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Taiyo Yuden
CAP CER 0.033UF 100V X7R 0805
详细描述:0.033μF ±20% 100V 陶瓷电容器 X7R 0805(2012 公制)
型号:
HMK212B7333MG-T
仓库库存编号:
HMK212B7333MG-T-ND
别名:CG HMK212 B7333MG-T
HMK212B7333MGT
规格:特性 高电压,
无铅
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Vishay Dale
RES SMD 301K OHM 1% 1/4W 1206
详细描述:±1% 0.25W,1/4W 厚膜 芯片电阻 1206(3216 公制) 高电压 厚膜
型号:
RCV1206301KFKEA
仓库库存编号:
BC2831CT-ND
别名:BC2831CT
规格:特性 高电压,
无铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 7.5M OHM 1% 1/4W 1206
详细描述:±1% 0.25W,1/4W 厚膜 芯片电阻 1206(3216 公制) 高电压 厚膜
型号:
RCV12067M50FKEA
仓库库存编号:
BC2838CT-ND
别名:BC2838CT
规格:特性 高电压,
无铅
搜索
Yageo
CAP CER 560PF 1KV X7R 1206
详细描述:560pF ±10% 1000V(1kV) 陶瓷电容器 X7R 1206(3216 公制)
型号:
CC1206KKX7RCBB561
仓库库存编号:
CC1206KKX7RCBB561-ND
别名:12062R561KEBB0D
225000115619
规格:特性 高电压,
无铅
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Yageo
CAP CER 1000PF 2KV X7R 1206
详细描述:1000pF ±20% 2000V(2kV) 陶瓷电容器 X7R 1206(3216 公制)
型号:
CC1206MKX7RDBB102
仓库库存编号:
CC1206MKX7RDBB102-ND
规格:特性 高电压,
无铅
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Taiyo Yuden
CAP CER 10000PF 250V X5R 0805
详细描述:10000pF ±20% 250V 陶瓷电容器 X5R 0805(2012 公制)
型号:
QMK212BJ103MG-T
仓库库存编号:
QMK212BJ103MG-T-ND
别名:CG QMK212 BJ103MG-T
QMK212BJ103MGT
规格:特性 高电压,
无铅
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Taiyo Yuden
CAP CER 10000PF 250V X7R 0805
详细描述:10000pF ±20% 250V 陶瓷电容器 X7R 0805(2012 公制)
型号:
QMK212B7103MG-T
仓库库存编号:
QMK212B7103MG-T-ND
别名:CG QMK212 B7103MG-T
QMK212B7103MGT
规格:特性 高电压,
无铅
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Yageo
CAP CER 39PF 1KV NPO 1206
详细描述:39pF ±5% 1000V(1kV) 陶瓷电容器 C0G,NP0 1206(3216 公制)
型号:
CC1206JKNPOCBN390
仓库库存编号:
CC1206JKNPOCBN390-ND
规格:特性 高电压,
无铅
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Taiyo Yuden
CAP CER 0.015UF 250V X5R 0805
详细描述:0.015μF ±20% 250V 陶瓷电容器 X5R 0805(2012 公制)
型号:
QMK212BJ153MG-T
仓库库存编号:
QMK212BJ153MG-T-ND
别名:CG QMK212 BJ153MG-T
QMK212BJ153MGT
规格:特性 高电压,
无铅
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Taiyo Yuden
CAP CER 0.1UF 100V X7R 0805
详细描述:0.1μF ±20% 100V 陶瓷电容器 X7R 0805(2012 公制)
型号:
HMK212B7104MG-T
仓库库存编号:
HMK212B7104MG-T-ND
别名:CG HMK212 B7104MG-T
HMK212B7104MGT
规格:特性 高电压,
无铅
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Taiyo Yuden
CAP CER 0.1UF 100V X5R 0805
详细描述:0.1μF ±10% 100V 陶瓷电容器 X5R 0805(2012 公制)
型号:
HMK212BJ104KG-T
仓库库存编号:
HMK212BJ104KG-T-ND
别名:CG HMK212 BJ104KG-T
HMK212BJ104KGT
规格:特性 高电压,
无铅
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Taiyo Yuden
CAP CER 0.1UF 100V X5R 0805
详细描述:0.1μF ±20% 100V 陶瓷电容器 X5R 0805(2012 公制)
型号:
HMK212BJ104MG-T
仓库库存编号:
HMK212BJ104MG-T-ND
别名:CG HMK212 BJ104MG-T
CGHMK212BJ104MG-T
HMK212BJ104MGT
规格:特性 高电压,
无铅
