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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 150ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4010YMA-150N
  仓库库存编号：296-32843-5-ND
  别名：296-32843-5
  BQ4010YMA-150N-ND
  BQ4010YMA150N
  
  规格：存储器类型 非易失,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 200ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4010YMA-200
  仓库库存编号：BQ4010YMA-200-ND
  
  规格：存储器类型 非易失,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 70ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4010YMA-70N
  仓库库存编号：BQ4010YMA-70N-ND
  
  规格：存储器类型 非易失,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 85ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4010YMA-85
  仓库库存编号：BQ4010YMA-85-ND
  
  规格：存储器类型 非易失,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 85ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4010YMA-85N
  仓库库存编号：BQ4010YMA-85N-ND
  
  规格：存储器类型 非易失,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 150ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4011MA-150
  仓库库存编号：BQ4011MA-150-ND
  
  规格：存储器类型 非易失,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 200ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4011MA-200
  仓库库存编号：BQ4011MA-200-ND
  
  规格：存储器类型 非易失,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 150ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4011YMA-150
  仓库库存编号：BQ4011YMA-150-ND
  
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 150ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4011YMA-150N
  仓库库存编号：BQ4011YMA-150N-ND
  
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 200ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4011YMA-200
  仓库库存编号：BQ4011YMA-200-ND
  
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 256KBIT 70NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 70ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4011YMA-70N
  仓库库存编号：BQ4011YMA-70N-ND
  
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 120ns 32-DIP 模块（18.42x42.8）
  
  型号：BQ4013MA-120
  仓库库存编号：BQ4013MA-120-ND
  
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 1MBIT 85NS 32DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 85ns 32-DIP 模块（18.42x42.8）
  
  型号：BQ4013MA-85
  仓库库存编号：BQ4013MA-85-ND
  
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 120ns 32-DIP 模块（18.42x42.8）
  
  型号：BQ4013YMA-120
  仓库库存编号：296-32844-5-ND
  别名：296-32844-5
  BQ4013YMA-120-ND
  BQ4013YMA120
  
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 1MBIT 85NS 32DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 85ns 32-DIP 模块（18.42x42.8）
  
  型号：BQ4013YMA-85N
  仓库库存编号：BQ4013YMA-85N-ND
  
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （256K x 8） 并联 120ns 32-DIP 模块（18.42x52.96）
  
  型号：BQ4014MB-120
  仓库库存编号：BQ4014MB-120-ND
  
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （256K x 8） 并联 120ns 32-DIP 模块（18.42x52.96）
  
  型号：BQ4014YMB-120
  仓库库存编号：BQ4014YMB-120-ND
  
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 4MBIT 85NS 32DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 85ns 32-DIP 模块（18.42x42.8）
  
  型号：BQ4015MA-85
  仓库库存编号：BQ4015MA-85-ND
  
  规格：存储器类型 非易失,
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• Texas Instruments
  IC SRAM 16MBIT 70NS 36DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Mb （2M x 8） 并联 70ns 36-DIP 模块（18.42x52.96）
  
  型号：BQ4017YMC-70
  仓库库存编号：BQ4017YMC-70-ND
  
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• Maxim Integrated
  IC DIG POT 10BIT 16TQFN
  详细描述：Digital Potentiometer 50k Ohm 2 Circuit 1024 Taps SPI, Up/Down (U/D, INC, CS) Interface 16-TQFN (5x5)
  
  型号：MAX5499ETE+T
  仓库库存编号：MAX5499ETE+T-ND
  
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• ON Semiconductor
  IC POT DIGITL 10K 100TAP 8DIP
  详细描述：Digital Potentiometer 10k Ohm 1 Circuit 100 Taps Up/Down (U/D, INC, CS) Interface 8-PDIP
  
  型号：CAT5113LI-10-G
  仓库库存编号：CAT5113LI-10-G-ND
  别名：CAT5113LI10
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 48TSOP
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 48-TSOP I
  
  型号：MT29F2G08AADWP:D TR
  仓库库存编号：557-1354-1-ND
  别名：557-1354-1
  MT29F2G08AADWPDTR
  
  规格：存储器类型 非易失,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 48TSOP
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 48-TSOP I
  
  型号：MT29F2G08AADWP-ET:D TR
  仓库库存编号：557-1355-1-ND
  别名：557-1355-1
  MT29F2G08AADWPETDTR
  
  规格：存储器类型 非易失,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 63-VFBGA
  
  型号：MT29F2G08ABDHC:D TR
  仓库库存编号：557-1356-1-ND
  别名：557-1356-1
  MT29F2G08ABDHCDTR
  
  规格：存储器类型 非易失,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 63-VFBGA
  
  型号：MT29F2G08ABDHC-ET:D TR
  仓库库存编号：557-1357-1-ND
  别名：557-1357-1
  MT29F2G08ABDHCETDTR
  
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