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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 250V 17A TO-3P
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 17A 30MHz 130W Through Hole TO-3P
  
  型号：2SA1962RTU
  仓库库存编号：2SA1962RTU-ND
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 16.5A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 16.5A（Tc） 205W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA16N50_F109
  仓库库存编号：FDA16N50_F109-ND
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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• STMicroelectronics
  TRANS PNP 230V 15A TO-3P
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 230V 15A 30MHz 150W Through Hole TO-3P
  
  型号：2STA1962
  仓库库存编号：497-7056-5-ND
  别名：2STA1962-ND
  497-7056-5
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 250V 17A TO-3PN
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 17A 30MHz 130W Through Hole TO-3P
  
  型号：FJA4213RTU
  仓库库存编号：FJA4213RTU-ND
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1250V 20A 250W TO-3PN
  详细描述：IGBT Trench 1250V 40A 250W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA20S125P_SN00336
  仓库库存编号：FGA20S125P_SN00336-ND
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 230V 15A TO-3PN
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 15A 30MHz 130W Through Hole TO-3P(N)
  
  型号：2SC5242-O(Q)
  仓库库存编号：2SC5242-O(Q)-ND
  别名：2SC5242-O (Q)
  2SC5242-O(Q,T)
  2SC5242-OQ
  2SC5242-OQ-ND
  2SC5242-OQT-ND
  2SC5242OQ
  Q11062919
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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• STMicroelectronics
  TRANS PNP 250V 17A TO-3P
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 17A 25MHz 200W Through Hole TO-3P
  
  型号：2STA2120
  仓库库存编号：497-8740-5-ND
  别名：497-8740-5
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ450P2
  仓库库存编号：IXTQ450P2-ND
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 380W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ20N50P3
  仓库库存编号：IXFQ20N50P3-ND
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P
  详细描述：IGBT 600V 40A 178.5W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJP6085DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJP6085DPK-00#T0-ND
  别名：RJP6085DPK00T0
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ22N60P3
  仓库库存编号：IXFQ22N60P3-ND
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 600V 80A 260.4W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60F5DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60F5DPK-00#T0-ND
  别名：RJH60F5DPK00T0
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK16J60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK16J60WS1VQ-ND
  别名：TK16J60W,S1VQ(O
  TK16J60WS1VQ
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 40A 160W TO3P
  详细描述：IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-3P
  
  型号：SGH40N60UFTU
  仓库库存编号：SGH40N60UFTU-ND
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 50A 245W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 1200V 50A 245W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH1CV5DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH1CV5DPK-00#T0-ND
  别名：RJH1CV5DPK00T0
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 695W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ28N60P3
  仓库库存编号：IXFQ28N60P3-ND
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA90N15_F109
  仓库库存编号：FQA90N15_F109-ND
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 60A 290W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 1200V 60A 290W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH1CV6DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH1CV6DPK-00#T0-ND
  别名：RJH1CV6DPK00T0
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ30N60X
  仓库库存编号：IXFQ30N60X-ND
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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  MOSFET N-CH 500V 34A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 695W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ34N50P3
  仓库库存编号：IXFQ34N50P3-ND
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 70A 320W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 1200V 70A 320W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH1CV7DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH1CV7DPK-00#T0-ND
  别名：RJH1CV7DPK00T0
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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  IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 600V 85A 297.6W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60F6DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60F6DPK-00#T0-ND
  别名：RJH60F6DPK00T0
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT80H65DFB
  仓库库存编号：497-14234-5-ND
  别名：497-14234-5
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 960W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ50N50P3
  仓库库存编号：IXFQ50N50P3-ND
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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  MOSFET N-CH 300V 94A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 1040W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ94N30P3
  仓库库存编号：IXFQ94N30P3-ND
  
  规格：封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3,
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