规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(1628)
分立半导体产品
(1628)
筛选品牌
Aeroflex Metelics, Division of MACOM(1)
Central Semiconductor Corp(9)
Diodes Incorporated(154)
Fairchild/Micross Components(238)
Fairchild/ON Semiconductor(53)
Infineon Technologies(64)
Kionix Inc.(59)
Micro Commercial Co(4)
Microsemi Corporation(9)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(6)
Nexperia USA Inc.(176)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(16)
Panasonic - ATG(78)
Panasonic - BSG(21)
Panasonic - DTG(12)
Panasonic Electric Works(5)
Panasonic Electronic Components(119)
Panasonic Industrial Automation Sales(171)
Rohm Semiconductor(144)
Sanken(3)
STMicroelectronics(26)
Texas Instruments(4)
Toshiba Semiconductor and Storage(253)
TT Electronics/Optek Technology(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Panasonic Electronic Components
TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 100mA 150MHz 300mW Surface Mount Mini6-G4-B
型号：
DMC204010R
仓库库存编号：
DMC204010RCT-ND
别名：DMC204010RCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
型号：
EMX26T2R
仓库库存编号：
EMX26T2RCT-ND
别名：EMX26T2RCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Panasonic Electronic Components
TRANS 2NPN 50V 0.5A MINI6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 500mA 160MHz 300mW Surface Mount Mini6-G4-B
型号：
DMC204020R
仓库库存编号：
DMC204020RCT-ND
别名：DMC204020RCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS NPN/PNP 50V 3A 5CPH
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 50V 3A 380MHz 1.2W Surface Mount 5-CPH
型号：
CPH5524-TL-E
仓库库存编号：
CPH5524-TL-EOSCT-ND
别名：CPH5524-TL-EOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Panasonic Electronic Components
TRANS 2PNP 50V 0.5A MINI6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 500mA 130MHz 300mW Surface Mount Mini6-G4-B
型号：
DMA204020R
仓库库存编号：
DMA204020RCT-ND
别名：DMA204020RCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SO
型号：
ULQ2003D1013TR
仓库库存编号：
497-2359-1-ND
别名：497-2359-1
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Central Semiconductor Corp
TRANS 2PNP 50V 0.05A SOT-363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 50mA 40MHz 350mW Surface Mount SOT-363
型号：
CMKT5087 TR
仓库库存编号：
CMKT5087 CT-ND
别名：CMKT5087 CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SO
型号：
ULQ2003D1013TRY
仓库库存编号：
497-10282-1-ND
别名：497-10282-1
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-PDIP
型号：
MC1413PG
仓库库存编号：
MC1413PGOS-ND
别名：MC1413PGOS
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-PDIP
型号：
MC1413BPG
仓库库存编号：
MC1413BPGOS-ND
别名：MC1413BPGOS
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 2.25W Through Hole 18-DIP
型号：
ULN2801A
仓库库存编号：
497-2354-5-ND
别名：497-2354-5
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN1906FE,LF(CT
仓库库存编号：
RN1906FELF(CTCT-ND
别名：RN1906FELF(CTCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
MUN5312DW1T1G
仓库库存编号：
MUN5312DW1T1GOSCT-ND
别名：MUN5312DW1T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
MUN5213DW1T1G
仓库库存编号：
MUN5213DW1T1GOSCT-ND
别名：MUN5213DW1T1GOS
MUN5213DW1T1GOS-ND
MUN5213DW1T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
MUN5230DW1T1G
仓库库存编号：
MUN5230DW1T1GOSCT-ND
别名：MUN5230DW1T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
MUN5314DW1T1G
仓库库存编号：
MUN5314DW1T1GOSCT-ND
别名：MUN5314DW1T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
MUN5233DW1T1G
仓库库存编号：
MUN5233DW1T1GOSCT-ND
别名：MUN5233DW1T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
MUN5135DW1T1G
仓库库存编号：
MUN5135DW1T1GOSCT-ND
别名：MUN5135DW1T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN1907FE,LF(CB
仓库库存编号：
RN1907FELF(CBCT-ND
别名：RN1907FE(T5LFT)CT
RN1907FE(T5LFT)CT-ND
RN1907FELF(CBCT
RN1907FELF(CTCT
RN1907FELF(CTCT-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN1910FE,LF(CT
仓库库存编号：
RN1910FELF(CTCT-ND
别名：RN1910FELF(CTCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
MUN5313DW1T1G
仓库库存编号：
MUN5313DW1T1GOSCT-ND
别名：MUN5313DW1T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
MUN5113DW1T1G
仓库库存编号：
MUN5113DW1T1GOSCT-ND
别名：MUN5113DW1T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
MUN5215DW1T1G
仓库库存编号：
MUN5215DW1T1GOSCT-ND
别名：MUN5215DW1T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88A (SC-70-5 / SOT-353)
型号：
NSB1706DMW5T1G
仓库库存编号：
NSB1706DMW5T1GOSCT-ND
别名：NSB1706DMW5T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2906,LF
仓库库存编号：
RN2906LFCT-ND
别名：RN2906LF(CTCT
RN2906LF(CTCT-ND
RN2906LFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
