规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
RN4609(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN4609(TE85LF)CT-ND
别名：RN4609(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
RN2606(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2606(TE85LF)CT-ND
别名：RN2606(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
RN4601(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN4601(TE85LF)CT-ND
别名：RN4601(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
型号：
RN1502(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1502(TE85LF)CT-ND
别名：RN1502(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
RN2605(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2605(TE85LF)CT-ND
别名：RN2605(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
RN1610(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1610(TE85LF)CT-ND
别名：RN1610(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
RN2607(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2607(TE85LF)CT-ND
别名：RN2607(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1961(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1961(TE85LF)CT-ND
别名：RN1961(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
RN4605(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN4605(TE85LF)CT-ND
别名：RN4605(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 125mW Surface Mount SSMINI6-F1
型号：
UP0421400L
仓库库存编号：
UP0421400LCT-ND
别名：UP0421400LCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 125mW Surface Mount SSMini5-F2
型号：
UP0121300L
仓库库存编号：
UP0121300LCT-ND
别名：UP0121300LCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 80MHz 125mW Surface Mount SSMINI6-F1
型号：
UP0411100L
仓库库存编号：
UP0411100LCT-ND
别名：UP0411100LCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz, 80MHz 125mW Surface Mount SSMINI6-F1
型号：
UP0431100L
仓库库存编号：
UP0431100LCT-ND
别名：UP0431100LCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT-563
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 100mA 100MHz 350mW Surface Mount SOT-563
型号：
CMLT5088E TR
仓库库存编号：
CMLT5088E CT-ND
别名：CMLT5088E CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP
型号：
SG2013J-883B
仓库库存编号：
1259-1108-ND
别名：1259-1108
1259-1108-MIL
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2NPN PREBIAS 0.42W 6TSOP
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 420mW Surface Mount 6-TSOP
型号：
PIMN31,115
仓库库存编号：
1727-5166-1-ND
别名：1727-5166-1
568-6469-1
568-6469-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2NPN 50V 2.7A 8SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 2.7A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
PBSS4350SS,115
仓库库存编号：
1727-5755-1-ND
别名：1727-5755-1
568-7302-1
568-7302-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 2.25W Through Hole 18-DIP
型号：
ULQ2803A
仓库库存编号：
497-2362-5-ND
别名：497-2362-5
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号：
PUMH11,115
仓库库存编号：
1727-4332-1-ND
别名：1727-4332-1
568-5041-1
568-5041-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号：
PUMD9,115
仓库库存编号：
1727-5234-1-ND
别名：1727-5234-1
568-6551-1
568-6551-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS NPN/PNP PREBIAS 6TSOP
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 420mW Surface Mount 6-TSOP
型号：
PIMC31,115
仓库库存编号：
1727-6283-1-ND
别名：1727-6283-1
568-8100-1
568-8100-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 3A 132MHz 1.04W Surface Mount 8-MSOP
型号：
ZXT12N50DXTA
仓库库存编号：
ZXT12N50DXCT-ND
别名：ZXT12N50DXCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount US6
型号：
RN1910,LF(CT
仓库库存编号：
RN1910LF(CTCT-ND
别名：RN1910(T5LFT)CT
RN1910(T5LFT)CT-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 140MHz 150mW Surface Mount EMT6
型号：
EMT2T2R
仓库库存编号：
EMT2T2RCT-ND
别名：EMT2T2RCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 180MHz 150mW Surface Mount EMT6
型号：
EMX2T2R
仓库库存编号：
EMX2T2RCT-ND
别名：EMX2T2RCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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