规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 620mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
型号：
BSR315PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSR315PL6327HTSA1TR-ND
别名：BSR315P L6327
BSR315P L6327-ND
SP000265405
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 360mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
型号：
BSR316PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSR316PL6327HTSA1TR-ND
别名：BSR316P L6327
BSR316P L6327-ND
SP000265407
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.14A SC-59
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 140mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
型号：
BSR92PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSR92PL6327HTSA1TR-ND
别名：BSR92P L6327
BSR92P L6327-ND
SP000265408
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS126L6327HTSA1TR-ND
别名：BSS126 L6327
BSS126 L6327-ND
SP000247303
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126L6906HTSA1
仓库库存编号：
BSS126L6906HTSA1TR-ND
别名：BSS126 L6906
BSS126 L6906-ND
SP000247304
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS127L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS127L6327HTSA1TR-ND
别名：BSS127 L6327
BSS127 L6327-ND
SP000247305
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 100mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS139L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS139L6327HTSA1TR-ND
别名：BSS139 L6327
BSS139 L6327-ND
SP000247295
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 100mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS139L6906HTSA1
仓库库存编号：
BSS139L6906HTSA1TR-ND
别名：BSS139 L6906
BSS139 L6906-ND
SP000247296
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS159NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS159NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS159N L6327
BSS159N L6327-ND
SP000247297
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS169L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS169L6327HTSA1TR-ND
别名：BSS169 L6327
BSS169 L6327-ND
SP000247299
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS214NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS214NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS214N L6327
BSS214N L6327-ND
SP000440878
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS306NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS306NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS306N L6327
BSS306N L6327-ND
SP000442400
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS308PEL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS308PEL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS308PE L6327
BSS308PE L6327-ND
SP000442474
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS316NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS316NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS316N L6327
BSS316N L6327-ND
SP000442416
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 540mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS670S2LL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS670S2LL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS670S2L L6327
BSS670S2L L6327-ND
SP000247301
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS7728NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS7728NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS7728N L6327
BSS7728N L6327-ND
SP000247302
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTA143ZK,135
仓库库存编号：
PDTA143ZK,135-ND
别名：934054805135
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS83PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS83PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS83PL6327CT-ND
BSS83PL6327CT_ND
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS215PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS215PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS215P L6327CT
BSS215P L6327CT-ND
BSS215PL6327
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS315PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS315PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS315P L6327CT
BSS315P L6327CT-ND
BSS315PL6327
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS205NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS205NL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS205N L6327INCT
BSS205N L6327INCT-ND
BSS205NL6327
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET RF SOT23 TO-236AB
详细描述：RF Mosfet TO-236AB (SOT23)
型号：
ON5257,215
仓库库存编号：
ON5257,215-ND
别名：934058039215
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET RF SOT23 TO-236AB
详细描述：RF Mosfet TO-236AB (SOT23)
型号：
ON5520,215
仓库库存编号：
ON5520,215-ND
别名：934063418215
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 4V 110MA SOT23
详细描述：RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 110mA PG-SOT23-3
型号：
BAT1504RE6327HTSA1
仓库库存编号：
BAT1504RE6327HTSA1TR-ND
别名：BAT 15-04R E6327
BAT 15-04R E6327-ND
SP000659920
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS127H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS127H6327XTSA1-ND
别名：BSS127 H6327
BSS127 H6327-ND
SP000705718
规格：封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,
无铅
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