规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB11N03LA
仓库库存编号：
IPB11N03LA-ND
别名：IPB11N03LAT
SP000014987
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB11N03LA G
仓库库存编号：
IPB11N03LA G-ND
别名：IPB11N03LAGXT
SP000103306
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 52W（Tc） P-TO263-3
型号：
IPB13N03LB
仓库库存编号：
IPB13N03LB-ND
别名：IPB13N03LBT
SP000064218
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB14N03LA G
仓库库存编号：
IPB14N03LA G-ND
别名：IPB14N03LAGXT
SP000085264
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 25A（Tc） 48W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB25N06S3-25
仓库库存编号：
IPB25N06S3-25-ND
别名：IPB25N06S325XT
SP000088000
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 25A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB25N06S3L-22
仓库库存编号：
IPB25N06S3L-22-ND
别名：IPB25N06S3L22XT
SP000087994
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 77A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB77N06S3-09
仓库库存编号：
IPB77N06S3-09-ND
别名：IPB77N06S309XT
SP000088715
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 135W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S3-07
仓库库存编号：
IPB80N06S3-07-ND
别名：IPB80N06S307XT
SP000088065
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPBH6N03LA
仓库库存编号：
IPBH6N03LA-ND
别名：IPBH6N03LAT
SP000068587
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 6A D2PAK
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 6A（DC） D2PAK
型号：
SDB06S60
仓库库存编号：
SDB06S60-ND
别名：SDB06S60T
SDB06S60XT
SP000013624
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE ARRAY SCHOTTKY 300V D2PAK
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 300V 10A (DC) Surface Mount TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
型号：
SDB20S30
仓库库存编号：
SDB20S30-ND
别名：SDB20S30T
SDB20S30XT
SP000013514
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Ta） 42W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB08P06P
仓库库存编号：
SPB08P06P-ND
别名：SP000012508
SPB08P06PT
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N03S2-03 G
仓库库存编号：
SPB100N03S2-03 G-ND
别名：SP000200140
SPB100N03S203GXT
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N03S2L-03 G
仓库库存编号：
SPB100N03S2L-03 G-ND
别名：SP000200141
SPB100N03S2L03GXT
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N04S2-04
仓库库存编号：
SPB100N04S2-04-ND
别名：SP000013711
SPB100N04S204T
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N04S2L-03
仓库库存编号：
SPB100N04S2L-03-ND
别名：SP000013712
SPB100N04S2L03T
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N06S2-05
仓库库存编号：
SPB100N06S2-05-ND
别名：SP000013713
SPB100N06S205T
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N06S2L-05
仓库库存编号：
SPB100N06S2L-05-ND
别名：SP000013714
SPB100N06S2L05T
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N08S2-07
仓库库存编号：
SPB100N08S2-07-ND
别名：SP000013715
SPB100N08S207T
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N08S2L-07
仓库库存编号：
SPB100N08S2L-07-ND
别名：SP000013716
SPB100N08S2L07T
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB10N10
仓库库存编号：
SPB10N10-ND
别名：SP000013845
SPB10N10T
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB10N10 G
仓库库存编号：
SPB10N10 G-ND
别名：SP000102168
SPB10N10GXT
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB10N10L
仓库库存编号：
SPB10N10L-ND
别名：SP000013836
SPB10N10LT
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO263-3
型号：
SPB18P06P
仓库库存编号：
SPB18P06P-ND
别名：SP000012329
SPB18P06PT
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB21N10 G
仓库库存编号：
SPB21N10 G-ND
别名：SP000102171
SPB21N10GXT
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
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