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Taiyo Yuden
CAP CER 4700PF 250V X7R 0805
详细描述:4700pF ±10% 250V 陶瓷电容器 X7R 0805(2012 公制)
型号:
QMK212B7472KG-T
仓库库存编号:
587-1270-2-ND
别名:587-1270-2
CG QMK212 B7472KG-T
规格:特性 高电压,
无铅
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Taiyo Yuden
CAP CER 4700PF 250V X7R 0805
详细描述:4700pF ±20% 250V 陶瓷电容器 X7R 0805(2012 公制)
型号:
QMK212B7472MG-T
仓库库存编号:
QMK212B7472MG-T-ND
别名:CG QMK212 B7472MG-T
QMK212B7472MGT
规格:特性 高电压,
无铅
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Taiyo Yuden
CAP CER 6800PF 250V X7R 0805
详细描述:6800pF ±10% 250V 陶瓷电容器 X7R 0805(2012 公制)
型号:
QMK212B7682KG-T
仓库库存编号:
QMK212B7682KG-T-ND
别名:CG QMK212 B7682KG-T
QMK212B7682KGT
规格:特性 高电压,
无铅
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Taiyo Yuden
CAP CER 6800PF 250V X7R 0805
详细描述:6800pF ±20% 250V 陶瓷电容器 X7R 0805(2012 公制)
型号:
QMK212B7682MG-T
仓库库存编号:
QMK212B7682MD-T-ND
别名:CG QMK212 B7682MG-T
QMK212B7682MGT
规格:特性 高电压,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 100K OHM 5% 1/8W 0805
详细描述:±5% 0.125W,1/8W 厚膜 芯片电阻 0805(2012 公制) 高电压 厚膜
型号:
CHV0805-JW-104ELF
仓库库存编号:
CHV0805-JW-104ELF-ND
规格:特性 高电压,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 1M OHM 5% 1/8W 0805
详细描述:±5% 0.125W,1/8W 厚膜 芯片电阻 0805(2012 公制) 高电压 厚膜
型号:
CHV0805-JW-105ELF
仓库库存编号:
CHV0805-JW-105ELF-ND
规格:特性 高电压,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 10M OHM 5% 1/8W 0805
详细描述:±5% 0.125W,1/8W 厚膜 芯片电阻 0805(2012 公制) 高电压 厚膜
型号:
CHV0805-JW-106ELF
仓库库存编号:
CHV0805-JW-106ELF-ND
规格:特性 高电压,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 18M OHM 5% 1/8W 0805
详细描述:±5% 0.125W,1/8W 厚膜 芯片电阻 0805(2012 公制) 高电压 厚膜
型号:
CHV0805-JW-186ELF
仓库库存编号:
CHV0805-JW-186ELF-ND
规格:特性 高电压,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 470K OHM 5% 1/8W 0805
详细描述:±5% 0.125W,1/8W 厚膜 芯片电阻 0805(2012 公制) 高电压 厚膜
型号:
CHV0805-JW-474ELF
仓库库存编号:
CHV0805-JW-474ELF-ND
规格:特性 高电压,
无铅
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Johanson Dielectrics Inc.
CAP CER 10000PF 1KV X7R 1206
详细描述:10000pF ±10% 1000V(1kV) 陶瓷电容器 X7R 1206(3216 公制)
型号:
102R18W103KV4E
仓库库存编号:
102R18W103KV4E-ND
规格:特性 高电压,
无铅
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Johanson Dielectrics Inc.
CAP CER 220PF 2KV X7R 1206
详细描述:220pF ±10% 2000V(2kV) 陶瓷电容器 X7R 1206(3216 公制)
型号:
202R18W221KV4E
仓库库存编号:
202R18W221KV4E-ND
规格:特性 高电压,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 100K OHM 5% 1/10W 0603
详细描述:±5% 0.1W,1/10W 厚膜 芯片电阻 0603(1608 公制) 高电压 厚膜
型号:
CHV0603-JW-104ELF
仓库库存编号:
CHV0603-JW-104ELF-ND
规格:特性 高电压,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 1M OHM 5% 1/10W 0603
详细描述:±5% 0.1W,1/10W 厚膜 芯片电阻 0603(1608 公制) 高电压 厚膜
型号:
CHV0603-JW-105ELF
仓库库存编号:
CHV0603-JW-105ELF-ND
规格:特性 高电压,
无铅
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