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• WeEn Semiconductors
  TRIAC SENS GATE 600V 4A DPAK
  详细描述：TRIAC Logic - Sensitive Gate 600V 4A Surface Mount DPAK
  
  型号：BT136S-600D,118
  仓库库存编号：1740-1023-1-ND
  别名：1740-1023-1
  568-3653-1
  568-3653-1-ND
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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• WeEn Semiconductors
  TRIAC 800V 4A DPAK
  详细描述：TRIAC Standard 800V 4A Surface Mount DPAK
  
  型号：BTA204S-800B,118
  仓库库存编号：1740-1388-1-ND
  别名：1740-1388-1
  568-5824-1
  568-5824-1-ND
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R1K4CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R1K4CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD70R1K4CEAUMA1CT
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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• Infineon Technologies
  IC SWITCH IPS 1CH LOW SIDE DPAK
  
  型号：AUIPS2041RTRL
  仓库库存编号：AUIPS2041RTRLCT-ND
  别名：AUIPS2041RTRLCT
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R800CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R800CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R800CEATMA1CT
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD30N03S2L20ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N03S2L20ATMA1CT-ND
  别名：IPD30N03S2L20ATMA1CT
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 49W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD60R1K5CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND
  别名：IPD60R1K5CEAUMA1-ND
  IPD60R1K5CEAUMA1TR
  SP001396902
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 49W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD60R1K5CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K5CEAUMA1CT
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 49W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD60R1K5CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K5CEAUMA1DKR-ND
  别名：IPD60R1K5CEAUMA1DKR
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 11A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 36W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK72150-55A,118
  仓库库存编号：1727-7151-1-ND
  别名：1727-7151-1
  568-9634-1
  568-9634-1-ND
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 37W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R1K0CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K0CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K0CEATMA1CT
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD220N06L3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD220N06L3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD220N06L3GBTMA1CT
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD50N03S4L06ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N03S4L06ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N03S4L06ATMA1CT
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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• Infineon Technologies
  N-CHANNEL_55/60V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD15N06S2L64ATMA2
  仓库库存编号：IPD15N06S2L64ATMA2CT-ND
  别名：IPD15N06S2L64ATMA2CT
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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• WeEn Semiconductors
  THYRISTOR 800V 12A DPAK
  详细描述：SCR 800V 12A Standard Recovery Surface Mount DPAK
  
  型号：BT151S-800R,118
  仓库库存编号：1740-1072-1-ND
  别名：1740-1072-1
  568-11042-1
  568-11042-1-ND
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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• WeEn Semiconductors
  THYRISTOR 800V 12A DPAK
  详细描述：SCR 800V 12A Standard Recovery Surface Mount DPAK
  
  型号：BT151S-800R,118
  仓库库存编号：1740-1072-6-ND
  别名：1740-1072-6
  568-11042-6
  568-11042-6-ND
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD30N06S4L23ATMA2
  仓库库存编号：IPD30N06S4L23ATMA2CT-ND
  别名：IPD30N06S4L23ATMA2CT
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD26N06S2L35ATMA2
  仓库库存编号：IPD26N06S2L35ATMA2CT-ND
  别名：IPD26N06S2L35ATMA2CT
  
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  MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Tc） 69W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R650CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R650CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R650CEATMA1CT
  
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• WeEn Semiconductors
  TRANS NPN 425V 4A DPAK
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 425V 4A 80W Surface Mount DPAK
  
  型号：BUJD203AD,118
  仓库库存编号：1740-1424-1-ND
  别名：1740-1424-1
  568-8381-1
  568-8381-1-ND
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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  MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R950CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R950CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD70R950CEAUMA1CT
  
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  MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 46W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD50N04S408ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N04S408ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N04S408ATMA1CT
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD075N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD075N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD075N03LGINCT
  IPD075N03LGINCT-ND
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 8.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 23W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R1K4P7SAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R1K4P7SAUMA1CT-ND
  别名：IPD70R1K4P7SAUMA1CT
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD350N06LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD350N06LGBTMA1CT-ND
  别名：IPD350N06LGBTMA1CT
  
  规格：封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63,
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