规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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ON Semiconductor
IC TRANS NPN 80V 8A DPAK-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 85MHz Surface Mount DPAK
型号:
NJVMJD44H11D3T4G
仓库库存编号:
NJVMJD44H11D3T4G-ND
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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ON Semiconductor
IC TRANS PNP 80V 8A DPAK-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 90MHz Surface Mount DPAK
型号:
NJVMJD45H11D3T4G
仓库库存编号:
NJVMJD45H11D3T4G-ND
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 5A 25W TO252AA
详细描述:IGBT PT Surface Mount TO-252AA
型号:
IXGY2N120
仓库库存编号:
IXGY2N120-ND
别名:Q2317638
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 33A TO-252-2
型号:
C4D10120E-TR
仓库库存编号:
C4D10120E-TR-ND
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Central Semiconductor Corp
DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 10A DPAK
型号:
CSICD10-650 TR13
仓库库存编号:
CSICD10-650 TR13-ND
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 1200V 10A TO-252
型号:
GB10SLT12-252
仓库库存编号:
1242-1140-ND
别名:1242-1140
GB10SLT12252
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Central Semiconductor Corp
10A,1200V SURFACE MOUNT RECTIFIE
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 1200V 10A DPAK
型号:
CSICD10-1200 BK
仓库库存编号:
CSICD10-1200 BK-ND
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 2.6A(Tc) 29W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R3K4CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R3K4CEAUMA1-ND
别名:SP001422856
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.4A(Tc) 33W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R2K0CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD50R2K0CEAUMA1-ND
别名:SP001396820
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.3A(Tc) 22W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R2K1CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R2K1CEBTMA1CT-ND
别名:IPD60R2K1CEBTMA1CT
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 3.1A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R1K4CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD50R1K4CEAUMA1-ND
别名:SP001396808
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 4A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R2K0CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R2K0CEAUMA1-ND
别名:SP001466914
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 14.7A(DC) PG-TO252-3
型号:
IDD06E60BUMA1
仓库库存编号:
IDD06E60BUMA1TR-ND
别名:IDD06E60
IDD06E60-ND
SP000077586
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 5.2A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K5CEAUMA1-ND
别名:SP001422862
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD090N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD090N03LGBTMA1-ND
别名:SP000236950
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD40N03S4L08ATMA1
仓库库存编号:
IPD40N03S4L08ATMA1-ND
别名:SP000475916
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO252
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 19.3A(DC) PG-TO252-3
型号:
IDD09E60BUMA1
仓库库存编号:
IDD09E60BUMA1TR-ND
别名:IDD09E60
IDD09E60-ND
SP000013634
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD14N06S280ATMA2
仓库库存编号:
IPD14N06S280ATMA2-ND
别名:SP001063642
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD25N06S240ATMA2
仓库库存编号:
IPD25N06S240ATMA2-ND
别名:SP001063628
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.2A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K0CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K0CEAUMA1-ND
别名:SP001421368
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 27A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 27A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD400N06NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD400N06NGBTMA1CT-ND
别名:IPD400N06NG
IPD400N06NGINCT
IPD400N06NGINCT-ND
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 22.3W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R2K0C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R2K0C6ATMA1-ND
别名:SP001117714
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD075N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD075N03LGBTMA1-ND
别名:SP000249747
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 5A(Tc) 41W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD5N25S3430ATMA1
仓库库存编号:
IPD5N25S3430ATMA1-ND
别名:SP000876584
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04P10PGBTMA1
仓库库存编号:
SPD04P10PGBTMA1TR-ND
别名:SP000212230
SPD04P10P G
SPD04P10P G-ND
规格:封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,
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