规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 37A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3714ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR3714ZTRPBF-ND
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR014NTRPBF
仓库库存编号:
IRLR014NTRPBF-ND
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 14A(Tc) 56W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3911TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3911TRPBF-ND
别名:SP001560664
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3715TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3715TRPBF-ND
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 56A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3707ZCTRLP
仓库库存编号:
IRFR3707ZCTRLP-ND
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 14A(Tc) 144W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR12N25DTRPBF
仓库库存编号:
IRFR12N25DTRPBF-ND
别名:SP001556902
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 48A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3412TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3412TRPBF-ND
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 70A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3418TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3418TRPBF-ND
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
IC IPS SW LOW SIDE DPAK
型号:
IPS1031RTRLPBF
仓库库存编号:
IPS1031RTRLPBF-ND
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
IC IPS SW LOW SIDE DPAK
型号:
IPS1021RTRLPBF
仓库库存编号:
IPS1021RTRLPBF-ND
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
IC IPS SW LOW SIDE DPAK
型号:
IPS1011RTRLPBF
仓库库存编号:
IPS1011RTRLPBF-ND
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 75A(Tc) 107W(Tc) DPAK
型号:
PHD77NQ03T,118
仓库库存编号:
PHD77NQ03T,118-ND
别名:934060505118
PHD77NQ03T /T3
PHD77NQ03T /T3-ND
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 5.6A PG-TO252-3
型号:
IDD04SG60CXTMA1
仓库库存编号:
IDD04SG60CXTMA1TR-ND
别名:IDD04SG60C
IDD04SG60C-ND
SP000786804
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO252-3
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 5A(DC) PG-TO252-3
型号:
IDD05SG60CXTMA1
仓库库存编号:
IDD05SG60CXTMA1TR-ND
别名:IDD05SG60C
IDD05SG60C-ND
SP000411544
SP000786806
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-3
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 6A(DC) PG-TO252-3
型号:
IDD06SG60CXTMA1
仓库库存编号:
IDD06SG60CXTMA1TR-ND
别名:IDD06SG60C
IDD06SG60C-ND
SP000786808
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO252-3
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 8A(DC) PG-TO252-3
型号:
IDD08SG60CXTMA1
仓库库存编号:
IDD08SG60CXTMA1TR-ND
别名:IDD08SG60C
IDD08SG60C-ND
SP000411548
SP000786810
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO252-3
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 9A(DC) PG-TO252-3
型号:
IDD09SG60CXTMA1
仓库库存编号:
IDD09SG60CXTMA1TR-ND
别名:IDD09SG60C
IDD09SG60C-ND
SP000411550
SP000786812
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO252-3
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 10A(DC) PG-TO252-3
型号:
IDD10SG60CXTMA1
仓库库存编号:
IDD10SG60CXTMA1TR-ND
别名:IDD10SG60C
IDD10SG60C-ND
SP000608030
SP000786814
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD068N10N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD068N10N3GBTMA1TR-ND
别名:IPD068N10N3 G
IPD068N10N3 G-ND
SP000469892
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD082N10N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD082N10N3GBTMA1TR-ND
别名:IPD082N10N3 G
IPD082N10N3 G-ND
SP000485986
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD088N04LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD088N04LGBTMA1TR-ND
别名:IPD088N04L G
IPD088N04L G-ND
SP000354798
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD096N08N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD096N08N3GBTMA1TR-ND
别名:IPD096N08N3 G
IPD096N08N3 G-ND
SP000474196
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD105N04LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD105N04LGBTMA1TR-ND
别名:IPD105N04L G
IPD105N04L G-ND
SP000354796
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12CN10NGBUMA1
仓库库存编号:
IPD12CN10NGBUMA1TR-ND
别名:IPD12CN10N G
IPD12CN10N G-ND
SP000096476
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12CNE8N G
仓库库存编号:
IPD12CNE8N G-ND
别名:SP000096477
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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