规格:写周期时间 - 字,页 -,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(10490)
集成电路(IC)
(10490)
筛选品牌
Adesto Technologies(1)
AKM Semiconductor Inc.(17)
Alliance Memory, Inc.(5)
Cypress Semiconductor Corp(2537)
Everspin Technologies Inc.(25)
Fairchild/Micross Components(12)
Fujitsu Electronics America, Inc.(34)
IDT, Integrated Device Technology Inc(2611)
Intersil(3)
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc(1896)
Kionix Inc.(3)
Maxim Integrated(136)
Microchip Technology(805)
Micron Technology Inc.(1853)
NXP USA Inc.(27)
ON Semiconductor(71)
Panasonic - DTG(1)
Panasonic Electronic Components(1)
Panasonic Industrial Automation Sales(1)
Parallax Inc.(1)
Qimonda(4)
Ramtron(6)
Rohm Semiconductor(7)
SanDisk(1)
STMicroelectronics(258)
Swissbit(5)
Texas Instruments(7)
Toshiba Semiconductor and Storage(14)
Winbond Electronics(148)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Micron Technology Inc.
IC FLASH 64GBIT WAFER
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 64Gb (8G x 8) 并联
型号:
MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P
仓库库存编号:
MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 64GBIT 48TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 64Gb (8G x 8) 并联 48-TSOP I
型号:
MT29F64G08EBAAAWP-Z:A
仓库库存编号:
MT29F64G08EBAAAWP-Z:A-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 64GBIT 48TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 64Gb (8G x 8) 并联 48-TSOP I
型号:
MT29F64G08EBAAAWP-Z:A TR
仓库库存编号:
MT29F64G08EBAAAWP-Z:A TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 800MHz 13.75ns 78-FBGA(8x11.5)
型号:
MT41K128M8JP-125:G
仓库库存编号:
MT41K128M8JP-125:G-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 800MHz 13.75ns 78-FBGA(8x11.5)
型号:
MT41K128M8JP-125:G TR
仓库库存编号:
MT41K128M8JP-125:G TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH/PSRAM 96MBIT 56FBGA
详细描述:FLASH,PSRAM 存储器 IC 64Mb (4M x 16),32Mb (2M x 16) 并联 90ns 56-FBGA,CSP(7x9)
型号:
S71GL064NB0BHW0P0
仓库库存编号:
S71GL064NB0BHW0P0-ND
别名:Q8699108
T2527387
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 300MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (16M x 18) 并联 300MHz 20ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M18FM-33:B TR
仓库库存编号:
MT49H16M18FM-33:B TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (32M x 9) 并联 400MHz 20ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H32M9FM-25:B TR
仓库库存编号:
MT49H32M9FM-25:B TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 32GBIT 100LBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 32Gb (4G x 8) MMC 100-LBGA(14x18)
型号:
MTFC4GLDDQ-4M IT TR
仓库库存编号:
MTFC4GLDDQ-4M IT TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 64GBIT 100LBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 64Gb (8G x 8) MMC 100-LBGA(14x18)
型号:
MTFC8GLDDQ-4M IT TR
仓库库存编号:
MTFC8GLDDQ-4M IT TR-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 128GBIT 100LBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb (16G x 8) MMC 100-LBGA(14x18)
型号:
MTFC16GJDDQ-4M IT
仓库库存编号:
MTFC16GJDDQ-4M IT-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 256GBIT 100LBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 256Gb (32G x 8) MMC 100-LBGA(14x18)
型号:
MTFC32GJDDQ-4M IT
仓库库存编号:
MTFC32GJDDQ-4M IT-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 32GBIT 100LBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 32Gb (4G x 8) MMC 100-LBGA(14x18)
型号:
MTFC4GLDDQ-4M IT
仓库库存编号:
557-1641-ND
别名:557-1641
MTFC4GLDDQ-4M IT-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC FLASH 64GBIT 100LBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 64Gb (8G x 8) MMC 100-LBGA(14x18)
型号:
MTFC8GLDDQ-4M IT
仓库库存编号:
MTFC8GLDDQ-4M IT-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC OTP 1KBIT 1WIRE 4WLP
详细描述:EPROM - OTP 存储器 IC 1Kb (1K x 1) 1-Wire? 15μs 4-WLP(1.62x0.93)
型号:
DS2502X1+
仓库库存编号:
DS2502X1+-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC EEPROM 1.9KBIT 1WIRE 6TDFN
详细描述:EEPROM 存储器 IC 2Kb (2K x 1) 1-Wire? 2μs 6-TDFN-EP(3x3)
型号:
DS28E80Q+T
仓库库存编号:
DS28E80Q+T-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96BGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 800MHz 20ns 96-WBGA(9x13)
型号:
W632GG6KB12I
仓库库存编号:
W632GG6KB12I-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96BGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 800MHz 20ns 96-WBGA(9x13)
型号:
W632GU6KB-12
仓库库存编号:
W632GU6KB-12-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96BGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 800MHz 20ns 96-WBGA(9x13)
型号:
W632GU6KB12I
仓库库存编号:
W632GU6KB12I-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 96BGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 667MHz 20ns 96-WBGA(9x13)
型号:
W632GU6KB-15
仓库库存编号:
W632GU6KB-15-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 96BGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 667MHz 20ns 96-WBGA(9x13)
型号:
W632GU6KB15I
仓库库存编号:
W632GU6KB15I-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78BGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 800MHz 20ns 78-WBGA(10.5x8)
型号:
W632GU8KB-12
仓库库存编号:
W632GU8KB-12-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78BGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 800MHz 20ns 78-WBGA(10.5x8)
型号:
W632GU8KB12I
仓库库存编号:
W632GU8KB12I-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 78BGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 667MHz 20ns 78-WBGA(10.5x8)
型号:
W632GU8KB-15
仓库库存编号:
W632GU8KB-15-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 78BGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 667MHz 20ns 78-WBGA(10.5x8)
型号:
W632GU8KB15I
仓库库存编号:
W632GU8KB15I-ND
规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
搜索
397
398
399
400
401
402
403
404
405
406
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号