规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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Rohm Semiconductor
TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SMT6
型号：
IMT17T208
仓库库存编号：
IMT17T208-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
HN2A01FU-GR(TE85LF
仓库库存编号：
HN2A01FU-GR(TE85LFCT-ND
别名：HN2A01FU-GR(TE85LF)CT
HN2A01FU-GR(TE85LF)CT-ND
HN2A01FU-GR(TE85LFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1906(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN1906(T5LFT)CT-ND
别名：RN1906(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN1961FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1961FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN1961FE(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 4NPN 50V 0.8A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 400mW Surface Mount 14-Flatpack
型号：
JANTX2N6990
仓库库存编号：
1086-2721-ND
别名：1086-2721
1086-2721-MIL
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1.5W Through Hole TO-116
型号：
2N6989
仓库库存编号：
2N6989-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN1906FE(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN1906FE(T5LFT)CT-ND
别名：RN1906FE(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN1967FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1967FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN1967FE(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN1968FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1968FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN1968FE(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN1969FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1969FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN1969FE(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN1970FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1970FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN1970FE(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN1971FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1971FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN1971FE(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SM6
型号：
RN1673(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1673(TE85LF)CT-ND
别名：RN1673(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount US6
型号：
RN1911(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN1911(T5LFT)CT-ND
别名：RN1911(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2902FE(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2902FE(T5LFT)CT-ND
别名：RN2902FE(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2904FE(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2904FE(T5LFT)CT-ND
别名：RN2904FE(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2961FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2961FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2961FE(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2962FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2962FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2962FE(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2963FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2963FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2963FE(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2964FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2964FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2964FE(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2965FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2965FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2965FE(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2966FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2966FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2966FE(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2967FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2967FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2967FE(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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型号：
RN2968FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2968FE(TE85LF)CT-ND
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规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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型号：
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仓库库存编号：
RN2969FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2969FE(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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