规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR141SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR141SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 141S E6327
BCR 141S E6327-ND
BCR141SE6327XT
SP000012336
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR148SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR148SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 148S E6327
BCR 148S E6327-ND
BCR148SE6327XT
SP000012338
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR148SE6433HTMA1
仓库库存编号：
BCR148SE6433HTMA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 148S E6433
BCR 148S E6433-ND
BCR148SE6433XT
SP000012339
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR169SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR169SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 169S E6327
BCR 169S E6327-ND
BCR169SE6327XT
SP000012272
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR183SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR183SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 183S E6327
BCR 183S E6327-ND
BCR183SE6327XT
SP000010802
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR183SE6433BTMA1
仓库库存编号：
BCR183SE6433BTMA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 183S E6433
BCR 183S E6433-ND
BCR183SE6433XT
SP000010804
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR185SB6327XT
仓库库存编号：
BCR185SB6327XTTR-NDTR-ND
别名：BCR 185S B6327
BCR 185S B6327-ND
SP000056342
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR185SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR185SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 185S E6327
BCR 185S E6327-ND
BCR185SE6327XT
SP000012273
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR198SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR198SE6327BTSA1TR-ND
别名：BCR 198S E6327
BCR 198S E6327-ND
BCR198SE6327XT
SP000010822
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR22PNE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR22PNE6327BTSA1TR-ND
别名：BCR 22PN E6327
BCR 22PN E6327-ND
BCR22PNE6327XT
SP000010826
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR22PNE6433HTMA1
仓库库存编号：
BCR22PNE6433HTMA1TR-ND
别名：BCR 22PN E6433
BCR 22PN E6433-ND
BCR22PNE6433XT
SP000010827
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR35PNE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR35PNE6327BTSA1TR-ND
别名：BCR 35PN E6327
BCR 35PN E6327-ND
BCR35PNE6327XT
SP000010831
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR35PNE6433HTMA1
仓库库存编号：
BCR35PNE6433HTMA1TR-ND
别名：BCR 35PN E6433
BCR 35PN E6433-ND
BCR35PNE6433XT
SP000010832
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 70mA, 100mA 100MHz, 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR48PNE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR48PNE6327BTSA1TR-ND
别名：BCR 48PN E6327
BCR 48PN E6327-ND
BCR48PNE6327XT
SP000010836
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 70mA, 100mA 100MHz, 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR48PNE6433BTMA1
仓库库存编号：
BCR48PNE6433BTMA1TR-ND
别名：BCR 48PN E6433
BCR 48PN E6433-ND
BCR48PNE6433XT
SP000010837
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR08PNE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR08PNE6327BTSA1CT-ND
别名：BCR08PNE6327
BCR08PNE6327INCT
BCR08PNE6327INCT-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC74
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC74-6
型号：
BCR183UE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR183UE6327HTSA1-ND
别名：BCR 183U E6327
BCR 183U E6327-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN PREBIAS/NPN 6TSSOP
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 200mA 230MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号：
PUML1,115
仓库库存编号：
PUML1,115-ND
别名：934062098115
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR108SH6433XTMA1
仓库库存编号：
BCR108SH6433XTMA1TR-ND
别名：BCR 108S H6433
BCR 108S H6433-ND
SP000750778
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR 116S E6727
仓库库存编号：
BCR 116S E6727-ND
别名：SP000679396
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR 116S H6727
仓库库存编号：
BCR 116S H6727-ND
别名：SP000752048
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR 141S E6727
仓库库存编号：
BCR 141S E6727-ND
别名：SP000679398
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR 141S H6727
仓库库存编号：
BCR 141S H6727-ND
别名：SP000756254
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR 148S H6827
仓库库存编号：
BCR 148S H6827-ND
别名：SP000756266
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR183SH6433XTMA1
仓库库存编号：
BCR183SH6433XTMA1-ND
别名：BCR 183S H6433
BCR 183S H6433-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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