）
型号：
PC28F256M29EWHB TR
仓库库存编号：
PC28F256M29EWHB TR-ND
别名：PC28F256M29EWHB
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 256MBIT 100NS VFBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8，16M x 16） 并联 100ns
型号：
PN28F256M29EWHA
仓库库存编号：
PN28F256M29EWHA-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 256MBIT 100NS 64FBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8，16M x 16） 并联 100ns 64-FBGA（11x13）
型号：
PC28F256M29EWHA
仓库库存编号：
PC28F256M29EWHA-ND
别名：902050
902050-ND
PC28F256M29EWH 902050
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 256MBIT 100NS 64FBGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb （32M x 8，16M x 16） 并联 100ns 64-FBGA（11x13）
型号：
PC28F256M29EWLA
仓库库存编号：
PC28F256M29EWLA-ND
别名：898962
898962-ND
PC28F256M29EWL 898962
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512MBIT 100NS 64BGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （64M x 8，32M x 16） 并联 100ns 64-FBGA（11x13）
型号：
PC28F512M29EWHE TR
仓库库存编号：
PC28F512M29EWHE TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512MBIT 100NS 64BGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （64M x 8，32M x 16） 并联 100ns 64-FBGA（11x13）
型号：
PC28F512M29EWHF
仓库库存编号：
PC28F512M29EWHF-ND
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512MBIT 100NS 64BGA
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （64M x 8，32M x 16） 并联 100ns 64-FBGA（11x13）
型号：
PC28F512M29EWHB TR
仓库库存编号：
PC28F512M29EWHB TR-ND
别名：PC28F512M29EWHB
规格：写周期时间 - 字，页 100ns,
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