规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 60W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 13A 60W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC20UDSTRLP
仓库库存编号:
IRG4BC20UDSTRLP-ND
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 97A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3507TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS3507TRLPBF-ND
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3716STRLPBF
仓库库存编号:
IRL3716STRLPBF-ND
别名:SP001578504
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 60W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 16A 60W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC20K-STRLP
仓库库存编号:
IRG4BC20K-STRLP-ND
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
IC IPS SW LOW SIDE D2PAK
型号:
IPS1031STRLPBF
仓库库存编号:
IPS1031STRLPBF-ND
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
IC IPS SW LOW SIDE D2PAK
型号:
IPS1021STRLPBF
仓库库存编号:
IPS1021STRLPBF-ND
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
IC IPS SW LOW SIDE D2PAK
型号:
IPS1011STRLPBF
仓库库存编号:
IPS1011STRLPBF-ND
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 42W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB096N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPB096N03LGATMA1CT-ND
别名:IPB096N03LGINCT
IPB096N03LGINCT-ND
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 24A(Tc) 144W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS5620TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS5620TRLPBFCT-ND
别名:IRFS5620TRLPBFCT
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 6A D2PAK
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 6A(DC) D2PAK
型号:
IDB06S60C
仓库库存编号:
IDB06S60C-ND
别名:IDB06S60CATMA1
SP000411538
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 10A(DC) D2PAK
型号:
IDB10S60C
仓库库存编号:
IDB10S60C-ND
别名:IDB10S60CATMA1
SP000411540
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB05CN10N G
仓库库存编号:
IPB05CN10N G-ND
别名:SP000096440
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB06CN10N G
仓库库存编号:
IPB06CN10N G-ND
别名:SP000096446
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 95A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB08CN10N G
仓库库存编号:
IPB08CN10N G-ND
别名:SP000096448
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 95A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB08CNE8N G
仓库库存编号:
IPB08CNE8N G-ND
别名:SP000096449
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N04S204ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N04S204ATMA1TR-ND
别名:IPB100N04S2-04
IPB100N04S2-04-ND
SP000219061
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N04S2L03ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N04S2L03ATMA1TR-ND
别名:IPB100N04S2L-03
IPB100N04S2L-03-ND
SP000219065
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S205ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N06S205ATMA1TR-ND
别名:IPB100N06S2-05
IPB100N06S2-05-ND
SP000218874
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S2L05ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N06S2L05ATMA1TR-ND
别名:IPB100N06S2L-05
IPB100N06S2L-05-ND
SP000219003
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 38W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB114N03L G
仓库库存编号:
IPB114N03L G-ND
别名:SP000304102
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB12CN10N G
仓库库存编号:
IPB12CN10N G-ND
别名:SP000096450
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB12CNE8N G
仓库库存编号:
IPB12CNE8N G-ND
别名:SP000096451
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 31W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB147N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPB147N03LGATMA1TR-ND
别名:IPB147N03L G
IPB147N03L G-ND
SP000254712
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB16CN10N G
仓库库存编号:
IPB16CN10N G-ND
别名:SP000096452
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB26CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPB26CN10NGATMA1TR-ND
别名:IPB26CN10N G
IPB26CN10N G-ND
SP000277692
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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