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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 4MBIT 200MHZ 100TQFP
详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 4Mb （128K x 32） 并联 200MHz 3.1ns 100-TQFP（14x20）
型号：
IS64LPS12832A-200TQLA3-TR
仓库库存编号：
IS64LPS12832A-200TQLA3-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 4MBIT 7.5NS 100TQFP
详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 4Mb （128K x 32） 并联 117MHz 7.5ns 100-LQFP（14x20）
型号：
IS64VF12832A-7.5TQLA3-TR
仓库库存编号：
IS64VF12832A-7.5TQLA3-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165CABGA
详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 9Mb （256K x 36） 并联 133MHz 4.2ns 165-CABGA（13x15）
型号：
71V67603S133BQGI
仓库库存编号：
71V67603S133BQGI-ND
别名：IDT71V67603S133BQGI
IDT71V67603S133BQGI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 9MBIT 8.5NS 165CABGA
详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 9Mb （256K x 36） 并联 87MHz 8.5ns 165-CABGA（13x15）
型号：
71V67703S85BQGI
仓库库存编号：
71V67703S85BQGI-ND
别名：IDT71V67703S85BQGI
IDT71V67703S85BQGI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100TQFP
详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 9Mb （256K x 36） 并联 166MHz 3.5ns 100-TQFP（14x20）
型号：
CY7C1360C-166AXCT
仓库库存编号：
CY7C1360C-166AXCT-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 9MBIT 200MHZ 165FBGA
详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 9Mb （256K x 36） 并联 200MHz 3.2ns 165-FBGA（13x15）
型号：
CY7C1354D-200BZC
仓库库存编号：
CY7C1354D-200BZC-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 133MHz 6ns 90-TFBGA（8x13）
型号：
IS42SM32160E-75BLI-TR
仓库库存编号：
IS42SM32160E-75BLI-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 9MBIT 133MHZ 100TQFP
详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 9Mb （512K x 18） 并联 133MHz 4.2ns 100-TQFP（14x14）
型号：
71V67803S133PFG
仓库库存编号：
71V67803S133PFG-ND
别名：IDT71V67803S133PFG
IDT71V67803S133PFG-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 32GBIT 153TFBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 32Gb （4G x 8） MMC
型号：
MTFC4GLGDM-AIT Z TR
仓库库存编号：
MTFC4GLGDM-AIT Z TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 32GBIT 100LBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 32Gb （4G x 8） MMC
型号：
MTFC4GLGDQ-AIT Z TR
仓库库存编号：
MTFC4GLGDQ-AIT Z TR-ND
别名：MTFC4GLGDQ-AIT Z
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 32GBIT 153TFBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 32Gb （4G x 8） MMC
型号：
MTFC4GLGDM-AIT Z
仓库库存编号：
MTFC4GLGDM-AIT Z-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FRAM 2MBIT 40MHZ 8TDFN
详细描述：FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 2Mb （256K x 8） SPI 40MHz 8-TDFN（5x6）
型号：
FM25V20A-DGQTR
仓库库存编号：
FM25V20A-DGQTR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH/LPDRAM 8GBIT 168-WFBGA
详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 4Gb （256M x 16）（NAND），4Gb （128M x 32）（LPDRAM） 并联 208MHz 168-WFBGA（12x12）
型号：
MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT
仓库库存编号：
MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH/LPDRAM 8GBIT 168-WFBGA
详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 4Gb （256M x 16）（NAND），4Gb （128M x 32）（LPDRAM） 并联 208MHz 168-WFBGA（12x12）
型号：
MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT TR
仓库库存编号：
MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH/LPDRAM 12GBIT 168VFBGA
详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 8Gb （512M x 16）（NAND），4Gb （128M x 32）（LPDRAM） 并联 208MHz 168-VFBGA（12x12）
型号：
MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT TR
仓库库存编号：
MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH/LPDRAM 12GBIT 168VFBGA
详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 8Gb （512M x 16）（NAND），4Gb （128M x 32）（LPDRAM） 并联 208MHz 168-VFBGA（12x12）
型号：
MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT
仓库库存编号：
MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 512MBIT 143MHZ 54TSOP
详细描述：SDRAM 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 143MHz 5.4ns 54-TSOP II
型号：
IS42S16320F-7TL-TR
仓库库存编号：
IS42S16320F-7TL-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 8GBIT 533MHZ 216FBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 8Gb （128M x 64） 并联 533MHz 216-FBGA（12x12）
型号：
EDB8164B4PT-1D-F-D
仓库库存编号：
EDB8164B4PT-1D-F-D-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 8GBIT 533MHZ 168FBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 8Gb （256M x 32） 并联 533MHz 168-FBGA（12x12）
型号：
EDB8132B4PM-1D-F-R TR
仓库库存编号：
EDB8132B4PM-1D-F-R TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 4.5MBIT 7.5NS 165BGA
详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 4.5Mb （128K x 36） 并联 117MHz 7.5ns 165-TFBGA（13x15）
型号：
IS64LF12836A-7.5B3LA3-TR
仓库库存编号：
IS64LF12836A-7.5B3LA3-TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 133MHz 6ns 90-TFBGA（8x13）
型号：
IS42VM32160E-75BLI
仓库库存编号：
IS42VM32160E-75BLI-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP
详细描述：SRAM - 同步 ZBT 存储器 IC 9Mb （256K x 36） 并联 150MHz 3.8ns 100-TQFP（14x14）
型号：
71V65603S150PFG8
仓库库存编号：
71V65603S150PFG8-ND
别名：IDT71V65603S150PFG8
IDT71V65603S150PFG8-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP
详细描述：SRAM - 同步 ZBT 存储器 IC 9Mb （512K x 18） 并联 150MHz 3.8ns 100-TQFP（14x14）
型号：
71V65803S150PFG8
仓库库存编号：
71V65803S150PFG8-ND
别名：IDT71V65803S150PFG8
IDT71V65803S150PFG8-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 4GBIT 1067MHZ 96BGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 4Gb （256M x 16） 并联 1067MHz 20ns 96-FBGA（8x14）
型号：
MT41K256M16TW-093 IT:P TR
仓库库存编号：
MT41K256M16TW-093 IT:P TR-ND
规格：写周期时间 - 字，页 -,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 512MBIT 143MHZ 54BGA
详细描述：SDRAM 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 143MHz 5.4ns 54-TWBGA（13x8）
型号：
IS42S16320F-7BL-TR
仓库库存编号：
IS42S16320F-7BL-TR-ND
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