规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(7624)
电路保护
(24)
分立半导体产品
(6327)
集成电路（IC）
(350)
电阻器
(923)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(77)
Bourns Inc.(278)
Caddock Electronics Inc.(17)
Central Semiconductor Corp(3)
Comchip Technology(25)
Cree/Wolfspeed(9)
Diodes Incorporated(175)
Fairchild/Micross Components(628)
Fairchild/ON Semiconductor(144)
Global Power Technologies Group(3)
Infineon Technologies(1122)
IXYS(305)
Kionix Inc.(6)
Littelfuse Inc.(216)
Micro Commercial Co(2)
Microsemi Corporation(11)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(2)
Nexperia USA Inc.(188)
NXP USA Inc.(73)
Ohmite(87)
ON Semiconductor(52)
Power Integrations(14)
Renesas Electronics America(50)
Riedon(289)
Rohm Semiconductor(30)
Sanken(26)
SMC Diode Solutions(111)
STMicroelectronics(667)
Taiwan Semiconductor Corporation(253)
Texas Instruments(1)
Toshiba Semiconductor and Storage(6)
Vishay BC Components(184)
Vishay Beyschlag(1313)
Vishay Electro-Films(532)
Vishay Huntington Electric Inc.(165)
Vishay Semiconductor Diodes Division(75)
Vishay Semiconductor Opto Division(42)
Vishay Sfernice(74)
Vishay Siliconix(247)
Vishay Spectrol(30)
Vishay Sprague(3)
Vishay Thin Film(8)
Vishay Vitramon(5)
WeEn Semiconductors(76)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
型号：
BUZ30AH3045AATMA1
仓库库存编号：
BUZ30AH3045AATMA1CT-ND
别名：BUZ30AH3045AINCT
BUZ30AH3045AINCT-ND
BUZ30AL3045AINCT
BUZ30AL3045AINCT-ND
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V D2-PAK AUTO
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRLZ24NSTRL
仓库库存编号：
AUIRLZ24NSTRL-ND
别名：SP001516890
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R380C6ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R380C6ATMA1CT-ND
别名：IPB65R380C6CT
IPB65R380C6CT-ND
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R660CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPB65R660CFDAATMA1-ND
别名：SP000875794
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 170W TO263-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 40A 170W Surface Mount PG-TO263-3
型号：
IGB20N60H3
仓库库存编号：
IGB20N60H3CT-ND
别名：IGB20N60H3CT
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
详细描述：IGBT 1200V 11A 60W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BH20K-STRLP
仓库库存编号：
IRG4BH20K-STRLP-ND
别名：SP001540346
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 90W D2PAK
详细描述：IGBT NPT 600V 13A 90W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS6B60KTRLPBF
仓库库存编号：
IRGS6B60KTRLPBFCT-ND
别名：IRGS6B60KTRLPBFCT
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB029N06N3GE8187ATMA1
仓库库存编号：
IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND
别名：IPB029N06N3 G E8187
IPB029N06N3 G E8187-ND
SP000939334
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB90N06S4L04ATMA2
仓库库存编号：
IPB90N06S4L04ATMA2-ND
别名：SP001028756
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N04S4L02ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N04S4L02ATMA1-ND
别名：SP000979924
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2LH5ATMA4
仓库库存编号：
IPB80N06S2LH5ATMA4-ND
别名：SP001058126
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S403ATMA2
仓库库存编号：
IPB120N06S403ATMA2-ND
别名：SP001028770
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-263
型号：
IPB60R280P6ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R280P6ATMA1-ND
别名：SP001364468
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 43A（Tc） 71W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS3806TRL
仓库库存编号：
AUIRFS3806TRL-ND
别名：SP001516146
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
详细描述：IGBT 1200V 9.6A 62.5W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号：
IKB03N120H2ATMA1
仓库库存编号：
IKB03N120H2ATMA1TR-ND
别名：IKB03N120H2
IKB03N120H2-ND
SP000014272
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB049N08N5ATMA1
仓库库存编号：
IPB049N08N5ATMA1-ND
别名：SP001227052
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 30A 130W TO263-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 30A 130W Surface Mount PG-TO-263
型号：
IKB15N60TATMA1
仓库库存编号：
IKB15N60TATMA1TR-ND
别名：IKB15N60T
IKB15N60T-ND
SP000054882
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 59A
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 59A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3707ZSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF3707ZSTRLPBF-ND
别名：SP001563142
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 12A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB50R299CPATMA1
仓库库存编号：
IPB50R299CPATMA1TR-ND
别名：IPB50R299CP
IPB50R299CP-ND
SP000236094
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 61A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4510TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4510TRLPBFCT-ND
别名：IRFS4510TRLPBFCT
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB60R385CP
仓库库存编号：
IPB60R385CPCT-ND
别名：IPB60R385CPCT
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N08S406ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N08S406ATMA1-ND
别名：SP000984296
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 260W（Tc） D2PAK
型号：
IRF8010STRLPBF
仓库库存编号：
IRF8010STRLPBFCT-ND
别名：IRF8010STRLPBFCT
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO263-2
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 650V 4A（DC） PG-TO263-2
型号：
IDK04G65C5XTMA2
仓库库存编号：
IDK04G65C5XTMA2-ND
别名：SP001633202
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3-2
详细描述：IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号：
SKB02N120ATMA1
仓库库存编号：
SKB02N120ATMA1TR-ND
别名：SKB02N120
SKB02N120-ND
SP000012567
规格：封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB,
无铅
搜索
196
197
198
199
200
201
202
203
204
205
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
