规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(1628)
分立半导体产品
(1628)
筛选品牌
Aeroflex Metelics, Division of MACOM(1)
Central Semiconductor Corp(9)
Diodes Incorporated(154)
Fairchild/Micross Components(238)
Fairchild/ON Semiconductor(53)
Infineon Technologies(64)
Kionix Inc.(59)
Micro Commercial Co(4)
Microsemi Corporation(9)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(6)
Nexperia USA Inc.(176)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(16)
Panasonic - ATG(78)
Panasonic - BSG(21)
Panasonic - DTG(12)
Panasonic Electric Works(5)
Panasonic Electronic Components(119)
Panasonic Industrial Automation Sales(171)
Rohm Semiconductor(144)
Sanken(3)
STMicroelectronics(26)
Texas Instruments(4)
Toshiba Semiconductor and Storage(253)
TT Electronics/Optek Technology(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
型号：
RN2706JE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2706JE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2706JE(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN4902FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN4902FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN4902FE(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
HN1B01F-GR(TE85L,F
仓库库存编号：
HN1B01F-GR(TE85LFCT-ND
别名：HN1B01F-GR(TE85LFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
HN1A01F-GR(TE85L,F
仓库库存编号：
HN1A01F-GR(TE85LFCT-ND
别名：HN1A01F-GR(TE85LFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 150mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
型号：
UMF24NTR
仓库库存编号：
UMF24NTR-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2902,LF
仓库库存编号：
RN2902LFCT-ND
别名：RN2902LFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4901,LF
仓库库存编号：
RN4901LFCT-ND
别名：RN4901LFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS 4NPN 50V 0.8A 20CLCC
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1W Surface Mount 20-CLCC
型号：
JANTX2N6989U
仓库库存编号：
1086-16216-ND
别名：1086-16216
1086-16216-MIL
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
搜索
Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-363
型号：
PUMD6/ZLF
仓库库存编号：
PUMD6/ZLF-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-363
型号：
PUMD6/ZLX
仓库库存编号：
PUMD6/ZLX-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Central Semiconductor Corp
TRANS 2NPN 50MA 50V TO78-6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 50mA 60MHz 600mW Through Hole TO-78-6
型号：
2N2453A
仓库库存编号：
2N2453A-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
搜索
Central Semiconductor Corp
TRANS 2NPN 30MA 50V TO78-6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 30mA 260MHz Through Hole TO-78-6
型号：
MD8002
仓库库存编号：
MD8002-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR08PNB6327XT
仓库库存编号：
BCR08PNB6327XTTR-ND
别名：BCR 08PN B6327
BCR 08PN B6327-ND
SP000010726
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR108SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR108SE6327BTSA1TR-ND
别名：BCR 108S E6327
BCR 108S E6327-ND
BCR108SE6327XT
SP000010743
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR108SE6433HTMA1
仓库库存编号：
BCR108SE6433HTMA1TR-ND
别名：BCR 108S E6433
BCR 108S E6433-ND
BCR108SE6433XT
SP000010740
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR10PNB6327XT
仓库库存编号：
BCR10PNB6327XTTR-ND
别名：BCR 10PN B6327
BCR 10PN B6327-ND
SP000010731
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR10PNE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR10PNE6327BTSA1TR-ND
别名：BCR 10PN E6327
BCR 10PN E6327-ND
BCR10PNE6327XT
SP000010732
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR116SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR116SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 116S E6327
BCR 116S E6327-ND
BCR116SE6327XT
SP000012266
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR119SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR119SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 119S E6327
BCR 119S E6327-ND
BCR119SE6327XT
SP000012331
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR119SE6433HTMA1
仓库库存编号：
BCR119SE6433HTMA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 119S E6433
BCR 119S E6433-ND
BCR119SE6433XT
SP000012332
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR129SE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR129SE6327HTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 129S E6327
BCR 129S E6327-ND
BCR129SE6327XT
SP000010755
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR133SB6327XT
仓库库存编号：
BCR133SB6327XTTR-NDTR-ND
别名：BCR 133S B6327
BCR 133S B6327-ND
SP000056343
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR133SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR133SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 133S E6327
BCR 133S E6327-ND
BCR133SE6327XT
SP000010761
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR133SE6433BTMA1
仓库库存编号：
BCR133SE6433BTMA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 133S E6433
BCR 133S E6433-ND
BCR133SE6433XT
SP000010763
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR135SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR135SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 135S E6327
BCR 135S E6327-ND
BCR135SE6327XT
SP000012335
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
