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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB011N04NGATMA1
仓库库存编号：
IPB011N04NGATMA1CT-ND
别名：IPB011N04NGATMA1CT
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N04S4H0ATMA1
仓库库存编号：
IPB180N04S4H0ATMA1CT-ND
别名：IPB180N04S4H0ATMA1CT
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF3717
仓库库存编号：
IRF3717-ND
别名：*IRF3717
SP001561700
规格：制造商 Infineon Technologies,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 16.8A（Tc） 126W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R230P6FKSA1
仓库库存编号：
IPW60R230P6FKSA1-ND
别名：SP001017088
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），83A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB056N10NN3GXUMA1
仓库库存编号：
BSB056N10NN3GXUMA1CT-ND
别名：BSB056N10NN3 GCT
BSB056N10NN3 GCT-ND
BSB056N10NN3GXUMA1CT
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
SENSOR LINEAR ANALOG SSO3
详细描述：Hall Effect Sensor Single Axis PG-SSO-4-1
型号：
TLE4922XANFHALA1
仓库库存编号：
TLE4922XANFHALA1CT-ND
别名：TLE4922XANFHALA1CT
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 294W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
IRFS7534TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS7534TRLPBFCT-ND
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
AUIRF1404ZSTRL
仓库库存编号：
AUIRF1404ZSTRLCT-ND
别名：AUIRF1404ZSTRLCT
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRFS7430TRL7PP
仓库库存编号：
IRFS7430TRL7PPCT-ND
别名：IRFS7430TRL7PPCT
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB031N08N5ATMA1
仓库库存编号：
IPB031N08N5ATMA1CT-ND
别名：IPB031N08N5ATMA1CT
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N10S305AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N10S305AKSA1-ND
别名：IPP100N10S3-05
IPP100N10S3-05-ND
IPP100N10S305
SP000407126
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 80A（Tc） 340W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80P06P G
仓库库存编号：
SPB80P06PGINCT-ND
别名：SPB80P06PGINCT
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
SENSOR LINEAR ANALOG SSO3
详细描述：Hall Effect Sensor Single Axis PG-SSO-4-1
型号：
TLE4922XINFHALA1
仓库库存编号：
TLE4922XINFHALA1CT-ND
别名：TLE4922XINFHALA1CT
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N04S302AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N04S302AKSA1-ND
别名：IPP120N04S3-02
IPP120N04S3-02-ND
IPP120N04S302
SP000261228
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS4310ZTRL
仓库库存编号：
AUIRFS4310ZTRLCT-ND
别名：AUIRFS4310ZTRLCT
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 80A 305W TO247-3
详细描述：IGBT Trench 600V 80A 305W Through Hole PG-TO247-3
型号：
IHW40N60R
仓库库存编号：
IHW40N60R-ND
别名：IHW40N60RFKSA1
SP000357222
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IC IGBT DVR 1200V 2A DSO16
详细描述：High-Side or Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting PG-DSO-16-15
型号：
1ED020I12B2XUMA1
仓库库存编号：
1ED020I12B2XUMA1CT-ND
别名：1ED020I12B2XUMA1CT
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB7430GPBF
仓库库存编号：
IRFB7430GPBF-ND
别名：SP001554620
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB027N10N5ATMA1
仓库库存编号：
IPB027N10N5ATMA1CT-ND
别名：IPB027N10N5ATMA1CT
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB20N60C3
仓库库存编号：
SPB20N60C3INCT-ND
别名：SPB20N60C3INCT
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IC SWITCH SMART HISIDE TO263
型号：
BTS500151TADATMA1
仓库库存编号：
BTS500151TADATMA1CT-ND
别名：BTS500151TADATMA1CT
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 140A 428W TO247-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 140A 428W Through Hole PG-TO247-3
型号：
IGW75N60H3
仓库库存编号：
IGW75N60H3-ND
别名：IGW75N60H3FKSA1
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IC BRIDGE DVR 3PH 600V 44-PLCC
详细描述：Half-Bridge Gate Driver IC Inverting 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
型号：
IRS2330DJTRPBF
仓库库存编号：
IRS2330DJTRPBFCT-ND
别名：IRS2330DJTRPBFCT
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IC BRIDGE DRIVER PAR TO263-15
详细描述：Half Bridge (2) Driver DC Motors, General Purpose DMOS P-TO263-15
型号：
BTM7750GP
仓库库存编号：
BTM7750GPAUMA1CT-ND
别名：BTM7750GPCT
BTM7750GPCT-ND
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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Infineon Technologies
IC POWER MODULE PLUG N DRIVE INT
详细描述：Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 6A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
型号：
IRAMS06UP60A
仓库库存编号：
IRAMS06UP60A-ND
别名：*IRAMS06UP60A
SP001540296
规格：制造商 Infineon Technologies,
无铅
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