规格:制造商 Vishay Siliconix,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(5645)
开发板,套件,编程器
(8)
分立半导体产品
(4295)
集成电路(IC)
(1342)
筛选品牌
Vishay BC Components(328)
Vishay Beyschlag(2719)
Vishay Electro-Films(1165)
Vishay Huntington Electric Inc.(403)
Vishay Semiconductor Diodes Division(152)
Vishay Semiconductor Opto Division(78)
Vishay Sfernice(94)
Vishay Siliconix(593)
Vishay Spectrol(46)
Vishay Sprague(18)
Vishay Thin Film(24)
Vishay Vitramon(25)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC20STRL
仓库库存编号:
IRFBC20STRL-ND
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC20STRR
仓库库存编号:
IRFBC20STRR-ND
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC30AL
仓库库存编号:
IRFBC30AL-ND
别名:*IRFBC30AL
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30ASTRL
仓库库存编号:
IRFBC30ASTRL-ND
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30ASTRR
仓库库存编号:
IRFBC30ASTRR-ND
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30STRL
仓库库存编号:
IRFBC30STRL-ND
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30STRR
仓库库存编号:
IRFBC30STRR-ND
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC40AL
仓库库存编号:
IRFBC40AL-ND
别名:*IRFBC40AL
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40ASTRL
仓库库存编号:
IRFBC40ASTRL-ND
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40ASTRR
仓库库存编号:
IRFBC40ASTRR-ND
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC40LCL
仓库库存编号:
IRFBC40LCL-ND
别名:*IRFBC40LCL
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC40LC
仓库库存编号:
IRFBC40LC-ND
别名:*IRFBC40LC
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40LCS
仓库库存编号:
IRFBC40LCS-ND
别名:*IRFBC40LCS
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40LCSTRL
仓库库存编号:
IRFBC40LCSTRL-ND
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40LCSTRR
仓库库存编号:
IRFBC40LCSTRR-ND
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40STRL
仓库库存编号:
IRFBC40STRL-ND
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40STRR
仓库库存编号:
IRFBC40STRR-ND
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.8A(Tc) I2PAK
型号:
IRFBE20L
仓库库存编号:
IRFBE20L-ND
别名:*IRFBE20L
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE20S
仓库库存编号:
IRFBE20S-ND
别名:*IRFBE20S
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE20STRL
仓库库存编号:
IRFBE20STRL-ND
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE20STRR
仓库库存编号:
IRFBE20STRR-ND
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBE30L
仓库库存编号:
IRFBE30L-ND
别名:*IRFBE30L
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30S
仓库库存编号:
IRFBE30S-ND
别名:*IRFBE30S
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30STRL
仓库库存编号:
IRFBE30STRL-ND
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30STRR
仓库库存编号:
IRFBE30STRR-ND
规格:制造商 Vishay Siliconix,
含铅
搜索
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号