规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2970FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2970FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2970FE(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2971FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2971FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2971FE(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2901(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2901(T5LFT)CT-ND
别名：RN2901(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2902(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2902(T5LFT)CT-ND
别名：RN2902(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2904(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2904(T5LFT)CT-ND
别名：RN2904(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2906(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2906(T5LFT)CT-ND
别名：RN2906(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2907(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2907(T5LFT)CT-ND
别名：RN2907(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2908(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2908(T5LFT)CT-ND
别名：RN2908(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2909(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2909(T5LFT)CT-ND
别名：RN2909(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2910(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2910(T5LFT)CT-ND
别名：RN2910(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2911(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2911(T5LFT)CT-ND
别名：RN2911(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4901(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4901(T5LFT)CT-ND
别名：RN4901(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4903(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4903(T5LFT)CT-ND
别名：RN4903(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4904(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4904(T5LFT)CT-ND
别名：RN4904(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4907(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4907(T5LFT)CT-ND
别名：RN4907(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4908(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4908(T5LFT)CT-ND
别名：RN4908(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4909(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4909(T5LFT)CT-ND
别名：RN4909(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4910(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4910(T5LFT)CT-ND
别名：RN4910(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4911(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4911(T5LFT)CT-ND
别名：RN4911(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN49A1(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN49A1(T5LFT)CT-ND
别名：RN49A1(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 60MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
HN2C01FE-GR(T5L,F)
仓库库存编号：
HN2C01FE-GR(T5LF)CT-ND
别名：HN2C01FE-GR(T5LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 800MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
HN2A01FE-GR(TE85LF
仓库库存编号：
HN2A01FE-GR(TE85LFCT-ND
别名：HN2A01FE-GR(TE85LFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
HN2A01FE-Y(TE85L,F
仓库库存编号：
HN2A01FE-Y(TE85LFCT-ND
别名：HN2A01FE-Y(TE85LFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
型号：
RN1701JE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1701JE(TE85LF)CT-ND
别名：RN1701JE(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
RN1606(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1606(TE85LF)CT-ND
别名：RN1606(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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