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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN1971TE85LF
  仓库库存编号：RN1971TE85LFCT-ND
  别名：RN1971TE85LFCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
  
  型号：RN1604(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1604(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1604(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN1902FE,LF(CT
  仓库库存编号：RN1902FELF(CTCT-ND
  别名：RN1902FE(T5LFT)CT
  RN1902FE(T5LFT)CT-ND
  RN1902FELF(CTCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN1904FE,LF(CT
  仓库库存编号：RN1904FELF(CTCT-ND
  别名：RN1904FE(T5LFT)CT
  RN1904FE(T5LFT)CT-ND
  RN1904FELF(CTCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SMV
  
  型号：2SC4207-Y(TE85L,F)
  仓库库存编号：2SC4207-Y(TE85LF)CT-ND
  别名：2SC4207-Y(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP 50V 0.15A SMV
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SMV
  
  型号：2SA1618-GR(TE85L,F
  仓库库存编号：2SA1618-GR(TE85LFCT-ND
  别名：2SA1618-GR(TE85LF)CT
  2SA1618-GR(TE85LF)CT-ND
  2SA1618-GR(TE85LFCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP 50V 0.15A USV
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount USV
  
  型号：2SA1873-Y(TE85L,F)
  仓库库存编号：2SA1873-Y(TE85LF)CT-ND
  别名：2SA1873-Y(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
  
  型号：RN1507(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1507(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1507(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 300mW Surface Mount SM6
  
  型号：RN4606(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN4606(TE85LF)CT-ND
  别名：RN4606(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Micro Commercial Co
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：UMH11N-TP
  仓库库存编号：UMH11N-TPMSCT-ND
  别名：UMH11N-TPMSCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Micro Commercial Co
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：UMH1N-TP
  仓库库存编号：UMH1N-TPMSCT-ND
  别名：UMH1N-TPMSCT
  UMH1NTP
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
  
  型号：RN1704JE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1704JE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1704JE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
  
  型号：RN1702JE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1702JE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1702JE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
  
  型号：RN2602(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2602(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2602(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：HN2C01FU-Y(TE85L,F
  仓库库存编号：HN2C01FU-Y(TE85LFCT-ND
  别名：HN2C01FU-Y(TE85LFCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
  
  型号：RN1607(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1607(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1607(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV
  
  型号：RN2502(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2502(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2502(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Micro Commercial Co
  TRANS 2PNP 50V 0.15A SOT363
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 140MHz 150mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：UMT1N-TP
  仓库库存编号：UMT1N-TPMSCT-ND
  别名：UMT1N-TPMSCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
  
  型号：EMG9T2R
  仓库库存编号：EMG9T2RCT-ND
  别名：EMG9T2RCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SC-74R
  
  型号：DIMD10A-7
  仓库库存编号：DIMD10A-7DICT-ND
  别名：DIMD10A-7DICT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Diodes Incorporated
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：DDA144EU-7
  仓库库存编号：DDA144EUDICT-ND
  别名：DDA144EUDICT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Diodes Incorporated
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：DDA144EU-7
  仓库库存编号：981-DDA144EU-7-CHP
  别名：DDA144EU7
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 100mA 150MHz, 80MHz 150mW Surface Mount SMINI6-G1
  
  型号：XP0460100L
  仓库库存编号：XP0460100LCT-ND
  别名：XP0460100LCT
  XP4601CT
  XP4601CT-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS 2PNP 50V 0.1A SMINI6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMINI6-G1
  
  型号：XP0640100L
  仓库库存编号：XP0640100LCT-ND
  别名：XP0640100LCT
  XP6401CT
  XP6401CT-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 80MHz 300mW Surface Mount Mini5-G1
  
  型号：XN0111F00L
  仓库库存编号：XN0111F00LCT-ND
  别名：XN0111F00LCT
  XN111FCT
  XN111FCT-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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