规格:封装/外壳 TO-247-3,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 143A 625W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT80GA60B
仓库库存编号:
APT80GA60B-ND
别名:APT80GA60BMI
APT80GA60BMI-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX120N30T
仓库库存编号:
IXFX120N30T-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 21A 105W TO247
详细描述:IGBT 1200V 21A 105W Through Hole ISO247?
型号:
IXYJ20N120C3D1
仓库库存编号:
IXYJ20N120C3D1-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 64A 480W TO247
详细描述:IGBT 1200V 64A 480W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号:
IXYH40N120C3D1
仓库库存编号:
IXYH40N120C3D1-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 67A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH67N10
仓库库存编号:
IXTH67N10-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE 1.2KV 20A RAPID2 TO247-3
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 31A Through Hole TO-247-3
型号:
IDW20G120C5BFKSA1
仓库库存编号:
IDW20G120C5BFKSA1-ND
别名:SP001020716
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 61.8A(Ta) 400W(Tc) TO-247
型号:
TK62N60W,S1VF
仓库库存编号:
TK62N60WS1VF-ND
别名:TK62N60W,S1VF(S
TK62N60WS1VF
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 170A 962W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole T-MAX?
型号:
APT85GR120B2
仓库库存编号:
APT85GR120B2-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE ARRAY SCHOTTKY 15V TO247AC
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 20A Through Hole TO-247-3
型号:
VS-STPS40L15CWPBF
仓库库存编号:
VS-STPS40L15CWPBF-ND
别名:*STPS40L15CWPBF
STPS40L15CWPBF
STPS40L15CWPBF-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 52A 208W TO247
详细描述:IGBT 600V 52A 208W Through Hole TO-247-3
型号:
STGWA19NC60HD
仓库库存编号:
497-11088-5-ND
别名:497-11088-5
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO247
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 15A Through Hole TO-247-3
型号:
DSA30C150HB
仓库库存编号:
DSA30C150HB-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 80A 290W TO247
详细描述:IGBT Field Stop 600V 80A 290W Through Hole TO-247
型号:
FGH40N60UFDTU
仓库库存编号:
FGH40N60UFDTU-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP DARL 150V 15A TO247
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 150V 15A 3MHz 150W Through Hole TO-247
型号:
MJH11017G
仓库库存编号:
MJH11017GOS-ND
别名:MJH11017GOS
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 19A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 179W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG20N50E-GE3
仓库库存编号:
SIHG20N50E-GE3-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 50A 230W TO247AD
详细描述:IGBT PT 650V 50A 230W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号:
IXYH20N65C3
仓库库存编号:
IXYH20N65C3-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE ARRAY GP 600V 8A TO247AC
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 8A (DC) Through Hole TO-247-3
型号:
VS-HFA16PA60CPBF
仓库库存编号:
HFA16PA60CPBF-ND
别名:*HFA16PA60CPBF
HFA16PA60CPBF
VS-HFA16PA60CPBF-ND
VSHFA16PA60CPBF
VSHFA16PA60CPBF-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 50A 190W TO247-3
详细描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 50A 190W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IGW25T120
仓库库存编号:
IGW25T120-ND
别名:IGW25T120FKSA1
SP000013887
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG25N50E-GE3
仓库库存编号:
SIHG25N50E-GE3-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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ON Semiconductor
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 20A Through Hole TO-247-3
型号:
MBR40H100WTG
仓库库存编号:
MBR40H100WTGOS-ND
别名:MBR40H100WTG-ND
MBR40H100WTGOS
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 80A 282W TO247
详细描述:IGBT 650V 80A 282W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IHW50N65R5XKSA1
仓库库存编号:
IHW50N65R5XKSA1-ND
别名:SP001133104
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 25A 1200V TO-247
详细描述:IGBT Trench 1200V 50A 385W Through Hole TO-247-3
型号:
NGTB25N120SWG
仓库库存编号:
NGTB25N120SWGOS-ND
别名:NGTB25N120SWGOS
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 312W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG22N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHG22N50D-GE3-ND
别名:SIHG22N50DGE3
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 227W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG22N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHG22N65E-GE3-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600V M6 POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 208W(Tc) TO-247
型号:
STW36N60M6
仓库库存编号:
497-17553-ND
别名:497-17553
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO247AC
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30A Through Hole TO-247-3
型号:
VS-30CPQ035-N3
仓库库存编号:
VS-30CPQ035-N3GI-ND
别名:VS-30CPQ035-N3GI
规格:封装/外壳 TO-247-3,
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