规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
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NXP USA Inc.
TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 30V 500mA 125MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
MPSA64,116
仓库库存编号：
MPSA64,116-ND
别名：933601380116
MPSA64 T/R
MPSA64 T/R-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 300V 0.1A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 100mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92-3
型号：
MPSA92,126
仓库库存编号：
MPSA92,126-ND
别名：933431190126
MPSA92 AMO
MPSA92 AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 300V 0.1A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 100mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92-3
型号：
MPSA92,116
仓库库存编号：
MPSA92,116-ND
别名：933431190116
MPSA92 T/R
MPSA92 T/R-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 40V 1A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 1A 150MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBSS4140S,126
仓库库存编号：
PBSS4140S,126-ND
别名：934056903126
PBSS4140S AMO
PBSS4140S AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 40V 1A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 1A 150MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBSS5140S,126
仓库库存编号：
PBSS5140S,126-ND
别名：934056904126
PBSS5140S AMO
PBSS5140S AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA114ES,126
仓库库存编号：
PDTA114ES,126-ND
别名：934047380126
PDTA114ES AMO
PDTA114ES AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA114TS,126
仓库库存编号：
PDTA114TS,126-ND
别名：934047390126
PDTA114TS AMO
PDTA114TS AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA124ES,126
仓库库存编号：
PDTA124ES,126-ND
别名：934047370126
PDTA124ES AMO
PDTA124ES AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA144ES,126
仓库库存编号：
PDTA144ES,126-ND
别名：934047350126
PDTA144ES AMO
PDTA144ES AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTB113ES,126
仓库库存编号：
PDTB113ES,126-ND
别名：934059144126
PDTB113ES AMO
PDTB113ES AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTB113ZS,126
仓库库存编号：
PDTB113ZS,126-ND
别名：934059146126
PDTB113ZS AMO
PDTB113ZS AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTB123ES,126
仓库库存编号：
PDTB123ES,126-ND
别名：934059142126
PDTB123ES AMO
PDTB123ES AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTB123TS,126
仓库库存编号：
PDTB123TS,126-ND
别名：934059727126
PDTB123TS AMO
PDTB123TS AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTB123YS,126
仓库库存编号：
PDTB123YS,126-ND
别名：934059148126
PDTB123YS AMO
PDTB123YS AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC114ES,126
仓库库存编号：
PDTC114ES,126-ND
别名：934047440126
PDTC114ES AMO
PDTC114ES AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC114TS,126
仓库库存编号：
PDTC114TS,126-ND
别名：934047400126
PDTC114TS AMO
PDTC114TS AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC124ES,126
仓库库存编号：
PDTC124ES,126-ND
别名：934047430126
PDTC124ES AMO
PDTC124ES AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC143ES,126
仓库库存编号：
PDTC143ES,126-ND
别名：934047420126
PDTC143ES AMO
PDTC143ES AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC144ES,126
仓库库存编号：
PDTC144ES,126-ND
别名：934047410126
PDTC144ES AMO
PDTC144ES AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTD113ES,126
仓库库存编号：
PDTD113ES,126-ND
别名：934059141126
PDTD113ES AMO
PDTD113ES AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTD113ZS,126
仓库库存编号：
PDTD113ZS,126-ND
别名：934059145126
PDTD113ZS AMO
PDTD113ZS AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTD123ES,126
仓库库存编号：
PDTD123ES,126-ND
别名：934059143126
PDTD123ES AMO
PDTD123ES AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTD123TS,126
仓库库存编号：
PDTD123TS,126-ND
别名：934059726126
PDTD123TS AMO
PDTD123TS AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTD123YS,126
仓库库存编号：
PDTD123YS,126-ND
别名：934059147126
PDTD123YS AMO
PDTD123YS AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 15V 0.2A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 200mA 500MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PH2369,126
仓库库存编号：
PH2369,126-ND
别名：933450090126
PH2369 AMO
PH2369 AMO-ND
规格：封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）,
无铅
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