规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
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Bourns Inc.
RES SMD 30 OHM 1% 20W D2PAK
详细描述：±1% 20W 厚膜 芯片电阻 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 汽车级 AEC-Q200，电流检测，防脉冲 厚膜
型号：
PWR263S-20-30R0F
仓库库存编号：
PWR263S-20-30R0F-ND
别名：PWR263S2030R0F
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 5.6 OHM 1% 20W D2PAK
详细描述：±1% 20W 厚膜 芯片电阻 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 汽车级 AEC-Q200，电流检测，防脉冲 厚膜
型号：
PWR263S-20-5R60F
仓库库存编号：
PWR263S-20-5R60F-ND
别名：PWR263S205R60F
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 15 OHM 1% 20W D2PAK
详细描述：±1% 20W 厚膜 芯片电阻 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 汽车级 AEC-Q200，电流检测，防脉冲 厚膜
型号：
PWR263S-20-15R0F
仓库库存编号：
PWR263S-20-15R0F-ND
别名：PWR263S2015R0F
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA3N100D2
仓库库存编号：
IXTA3N100D2-ND
别名：623496
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 2 OHM 1% 20W D2PAK
详细描述：±1% 20W 厚膜 芯片电阻 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 汽车级 AEC-Q200，电流检测，防脉冲 厚膜
型号：
PWR263S-20-2R00F
仓库库存编号：
PWR263S-20-2R00F-ND
别名：PWR263S202R00F
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA6N100D2
仓库库存编号：
IXTA6N100D2-ND
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 130A 600W TO263
详细描述：IGBT PT 650V 130A 600W Surface Mount TO-263
型号：
IXYA50N65C3
仓库库存编号：
IXYA50N65C3-ND
别名：629999
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Ohmite
RES SMD 200 OHM 5% 35W DPAK
详细描述：±5% 35W 厚膜 芯片电阻 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 防潮 厚膜
型号：
TDH35P200RJE
仓库库存编号：
TDH35P200RJE-ND
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Ohmite
RES SMD 750 MOHM 5% 35W DPAK
详细描述：±5% 35W 厚膜 芯片电阻 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 防潮 厚膜
型号：
TDH35PR750JE
仓库库存编号：
TDH35PR750JE-ND
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Ohmite
RES SMD 2 OHM 5% 35W DPAK
详细描述：±5% 35W 厚膜 芯片电阻 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 防潮 厚膜
型号：
TDH35P2R00JE
仓库库存编号：
TDH35P2R00JE-ND
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Ohmite
RES SMD 360 MOHM 5% 35W DPAK
详细描述：±5% 35W 厚膜 芯片电阻 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 防潮 厚膜
型号：
TDH35PR360JE
仓库库存编号：
TDH35PR360JE-ND
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Vishay Sfernice
RES SMD 470 MOHM 1% 35W TO263
详细描述：±1% 35W 厚膜 芯片电阻 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 汽车级 AEC-Q200，防潮，非电感 厚膜
型号：
D2TO035CR4700FTE3
仓库库存编号：
D2TO-.470A-ND
别名：D2TO 35 C U47 1% TU50 E3
D2TO-.470A
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Vishay Sfernice
RES SMD 10 OHM 1% 35W TO263
详细描述：±1% 35W 厚膜 芯片电阻 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 汽车级 AEC-Q200，防潮，非电感 厚膜
型号：
D2TO035C10R00FTE3
仓库库存编号：
D2TO-10.0A-ND
别名：D2TO 35 C 10U 1% TU50 E3
D2TO-10.0A
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Vishay Sfernice
RES SMD 2.2 OHM 1% 35W TO263
详细描述：±1% 35W 厚膜 芯片电阻 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 汽车级 AEC-Q200，防潮，非电感 厚膜
型号：
D2TO035C2R200FTE3
仓库库存编号：
D2TO-2.20A-ND
别名：D2TO 35 C 2U2 1% TU50 E3
D2TO-2.20A
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Vishay Sfernice
RES SMD 100 MOHM 1% 35W TO263
详细描述：±1% 35W 厚膜 芯片电阻 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 汽车级 AEC-Q200，防潮，非电感 厚膜
型号：
D2TO035CR1000FTE3
仓库库存编号：
D2TO-.100A-ND
别名：D2TO 35 C U1 1% TU50 E3
D2TO-.100A
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A LPT
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）
型号：
R6004ENJTL
仓库库存编号：
R6004ENJTLCT-ND
别名：R6004ENJTLCT
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 82A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
IRF2807STRLPBF
仓库库存编号：
IRF2807STRLPBFCT-ND
别名：IRF2807STRLPBFCT
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
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STMicroelectronics
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 30A 136W Surface Mount D2PAK
型号：
STGB15M65DF2
仓库库存编号：
497-16507-1-ND
别名：497-16507-1
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF75639S3ST
仓库库存编号：
HUF75639S3STCT-ND
别名：HUF75639S3STCT
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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STMicroelectronics
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W Surface Mount D2PAK
型号：
STGB30V60F
仓库库存编号：
497-16477-1-ND
别名：497-16477-1
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK
详细描述：标准 表面贴装 二极管 15A D2PAK
型号：
VS-ETH1506S-M3
仓库库存编号：
VS-ETH1506S-M3-ND
别名：VSETH1506SM3
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 195W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
IRLS3813TRLPBF
仓库库存编号：
IRLS3813TRLPBFCT-ND
别名：IRLS3813TRLPBFCT
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 8A D2PAK
详细描述：标准 表面贴装 二极管 8A D2PAK
型号：
VS-8ETU04SPBF
仓库库存编号：
VS-8ETU04SPBFGI-ND
别名：*8ETU04SPBF
8ETU04SPBF
8ETU04SPBF-ND
Q5619007
VS-8ETU04SPBF-ND
VS-8ETU04SPBFGI
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF614SPBF
仓库库存编号：
IRF614SPBF-ND
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
详细描述：标准 表面贴装 二极管 30A D2PAK
型号：
VS-ETH3006S-M3
仓库库存编号：
VS-ETH3006S-M3-ND
别名：VSETH3006SM3
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
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