规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
MUN5332DW1T1
仓库库存编号:
MUN5332DW1T1-ND
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
MUN5332DW1T1G
仓库库存编号:
MUN5332DW1T1G-ND
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
MUN5333DW1T1
仓库库存编号:
MUN5333DW1T1-ND
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
MUN5334DW1T1G
仓库库存编号:
MUN5334DW1T1G-ND
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号:
NSBA124EDXV6T5G
仓库库存编号:
NSBA124EDXV6T5G-ND
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号:
NSBA143ZDXV6T5G
仓库库存编号:
NSBA143ZDXV6T5G-ND
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号:
NSBC124XPDXV6T5G
仓库库存编号:
NSBC124XPDXV6T5G-ND
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号:
NSBC143TPDXV6T5G
仓库库存编号:
NSBC143TPDXV6T5G-ND
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号:
NSVBC114YPDXV65G
仓库库存编号:
NSVBC114YPDXV65G-ND
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 50V 1.8A 1W Surface Mount 20-SOIC
型号:
E-L6221AD
仓库库存编号:
E-L6221AD-ND
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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Texas Instruments
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-PDIP
型号:
ULN2803ANG4
仓库库存编号:
296-36074-5-ND
别名:296-36074-5
ULN2803ANE4
ULN2803ANE4-ND
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz, 80MHz 125mW Surface Mount SSMini6-F2
型号:
UP04390G0L
仓库库存编号:
UP04390G0LCT-ND
别名:UP04390G0LCT
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NSB13211DW6T1G
仓库库存编号:
NSB13211DW6T1G-ND
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 125mW Surface Mount SSMini5-F3
型号:
UP01214G0L
仓库库存编号:
UP01214G0LCT-ND
别名:UP01214G0LCT
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI5
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 80MHz 125mW Surface Mount SSMini5-F3
型号:
UP04111G0L
仓库库存编号:
UP04111G0LCT-ND
别名:UP04111G0LCT
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI5
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 80MHz 125mW Surface Mount SSMini5-F3
型号:
UP0411MG0L
仓库库存编号:
UP0411MG0LCT-ND
别名:UP0411MG0LCT
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 125mW Surface Mount SSMini5-F3
型号:
UP04210G0L
仓库库存编号:
UP04210G0LCT-ND
别名:UP04210G0LCT
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz, 80MHz 125mW Surface Mount SSMini6-F2
型号:
UP04312G0L
仓库库存编号:
UP04312G0LCT-ND
别名:UP04312G0LCT
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 3A 320MHz, 300MHz 2W Surface Mount MPT6
型号:
MP6Z13TR
仓库库存编号:
MP6Z13TR-ND
别名:Q6052732
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号:
SG2003J
仓库库存编号:
SG2003J-ND
别名:1259-1080
1259-1080-MIL
1259-1080-ND
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号:
SG2003J-883B
仓库库存编号:
1259-1081-ND
别名:1259-1081
1259-1081-MIL
Q10386303
SG2003J883B
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号:
SG2003J-JAN
仓库库存编号:
1259-1082-ND
别名:1259-1082
1259-1082-MIL
M38510/14103BEA
Q9387418
SG2003JJAN
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号:
SG2803J-883B
仓库库存编号:
1259-1084-ND
别名:1259-1084
1259-1084-MIL
Q10610783
Q10991540
SG2803J883B
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号:
SG2803J-DESC
仓库库存编号:
1259-1085-ND
别名:1259-1085
1259-1085-MIL
5962-8605801VA
Q10830625
SG2803JDESC
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT5
型号:
FMG9AT248
仓库库存编号:
FMG9AT248-ND
规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,
无铅
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