规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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Sanken
TRANS 3PNP 50V 3A 8STA
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 3 PNP 50V 3A 3W, 15W Through Hole 8-SIP
型号：
STA322A
仓库库存编号：
STA322A-ND
别名：STA322A DK
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
不受无铅要求限制
搜索
TT Electronics/Optek Technology
TRANS 4NPN 50V 0.8A 20CLCC
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1W Surface Mount 20-CLCC
型号：
2N6989U
仓库库存编号：
2N6989U-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1.5W Through Hole TO-116
型号：
JAN2N6989
仓库库存编号：
1086-2366-ND
别名：1086-2366
1086-2366-MIL
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS 4NPN 50V 0.8A 14PIN
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 400mW Surface Mount 14-Flatpack
型号：
JAN2N6990
仓库库存编号：
1086-2367-ND
别名：1086-2367
1086-2367-MIL
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
搜索
TT Electronics/Optek Technology
TRANS 4NPN 50V 0.8A SMT
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1W Surface Mount 20-CLCC
型号：
2N6989UTX
仓库库存编号：
2N6989UTX-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1.5W Through Hole TO-116
型号：
JANTX2N6989
仓库库存编号：
1086-2720-ND
别名：1086-2720
1086-2720-MIL
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1.5W Through Hole TO-116
型号：
JANTXV2N6989
仓库库存编号：
1086-3097-ND
别名：1086-3097
1086-3097-MIL
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS 4NPN 50V 0.8A 14PIN
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 400mW Surface Mount 14-Flatpack
型号：
JANTXV2N6990
仓库库存编号：
1086-3098-ND
别名：1086-3098
1086-3098-MIL
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR141SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR141SH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 141S H6327
BCR 141S H6327-ND
BCR141SH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000756256
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR08PNH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR08PNH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 08PN H6327
BCR 08PN H6327-ND
SP000750766
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR08PNH6433XTMA1
仓库库存编号：
BCR08PNH6433XTMA1TR-ND
别名：BCR 08PN H6433
BCR 08PN H6433-ND
SP000750770
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR08PNH6727XTSA1
仓库库存编号：
BCR08PNH6727XTSA1TR-ND
别名：BCR 08PN H6727
BCR 08PN H6727-ND
SP000750772
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR108SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR108SH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 108S H6327
BCR 108S H6327-ND
SP000750774
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR116SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR116SH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 116S H6327
BCR 116S H6327-ND
BCR116SH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000752050
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR119SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR119SH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 119S H6327
BCR 119S H6327-ND
BCR119SH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000754074
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR119SH6433XTMA1
仓库库存编号：
BCR119SH6433XTMA1TR-ND
别名：BCR 119S H6433
BCR 119S H6433-ND
BCR119SH6433XTMA1TR-NDTR-ND
SP000755042
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR129SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR129SH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 129S H6327
BCR 129S H6327-ND
BCR129SH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000755046
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR148SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR148SH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 148S H6327
BCR 148S H6327-ND
BCR148SH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000756262
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR148SH6433XTMA1
仓库库存编号：
BCR148SH6433XTMA1TR-ND
别名：BCR 148S H6433
BCR 148S H6433-ND
BCR148SH6433XTMA1TR-NDTR-ND
SP000756264
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR169SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR169SH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 169S H6327
BCR 169S H6327-ND
BCR169SH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000756842
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR183SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR183SH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 183S H6327
BCR 183S H6327-ND
BCR183SH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000756882
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR198SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR198SH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 198S H6327
BCR 198S H6327-ND
SP000757904
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 70mA, 100mA 100MHz, 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR48PNH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR48PNH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 48PN H6327
BCR 48PN H6327-ND
SP000757930
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 70mA, 100mA 100MHz, 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR48PNH6433XTMA1
仓库库存编号：
BCR48PNH6433XTMA1TR-ND
别名：BCR 48PN H6433
BCR 48PN H6433-ND
SP000757932
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.33W SC74
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SC74-6
型号：
BCR523UE6433HTMA1
仓库库存编号：
BCR523UE6433HTMA1TR-ND
别名：BCR 523U E6433
BCR 523U E6433-ND
SP000662374
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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