规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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Nexperia USA Inc.
TRANS NPN/PNP RET 6DFN
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6
型号：
PQMD2Z
仓库库存编号：
1727-2712-1-ND
别名：1727-2712-1
568-13233-1
568-13233-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
TRANS NPN/NPN RET 6DFN
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6
型号：
PQMH11Z
仓库库存编号：
1727-2715-1-ND
别名：1727-2715-1
568-13236-1
568-13236-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号：
PUMB2,115
仓库库存编号：
1727-5231-1-ND
别名：1727-5231-1
568-6548-1
568-6548-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号：
PUMB11,115
仓库库存编号：
1727-5230-1-ND
别名：1727-5230-1
568-6547-1
568-6547-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号：
PUMB13,115
仓库库存编号：
1727-1734-1-ND
别名：1727-1734-1
568-11277-1
568-11277-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号：
PUMB13,115
仓库库存编号：
1727-1734-6-ND
别名：1727-1734-6
568-11277-6
568-11277-6-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR10PNH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR10PNH6327XTSA1CT-ND
别名：BCR 10PN H6327CT
BCR 10PN H6327CT-ND
BCR10PNH6327XTSA1CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
型号：
PEMH13,115
仓库库存编号：
1727-1725-1-ND
别名：1727-1725-1
568-11267-1
568-11267-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
型号：
PEMH13,115
仓库库存编号：
1727-1725-6-ND
别名：1727-1725-6
568-11267-6
568-11267-6-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
型号：
PEMH10,115
仓库库存编号：
1727-1723-1-ND
别名：1727-1723-1
568-11265-1
568-11265-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
型号：
PEMH10,115
仓库库存编号：
1727-1723-6-ND
别名：1727-1723-6
568-11265-6
568-11265-6-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
型号：
PEMD12,115
仓库库存编号：
1727-2155-1-ND
别名：1727-2155-1
568-11970-1
568-11970-1-ND
568-12316-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2PNP 50V 2.7A 8SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 2.7A 750mW Surface Mount 8-SO
型号：
PBSS5350SS,115
仓库库存编号：
1727-5772-1-ND
别名：1727-5772-1
568-7320-1
568-7320-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS NPN/PNP 50V 2.7A 8SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 2.7A 750mW Surface Mount 8-SO
型号：
PBSS4350SPN,115
仓库库存编号：
1727-5754-1-ND
别名：1727-5754-1
568-7301-1
568-7301-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 2.25W Through Hole 18-DIP
型号：
ULN2802A
仓库库存编号：
497-2355-5-ND
别名：497-2355-5
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 50V 1.75A 1W Through Hole 16-PowerDIP (20x7.10)
型号：
ULN2074B
仓库库存编号：
497-2353-5-ND
别名：497-2353-5
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
TRANS 4NPN 50V 1A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 1A 200MHz 1W Through Hole TO-116
型号：
MPQ3725A
仓库库存编号：
MPQ3725A-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS 4NPN 50V 0.8A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 400mW Surface Mount 14-Flatpack
型号：
2N6990
仓库库存编号：
2N6990-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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STMicroelectronics
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1W Through Hole 18-DIP
型号：
ULQ2804A
仓库库存编号：
497-7692-5-ND
别名：497-7692-5
ULQ2804A-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 50V 1.75A 1W Through Hole 16-PowerDIP (20x7.10)
型号：
ULN2066B
仓库库存编号：
497-6788-5-ND
别名：497-6788-5
ULN2066B-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4988(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4988(T5LFT)CT-ND
别名：RN4988(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4990(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4990(T5LFT)CT-ND
别名：RN4990(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4991(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4991(T5LFT)CT-ND
别名：RN4991(T5LFT)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN1908FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1908FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN1908FE(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2903FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2903FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2903FE(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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