规格:封装/外壳 TO-247-3,
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ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 60A 200V TO-247
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 30A Through Hole TO-247-3
型号:
NTSW60200CTG
仓库库存编号:
NTSW60200CTG-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 25A(Tc) 175W(Tc) TO-247
型号:
APT25SM120B
仓库库存编号:
APT25SM120B-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 10.5A(Tc) 310W(Tc) TO-247AD
型号:
APT1001R1BN
仓库库存编号:
APT1001R1BN-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 11A(Tc) 310W(Tc) TO-247AD
型号:
APT1001RBN
仓库库存编号:
APT1001RBN-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 28A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD
型号:
APT5020BN
仓库库存编号:
APT5020BN-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 28A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD
型号:
APT5020BNFR
仓库库存编号:
APT5020BNFR-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 27A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD
型号:
APT5022BNG
仓库库存编号:
APT5022BNG-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 23A(Tc) 310W(Tc) TO-247AD
型号:
APT5025BN
仓库库存编号:
APT5025BN-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 23A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD
型号:
APT6030BN
仓库库存编号:
APT6030BN-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 18A(Tc) 310W(Tc) TO-247AD
型号:
APT6040BN
仓库库存编号:
APT6040BN-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 18A(Tc) 310W(Tc) TO-247AD
型号:
APT6040BNG
仓库库存编号:
APT6040BNG-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 800V 13A(Tc) 310W(Tc) TO-247AD
型号:
APT8075BN
仓库库存编号:
APT8075BN-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Microsemi Corporation
RF MOSFET N-CH 1000V TO247
详细描述:RF Mosfet N-Channel 50V 65MHz 15dB 150W TO-247
型号:
ARF461CG
仓库库存编号:
ARF461CG-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 14A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH14N100Q
仓库库存编号:
IXFH14N100Q-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 300V 35A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH35N30Q
仓库库存编号:
IXFH35N30Q-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 100V 67A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH67N10Q
仓库库存编号:
IXFH67N10Q-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 21A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXTH)
型号:
IXTH21N50Q
仓库库存编号:
IXTH21N50Q-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT W/DIODE 600V 40A TO-247AC
详细描述:IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGPC40UD2
仓库库存编号:
IRGPC40UD2-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT FAST 900V 51A TO-247AC
详细描述:IGBT 900V 51A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGPF50F
仓库库存编号:
IRGPF50F-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT FAST 600V 70A TO-247AC
详细描述:IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGPC50F
仓库库存编号:
IRGPC50F-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT W/DIODE 600V 55A TO-247AC
详细描述:IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGPC50UD2
仓库库存编号:
IRGPC50UD2-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT W/DIODE 600V 70A TO-247AC
详细描述:IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGPC50FD2
仓库库存编号:
IRGPC50FD2-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT W/DIODE 600V 49A TO-247AC
详细描述:IGBT 600V 49A 160W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGPC40FD2
仓库库存编号:
IRGPC40FD2-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT W/DIODE 600V 31A TO-247AC
详细描述:IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGPC30FD2
仓库库存编号:
IRGPC30FD2-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT FAST 1200V 45A TO-247AC
详细描述:IGBT 1200V 45A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGPH50F
仓库库存编号:
IRGPH50F-ND
规格:封装/外壳 TO-247-3,
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