规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(534)
电路保护
(1)
分立半导体产品
(513)
集成电路(IC)
(19)
传感器,变送器
(1)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(34)
Diodes Incorporated(58)
Fairchild/Micross Components(8)
Fairchild/ON Semiconductor(2)
Infineon Technologies(96)
Kionix Inc.(5)
Littelfuse Inc.(2)
Renesas Electronics America(13)
Rohm Semiconductor(18)
SMC Diode Solutions(1)
STMicroelectronics(158)
Texas Instruments(14)
Toshiba Semiconductor and Storage(114)
Vishay Beyschlag(5)
Vishay Electro-Films(2)
Vishay Huntington Electric Inc.(2)
Vishay Siliconix(1)
Vishay Spectrol(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
MOSFET PCH 60V 7.7A POWERDI
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.7A(Ta) 1W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP6023LFGQ-13
仓库库存编号:
DMP6023LFGQ-13-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET PCH 60V 7.7A POWERDI
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.7A(Ta) 1W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP6023LFGQ-7
仓库库存编号:
DMP6023LFGQ-7-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 16A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),55.6A(Tc) 27.8W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT3006LFG-13
仓库库存编号:
DMT3006LFG-13-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2.4A 1.4W Surface Mount PowerDI3333-8
型号:
DMC6070LND-13
仓库库存编号:
DMC6070LND-13-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2.4A 1.4W Surface Mount PowerDI3333-8
型号:
DMC6070LND-7
仓库库存编号:
DMC6070LND-7-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),100A(Tc) 2.4W(Ta), 62W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT3003LFG-13
仓库库存编号:
DMT3003LFG-13-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),100A(Tc) 2.4W(Ta), 62W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT3003LFG-7
仓库库存编号:
DMT3003LFG-7-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3333-
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 2.4W(Ta) V-DFN3333-8
型号:
DMP3007SCG-13
仓库库存编号:
DMP3007SCG-13-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3333-
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 2.4W(Ta) V-DFN3333-8
型号:
DMP3007SCG-7
仓库库存编号:
DMP3007SCG-7-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
详细描述:表面贴装 P 沟道 89A(Tc) 2.2W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP2005UFG-13
仓库库存编号:
DMP2005UFG-13-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
详细描述:表面贴装 P 沟道 89A(Tc) 2.2W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP2005UFG-7
仓库库存编号:
DMP2005UFG-7-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 700mW(Ta),30W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN14006NH,L1Q
仓库库存编号:
TPN14006NHL1QCT-ND
别名:TPN14006NHL1QCT
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
详细描述:表面贴装 P 沟道 70A(Tc) 2.8W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP3007SFG-13
仓库库存编号:
DMP3007SFG-13-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/10A 8DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 9.1A, 10A 1.9W, 2W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号:
AON6906A
仓库库存编号:
AON6906A-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.4A(Ta),25A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT3004LFG-13
仓库库存编号:
DMT3004LFG-13-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.4A(Ta),25A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT3004LFG-7
仓库库存编号:
DMT3004LFG-7-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 700mW(Ta),19W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN6R303NC,LQ
仓库库存编号:
TPN6R303NCLQCT-ND
别名:TPN6R303NCLQCT
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.6A(Ta),62A(Tc) 900mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN3008SFGQ-13
仓库库存编号:
DMN3008SFGQ-13-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.6A(Ta),62A(Tc) 900mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN3008SFGQ-7
仓库库存编号:
DMN3008SFGQ-7-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.3A(Ta),45A(Tc) 1W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN6013LFGQ-13
仓库库存编号:
DMN6013LFGQ-13-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.3A(Ta),45A(Tc) 1W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN6013LFGQ-7
仓库库存编号:
DMN6013LFGQ-7-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET PCH 40V 10.3A POWERDI
详细描述:表面贴装 P 沟道 10.3A(Ta) 1W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP4013LFGQ-13
仓库库存编号:
DMP4013LFGQ-13-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET PCH 40V 10.3A POWERDI
详细描述:表面贴装 P 沟道 10.3A(Ta) 1W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP4013LFGQ-7
仓库库存编号:
DMP4013LFGQ-7-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
搜索
STMicroelectronics
AUTOMOTIVE POWER SCHOTTKY RECTIF
详细描述:Diode Array 2 Independent Schottky 3.5A Surface Mount 8-PowerVDFN
型号:
STPS660DDJFY-TR
仓库库存编号:
STPS660DDJFY-TR-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
搜索
STMicroelectronics
AUTOMOTIVE ULTRAFAST RECOVERY DI
详细描述:Diode Array 2 Independent Standard 4A Surface Mount 8-PowerVDFN
型号:
STTH8R02DDJFY-TR
仓库库存编号:
STTH8R02DDJFY-TR-ND
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
搜索
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号