规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 460W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ30N50P
仓库库存编号:
IXTQ30N50P-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 460W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ26N60P
仓库库存编号:
IXTQ26N60P-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 300V 120A TO3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ120N30TCD1
仓库库存编号:
IXGQ120N30TCD1-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 320V 96A TO3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ96N30TBD1
仓库库存编号:
IXGQ96N30TBD1-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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IXYS
IGBT 320V 96A TO3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ96N30TCD1
仓库库存编号:
IXGQ96N30TCD1-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 830W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ470P2
仓库库存编号:
IXTQ470P2-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 300W TO3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
RJH60D7DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60D7DPK-00#T0-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ30N60P
仓库库存编号:
IXTQ30N60P-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 300W TO-3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
RJH60D7ADPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60D7ADPK-00#T0-ND
别名:RJH60D7ADPK00T0
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 150A TO3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ150N30TCD1
仓库库存编号:
IXGQ150N30TCD1-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 52A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 960W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ480P2
仓库库存编号:
IXTQ480P2-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 69A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 69A(Tc) 500W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ69N30P
仓库库存编号:
IXTQ69N30P-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 400A TO3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ200N30PB
仓库库存编号:
IXGQ200N30PB-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 88A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 88A(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ88N15
仓库库存编号:
IXTQ88N15-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Ta) 125W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1835-E
仓库库存编号:
2SK1835-E-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 170A(Tc) 715W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ170N10P
仓库库存编号:
IXTQ170N10P-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200A(Tc) 714W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ200N06P
仓库库存编号:
IXTQ200N06P-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 21A(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ21N50Q
仓库库存编号:
IXFQ21N50Q-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 50A(Tc) 660W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ50N60X
仓库库存编号:
IXFQ50N60X-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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IXYS
IGBT 330V 180A TO3P
详细描述:IGBT 330V 180A Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ180N33TCD1
仓库库存编号:
IXGQ180N33TCD1-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 44A(Tc) 658W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ44N50P
仓库库存编号:
IXTQ44N50P-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30.8A(Ta) 230W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK31J60W5,S1VQ
仓库库存编号:
TK31J60W5S1VQ-ND
别名:TK31J60W5,S1VQ(O
TK31J60W5S1VQ
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 75A 400W TO3P
详细描述:IGBT 1200V 75A 400W Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ35N120BD1
仓库库存编号:
IXGQ35N120BD1-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 250V 100A(Tc) 600W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ100N25P
仓库库存编号:
IXTQ100N25P-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200V 120A(Tc) 714W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ120N20P
仓库库存编号:
IXTQ120N20P-ND
规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
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