规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 195W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTH1N300P3HV
仓库库存编号：
IXTH1N300P3HV-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
不受无铅要求限制
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 67A（Tc） 694W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT50M65B2FLLG
仓库库存编号：
APT50M65B2FLLG-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT10045B2LLG
仓库库存编号：
APT10045B2LLG-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT12067B2FLLG
仓库库存编号：
APT12067B2FLLG-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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IXYS
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 520W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTH1N450HV
仓库库存编号：
IXTH1N450HV-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
不受无铅要求限制
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 960W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTX4N300P3HV
仓库库存编号：
IXTX4N300P3HV-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
不受无铅要求限制
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IXYS
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 960W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTX1R4N450HV
仓库库存编号：
IXTX1R4N450HV-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
不受无铅要求限制
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 960W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTX6N200P3HV
仓库库存编号：
IXTX6N200P3HV-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
不受无铅要求限制
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT28M120B2
仓库库存编号：
APT28M120B2-ND
别名：APT28M120B2MI
APT28M120B2MI-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 75A Through Hole TO-247-3 Variant
型号：
APT60S20B2CTG
仓库库存编号：
APT60S20B2CTG-ND
别名：APT60S20B2CTGMI
APT60S20B2CTGMI-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
详细描述：IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole
型号：
APT33GF120B2RDQ2G
仓库库存编号：
APT33GF120B2RDQ2G-ND
别名：APT33GF120B2RDQ2GMI
APT33GF120B2RDQ2GMI-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 134A 543W TO-247
详细描述：IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole
型号：
APT50GN120B2G
仓库库存编号：
APT50GN120B2G-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 117A 500W TO-247
详细描述：IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole
型号：
APT64GA90B2D30
仓库库存编号：
APT64GA90B2D30-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 56A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT56F50B2
仓库库存编号：
APT56F50B2-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 150A 625W TMAX
详细描述：IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole
型号：
APT50GP60B2DQ2G
仓库库存编号：
APT50GP60B2DQ2G-ND
别名：APT50GP60B2DQ2GMI
APT50GP60B2DQ2GMI-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT84M50B2
仓库库存编号：
APT84M50B2-ND
别名：APT84M50B2MI
APT84M50B2MI-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 220A 536W SOT227
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole
型号：
APT150GN60B2G
仓库库存编号：
APT150GN60B2G-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 125W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTH1N200P3HV
仓库库存编号：
IXTH1N200P3HV-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 67A 272W TMAX
详细描述：IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 67A 272W Through Hole
型号：
APT25GN120B2DQ2G
仓库库存编号：
APT25GN120B2DQ2G-ND
别名：APT25GN120B2DQ2GMI
APT25GN120B2DQ2GMI-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 121A 520W TO-247
详细描述：IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole
型号：
APT68GA60B2D40
仓库库存编号：
APT68GA60B2D40-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 200A 833W TMAX
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole
型号：
APT75GN120B2G
仓库库存编号：
APT75GN120B2G-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT56M60B2
仓库库存编号：
APT56M60B2-ND
别名：APT56M60B2MP
APT56M60B2MP-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 500V 46A（Tc） 520W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT5010B2LLG
仓库库存编号：
APT5010B2LLG-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT56F60B2
仓库库存编号：
APT56F60B2-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 800V 43A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT41M80B2
仓库库存编号：
APT41M80B2-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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