规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号：
PUMH20,115
仓库库存编号：
1727-1744-1-ND
别名：1727-1744-1
568-11287-1
568-11287-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号：
PUMH20,115
仓库库存编号：
1727-1744-6-ND
别名：1727-1744-6
568-11287-6
568-11287-6-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 30mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
型号：
EMB51T2R
仓库库存编号：
EMB51T2RCT-ND
别名：EMB51T2RCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
型号：
EMB75T2R
仓库库存编号：
EMB75T2RCT-ND
别名：EMB75T2RCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS 2NPN 50V 0.1A EMT6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 100mA 350MHz 150mW Surface Mount EMT6
型号：
EMX52T2R
仓库库存编号：
EMX52T2RCT-ND
别名：EMX52T2RCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4902,LF(CT
仓库库存编号：
RN4902LF(CTCT-ND
别名：RN4902(T5LFT)CT
RN4902(T5LFT)CT-ND
RN4902LF(CTCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 180MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号：
PUMB10,115
仓库库存编号：
1727-6297-1-ND
别名：1727-6297-1
568-8115-1
568-8115-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 180MHz 300mW Surface Mount SOT-666
型号：
PEMB11,115
仓库库存编号：
1727-6498-1-ND
别名：1727-6498-1
568-8593-1
568-8593-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
型号：
PEMH13,115
仓库库存编号：
1727-1725-2-ND
别名：1727-1725-2
568-11267-2
568-11267-2-ND
934056872115
PEMH13 T/R
PEMH13 T/R-ND
PEMH13,115-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
型号：
PEMH13,315
仓库库存编号：
PEMH13,315-ND
别名：934056872315
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
型号：
PEMD9,115
仓库库存编号：
1727-1722-2-ND
别名：1727-1722-2
568-11264-2
568-11264-2-ND
934056706115
PEMD9 T/R
PEMD9 T/R-ND
PEMD9,115-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
型号：
PEMD9,115
仓库库存编号：
1727-1722-1-ND
别名：1727-1722-1
568-11264-1
568-11264-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
型号：
PEMD9,115
仓库库存编号：
1727-1722-6-ND
别名：1727-1722-6
568-11264-6
568-11264-6-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
SMUN5213DW1T1G
仓库库存编号：
SMUN5213DW1T1GOSCT-ND
别名：SMUN5213DW1T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
型号：
EMG11T2R
仓库库存编号：
EMG11T2RCT-ND
别名：EMG11T2RCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS 2PNP 50V 0.5A SOT26
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SOT-26
型号：
IMT17-7
仓库库存编号：
IMT17-7DICT-ND
别名：IMT17-7DICT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
SMUN5237DW1T1G
仓库库存编号：
SMUN5237DW1T1GOSCT-ND
别名：SMUN5237DW1T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
SMUN5211DW1T1G
仓库库存编号：
SMUN5211DW1T1GOSCT-ND
别名：SMUN5211DW1T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
NSVMUN5332DW1T1G
仓库库存编号：
NSVMUN5332DW1T1GOSCT-ND
别名：NSVMUN5332DW1T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.35W 6DFN
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 350mW Surface Mount DFN1010B-6
型号：
PQMD12Z
仓库库存编号：
1727-1479-1-ND
别名：1727-1479-1
568-10950-1
568-10950-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号：
NSBC113EPDXV6T1G
仓库库存编号：
NSBC113EPDXV6T1GOSCT-ND
别名：NSBC113EPDXV6T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-DIP
型号：
ULQ2003A
仓库库存编号：
497-2358-5-ND
别名：497-2358-5
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN4986FE,LF(CB
仓库库存编号：
RN4986FELF(CBCT-ND
别名：RN4986FE(T5LFT)CT
RN4986FE(T5LFT)CT-ND
RN4986FELF(CBCT
RN4986FELF(CTCT
RN4986FELF(CTCT-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN4905FE,LF(CB
仓库库存编号：
RN4905FELF(CBCT-ND
别名：RN4905FE(TE85LF)CT
RN4905FE(TE85LF)CT-ND
RN4905FELF(CBCT
RN4905FELF(CTCT
RN4905FELF(CTCT-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV
型号：
RN2506(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2506(TE85LF)CT-ND
别名：RN2506(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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