规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(19446)
电容器
(3)
电阻器
(19443)
筛选品牌
AVX Corp/Kyocera Corp(4)
AVX Corporation(1)
Bourns Inc.(312)
CTS Electrocomponents(45)
CTS Resistor Products(10)
CTS Thermal Management Products(2)
CTS-Frequency Controls(1)
KEMET(1)
Kionix Inc.(317)
Ohmite(62)
Panasonic - ATG(214)
Panasonic - BSG(71)
Panasonic - DTG(24)
Panasonic Electric Works(18)
Panasonic Electronic Components(311)
Panasonic Industrial Automation Sales(606)
Rohm Semiconductor(181)
Samsung Electro-Mechanics America, Inc.(8)
Stackpole Electronics Inc.(6844)
TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine(45)
TE Connectivity ALCOSWITCH Switches(16)
TE Connectivity AMP Connectors(9)
TE Connectivity Corcom Filters(1)
TE Connectivity Deutsch Connectors(1)
TE Connectivity Passive Product(1044)
TE Connectivity Potter & Brumfield Relays(13)
TT Electronics/BI(9)
TT Electronics/BI Magnetics(1)
TT Electronics/Welwyn(24)
Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components(32)
Vishay BC Components(4)
Vishay Beyschlag(1)
Vishay Dale(5013)
Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group)(572)
Vishay Sfernice(1)
Yageo(3628)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Dale
RES SMD 2.43K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B2E43RWSV
仓库库存编号:
M55342K08B2E43RWSV-ND
别名:M55342K08B2E43RWSV-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 2.55K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B2E55RWSV
仓库库存编号:
M55342K08B2E55RWSV-ND
别名:M55342K08B2E55RWSV-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 301 OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B301ARWS
仓库库存编号:
M55342K08B301ARWS-ND
别名:M55342K08B301ARWS-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 316 OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B316ARWS
仓库库存编号:
M55342K08B316ARWS-ND
别名:M55342K08B316ARWS-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 328 OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B328ARWS
仓库库存编号:
M55342K08B328ARWS-ND
别名:M55342K08B328ARWS-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 32.4K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B32B4RWS
仓库库存编号:
M55342K08B32B4RWS-ND
别名:M55342K08B32B4RWS-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 330 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B330DRWSV
仓库库存编号:
M55342K08B330DRWSV-ND
别名:M55342K08B330DRWSV-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 332 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B332DRWSV
仓库库存编号:
M55342K08B332DRWSV-ND
别名:M55342K08B332DRWSV-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 33.2K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B33B2RWS
仓库库存编号:
M55342K08B33B2RWS-ND
别名:M55342K08B33B2RWS-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 348 OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B348ARWS
仓库库存编号:
M55342K08B348ARWS-ND
别名:M55342K08B348ARWS-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 361 OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B361ARWS
仓库库存编号:
M55342K08B361ARWS-ND
别名:M55342K08B361ARWS-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 36.1K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B36B1RWS
仓库库存编号:
M55342K08B36B1RWS-ND
别名:M55342K08B36B1RWS-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 374 OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B374ARBS
仓库库存编号:
M55342K08B374ARBS-ND
别名:M55342K08B374ARBS-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 390 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B390DRWSV
仓库库存编号:
M55342K08B390DRWSV-ND
别名:M55342K08B390DRWSV-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 390 OHM 5% 0.8W 2010
详细描述:±5% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B390JRTSV
仓库库存编号:
M55342K08B390JRTSV-ND
别名:M55342K08B390JRTSV-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 390 OHM 5% 0.8W 2010
详细描述:±5% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B390JRWSV
仓库库存编号:
M55342K08B390JRWSV-ND
别名:M55342K08B390JRWSV-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 392 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B392DRWSV
仓库库存编号:
M55342K08B392DRWSV-ND
别名:M55342K08B392DRWSV-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 3.61K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B3B61RWS
仓库库存编号:
M55342K08B3B61RWS-ND
别名:M55342K08B3B61RWS-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 3.74K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B3B74RWS
仓库库存编号:
M55342K08B3B74RWS-ND
别名:M55342K08B3B74RWS-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 3.83K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B3B83RWS
仓库库存编号:
M55342K08B3B83RWS-ND
别名:M55342K08B3B83RWS-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 3.9K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B3E90RWSV
仓库库存编号:
M55342K08B3E90RWSV-ND
别名:M55342K08B3E90RWSV-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 3.6K OHM 2% 0.8W 2010
详细描述:±2% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B3H60RWSV
仓库库存编号:
M55342K08B3H60RWSV-ND
别名:M55342K08B3H60RWSV-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 412 OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B412ARWS
仓库库存编号:
M55342K08B412ARWS-ND
别名:M55342K08B412ARWS-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 442 OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B442ARWS
仓库库存编号:
M55342K08B442ARWS-ND
别名:M55342K08B442ARWS-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 470 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B470DRWSV
仓库库存编号:
M55342K08B470DRWSV-ND
别名:M55342K08B470DRWSV-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
678
679
680
681
682
683
684
685
686
687
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号