规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 80A(Tc) 88W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80P04P4L06ATMA1
仓库库存编号:
IPB80P04P4L06ATMA1-ND
别名:SP000842046
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 29.2A D2PAK
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 29.2A(DC) PG-TO263-3
型号:
IDB15E60ATMA1
仓库库存编号:
IDB15E60ATMA1-ND
别名:SP000014044
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 80A(Tc) 88W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80P03P4L07ATMA1
仓库库存编号:
IPB80P03P4L07ATMA1TR-ND
别名:IPB80P03P4L-07
IPB80P03P4L-07-ND
SP000396288
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S407ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S407ATMA2-ND
别名:SP001028672
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ46ZSTRLPBF-ND
别名:SP001571826
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L11ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S2L11ATMA2-ND
别名:SP001061398
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 100W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S3-06
仓库库存编号:
IPB80N04S306ATMA1CT-ND
别名:IPB80N04S3-06CT
IPB80N04S3-06CT-ND
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3709STRLPBF-ND
别名:SP001559576
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N03S4L02ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N03S4L02ATMA1TR-ND
别名:IPB80N03S4L-02
IPB80N03S4L-02-ND
IPB80N03S4L-02INTR
IPB80N03S4L-02INTR-ND
SP000273282
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 77A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB77N06S212ATMA2
仓库库存编号:
IPB77N06S212ATMA2-ND
别名:SP001061294
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709ZSTRRPBF
仓库库存编号:
IRF3709ZSTRRPBF-ND
别名:SP001563134
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S405ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S405ATMA2-ND
别名:SP001028718
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S4L05ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S4L05ATMA2-ND
别名:SP001028720
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 120A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N03S4L03ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N03S4L03ATMA1-ND
别名:SP000936514
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO263-2
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 650V 2A(DC) PG-TO263-2
型号:
IDK02G65C5XTMA2
仓库库存编号:
IDK02G65C5XTMA2-ND
别名:SP001633208
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 45A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB45N06S409ATMA2
仓库库存编号:
IPB45N06S409ATMA2-ND
别名:SP001028652
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB60R600P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R600P6ATMA1-ND
别名:SP001313874
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB04N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPB04N50C3ATMA1TR-ND
别名:SP000014477
SPB04N50C3
SPB04N50C3-ND
SPB04N50C3INTR
SPB04N50C3INTR-ND
SPB04N50C3XT
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
详细描述:IGBT 1200V 3.2A 28W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号:
IGB01N120H2ATMA1
仓库库存编号:
IGB01N120H2ATMA1TR-ND
别名:IGB01N120H2
IGB01N120H2-ND
SP000014614
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB530N15N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB530N15N3GATMA1CT-ND
别名:IPB530N15N3 GCT
IPB530N15N3 GCT-ND
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N04S404ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N04S404ATMA1-ND
别名:SP000952816
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R600C6ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R600C6ATMA1CT-ND
别名:IPB65R600C6CT
IPB65R600C6CT-ND
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 21A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3315STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3315STRLPBF-ND
别名:SP001563170
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L09ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S2L09ATMA2-ND
别名:SP001061720
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80P04P405ATMA1
仓库库存编号:
IPB80P04P405ATMA1-ND
别名:SP000652618
规格:封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB,
无铅
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