规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
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Vishay Dale
RES SMD 20 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B20D0RT5V
仓库库存编号:
M55342K08B20D0RT5V-ND
别名:M55342K08B20D0RT5V-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 2.26K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B2E26RT5V
仓库库存编号:
M55342K08B2E26RT5V-ND
别名:M55342K08B2E26RT5V-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 30.1 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B30D1RT5V
仓库库存编号:
M55342K08B30D1RT5V-ND
别名:M55342K08B30D1RT5V-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 3.74K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B3E74RT5V
仓库库存编号:
M55342K08B3E74RT5V-ND
别名:M55342K08B3E74RT5V-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 499 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B499DRT5V
仓库库存编号:
M55342K08B499DRT5V-ND
别名:M55342K08B499DRT5V-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 5.62K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B5E62RT5V
仓库库存编号:
M55342K08B5E62RT5V-ND
别名:M55342K08B5E62RT5V-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 3.61K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B3B61RTF
仓库库存编号:
M55342K08B3B61RTF-ND
别名:M55342K08B3B61RTF-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 15K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342H08B15B0RT1
仓库库存编号:
M55342H08B15B0RT1-ND
别名:M55342H08B15B0RT1-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 126 OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B126ART1
仓库库存编号:
M55342K08B126ART1-ND
别名:M55342K08B126ART1-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 33.2K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B33B2RT1
仓库库存编号:
M55342K08B33B2RT1-ND
别名:M55342K08B33B2RT1-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 3.83K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342K08B3B83RT1
仓库库存编号:
M55342K08B3B83RT1-ND
别名:M55342K08B3B83RT1-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500K OHM 1% 1W 2010
详细描述:±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2010FKD500K
仓库库存编号:
HVCB2010FKD500K-ND
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2M OHM 1% 1W 2010
详细描述:±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2010FTC2M00
仓库库存编号:
HVCB2010FTC2M00-ND
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 1% 1W 2010
详细描述:±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2010FTC10M0
仓库库存编号:
HVCB2010FTC10M0-ND
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500M OHM 1% 1W 2010
详细描述:±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2010FTL500M
仓库库存编号:
HVCB2010FTL500M-ND
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
无铅
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AVX Corporation
RES SMD 25 OHM 2% 10W 2010
详细描述:±2% 10W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 薄膜
型号:
RP42010R0025GTBK-50
仓库库存编号:
RP42010R0025GTBK-50-ND
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
无铅
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AVX Corporation
RES SMD 200 OHM 2% 4W 2010
详细描述:±2% 4W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 薄膜
型号:
RP52010R0200GTBK-50
仓库库存编号:
RP52010R0200GTBK-50-ND
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100M OHM 1% 1W 2010
详细描述:±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2010FTD100M
仓库库存编号:
HVCB2010FTD100M-ND
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100K OHM 5% 1W 2010
详细描述:±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2010JDL100K
仓库库存编号:
HVCB2010JDL100K-ND
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 400M OHM 1% 1W 2010
详细描述:±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2010FTD400M
仓库库存编号:
HVCB2010FTD400M-ND
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 249K OHM 1% 1W 2010
详细描述:±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2010FKC249K
仓库库存编号:
HVCB2010FKC249K-ND
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 301K OHM 1% 1W 2010
详细描述:±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB2010FKC301K
仓库库存编号:
HVCB2010FKC301K-ND
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
无铅
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Vishay Dale
RES SMD 150K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B150BRT5
仓库库存编号:
M55342E08B150BRT5-ND
别名:M55342E08B150BRT5-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 169K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B169BRT5
仓库库存编号:
M55342E08B169BRT5-ND
别名:M55342E08B169BRT5-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 172K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B172BRT5
仓库库存编号:
M55342E08B172BRT5-ND
别名:M55342E08B172BRT5-MIL
规格:封装/外壳 2010(5025 公制),
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