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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
POSITION&CURRENT SENSORS
型号:
TLI49655MXTSA1
仓库库存编号:
TLI49655MXTSA1-ND
别名:SP000930190
规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 3.1A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU50R1K4CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU50R1K4CEAKMA1-ND
别名:SP001396810
规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6.3A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL303SPEH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL303SPEH6327XTSA1-ND
别名:SP000953144
规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 4A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R2K0CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R2K0CEAUMA1-ND
别名:SP001466914
规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC022N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC022N03L3X1SA1-ND
别名:SP000904026
规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
CONSUMER
型号:
IPS60R2K1CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS60R2K1CEAKMA1-ND
别名:SP001471270
规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
CONSUMER
型号:
IPN50R800CEATMA1
仓库库存编号:
IPN50R800CEATMA1-ND
别名:SP001461196
规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 34V 13A(Ta) 2.5W(Ta) PG-TDSON-8
型号:
BSC0996NSATMA1
仓库库存编号:
BSC0996NSATMA1-ND
别名:SP001659236
规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),63A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0906NSATMA1
仓库库存编号:
BSC0906NSATMA1CT-ND
别名:BSC0906NSCT
BSC0906NSCT-ND
规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS RF NPN 13V 25MA SOT343
详细描述:RF Transistor NPN 13V 25mA 120mW Surface Mount PG-SOT343-4
型号:
BGR420H6327XTSA1
仓库库存编号:
BGR420H6327XTSA1TR-ND
别名:BGR 420 H6327
BGR 420 H6327-ND
SP000750468
规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
CONSUMER
型号:
IPN60R1K0CEATMA1
仓库库存编号:
IPN60R1K0CEATMA1-ND
别名:SP001434884
规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 14.7A(DC) PG-TO252-3
型号:
IDD06E60BUMA1
仓库库存编号:
IDD06E60BUMA1TR-ND
别名:IDD06E60
IDD06E60-ND
SP000077586
规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 2.6W(Ta),20W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM8342TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8342TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8342TRPBFCT
规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.3A(Tc) 53W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU50R950CEAKMA2
仓库库存编号:
IPU50R950CEAKMA2-ND
别名:SP001396806
规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
CONSUMER
型号:
IPD50R950CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD50R950CEAUMA1-ND
别名:SP001396802
规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE TUNING 12V 50MA SOT323
详细描述:Varactor 1 Pair Common Cathode 12V Surface Mount PG-SOT323-3
型号:
BBY6605WH6327XTSA1
仓库库存编号:
BBY6605WH6327XTSA1TR-ND
别名:BBY 66-05W H6327
BBY 66-05W H6327-ND
SP000743582
规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.9A(Tj) 1.8W(Ta) SOT-223
型号:
BSP320SH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSP320SH6433XTMA1-ND
别名:SP001058772
规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 5.2A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K5CEAUMA1-ND
别名:SP001422862
规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 4A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSA70R2K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPSA70R2K0CEAKMA1-ND
别名:SP001605400
规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD090N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD090N03LGBTMA1-ND
别名:SP000236950
规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD40N03S4L08ATMA1
仓库库存编号:
IPD40N03S4L08ATMA1-ND
别名:SP000475916
规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9A(Ta),39.6A(Tc) 2.1W(Ta),40W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ180P03NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSZ180P03NS3GATMA1TR-ND
别名:BSZ180P03NS3 G
BSZ180P03NS3 G-ND
SP000709744
规格:制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC020N10L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC020N10L3X1SA1-ND
别名:SP001006962
规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.1A(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R1K5CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU60R1K5CEAKMA1-ND
别名:SP001369534
规格:制造商 Infineon Technologies,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.1A(Tc) 49W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU60R1K5CEAKMA2
仓库库存编号:
IPU60R1K5CEAKMA2-ND
别名:SP001396898
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